Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

$2^{\circ}$-off GaAs 기판위에 성장된 GaAs buffer 층의 두께에 따른 InAs 양자점의 변화

  • 김효진 (한국과학기술연구원 반도체재료연구실) ;
  • 민병돈 (한국과학기술연구원 반도체재료연구실) ;
  • 현찬경 (한국과학기술연구원 반도체재료연구실) ;
  • 박세기 (한국과학기술연구원 반도체재료연구실) ;
  • 박용주 (한국과학기술연구원 반도체재료연구실) ;
  • 김은규 (한국과학기술연구원 반도체재료연구실) ;
  • 김태환 (광운대학교 물리학과)
  • Published : 2000.02.01
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Abstract

Stranski-Krastanow 자발형성 방법에 의한 양자점의 성장은 다른 공정에 비해 결함이 적은 반면에 크기와 위치를 조절하기 어렵다. 최근 20-off GaAs 기판을 이용한 양자점의 성장은 다른 공정과는 달리 성장조건만으로 선택적인 성장을 얻을 수 있으며 양자점의 크기가 terrace width를 벗어나지 않으므로 uniformity를 향상시킬 수 있다. 20-off GaAs 기판의 trrrace 넓이는 약 99 이지만 성장조건하에 Ga의 diffusion에 의한 step bunching 효과에 의하여 그 넓이는 변화하며 특히, 성장 두께에 따라 넓이는 증가한다. 이러한 현상을 바탕으로 20-off 기판위에 GaAs buffer 층을 1000 , 22 을 갖게 되었다. 이로써 20-off 기판을 이용할 경우,GaAs buffer 층의 두께만으로 양자점의 크기를 조절할 수 있다.

Keywords