• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.40-45
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• 1995

직경 2인치의 YBa2Cu3O7-y 타겟을 사용하여 높은 스퍼터링 기체 압력 하에서 off-axis DC-마그네트론 스퍼터링 방법으로 MgO(100) 단결정 기판 위에 YBa2Cu3O7-y 박막을 c축 방향으로 in-냐셔 성장시킬 때 기판의 접지 여부와 인가전류의 양이 박막 성장에 미치는 여향을 연구하였다. 그 결과 접지 여부는 박막의 초전도 변환온도, 전기수송 특성, 결정 구조적 특성에는 영향을 거의 주지 않는 반면 표면상태에는 상당한 영향을 미치며, 인가전류의 양은 초전도 특성에 많은 영향을 미침을 발견하였다. 기판온도 $670^{\circ}C$, 스퍼터링 기체압력 300mTorr, 아르곤 대 산소 분압비 5:1의 조건에서 인가전류의 최적량은 300-500 mA이었으며 평균 박막 성장속도는 $0.11-0.14AA$/s로 매우 낮았다. 기판의 접지 효과와 낮은 성장속도의 원인에 대해 고찰해 본다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.32 no.5
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• pp.175-182
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• 2022

Rare-earth elements were doped with Mg to enhance the temperature stability of dielectric properties of BaTiO₃ for its application to MLCC (Multi-Layer Ceramic Capacitor). The additives strongly affect both grain growth and densification behaviors during sintering, and hence dielectric properties. The additive effects therefore should be examined in each system with different additives. This study investigated the crystal structure, grain growth and densification behaviors and related variations in dielectric constant with respect to sintering temperature. Dielectric constant appears to be varied with grain size in a temperature range between 1200 and 1300℃, suggesting the importance of grain size control. The temperature dependence of grain size variation was well explained by an established theory correlating the grain growth behavior with grain boundary structure. This accordance provides a basis for sintering technique to control grain growth thus to improve dielectric constant in rare-earth doped BaTiO₃.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.3
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• pp.384-392
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• 1997

Potassium lithium niobate(KLN) single crystal for a nonlinear-optic material, which changes the wavelength of lasers, has a ferroelectric tetragonal tungsten bronze structure at room temperature. It has been very hard to get single crystals of good quality due to the cracks during cooling process. In order to investigate the composition change due to the evaporation of solution during the growth, the thermogravimetric analysis was carried out. In atmospheric condition at $1000^{\circ}C$ which is about $10^{\circ}C$ higher than the crystal growing temperature, the weight change was negligible amount of $1.46{\times}10^{-5}$g/($\textrm{cm}^2$hr). By using both the Pt plate as the nucleation site and the slow cooling method with temperature fluctuation, KLN single crystal of good quality of size 1 cm could be obtained. The phase transition temperature was $490^{\circ}C$, which was higher than that reported by other researchers of the other composition. The optical anisotropy due to the absorption of OH-band exists in the range of IR.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.9 no.5
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• pp.463-469
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• 1999

The potassium lithium niobate $K_3$$Li_2$$Nb_5$$O_{15}$ single crystals were growing in $K_x$$Li_{1-x}$$NbO_3$ (x = 0.4~0.6) chemical formular by the Czorchralski method. Crystal growth is studied in two orientations with growth along a-axis and c-axis. We have subjected this crystal to x-ray diffraction studies and found that they are single-crystalline and belong to tetragonal system with the lattice parameters a = b = 12.577 $\AA$ and c = 3.997$\AA$. The temperature dependence of dielectric constant was measured in the region of the phase transition. Curie temperature and diffuseness of phase transition are influenced by composition concentration. The composition and cation distribution of ferroelectric TB-type niobate crystals has a strong influence on the ferroelectric properties. Growth condition, optical transmittance, etching pattern and dielectric properties are presented and discussed.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.387-387
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• 2007

기능성 나노소자를 구현할 수 있는 나노 소재로 0차원 구조의 양자점(quantum dot)과 1차원 구조의 양자선 및 나노선(nanorod)이 제안되고 있다. 나노선의 경우 나노스케일의 dimension, 앙자 제한 효과, 탁월한 결정성, self-assembly, internal stress등 기존의 벌크형 소재에서 발견할 수 없는 새로운 기능성이 나타나고 있어서 바이오, 에너지, 구조, 전자, 센서 등의 분야에서 활용되고 있다. 현재 국내외적으로 널리 연구되고 있는 나노선으로는 Si 및 Ge, $SnO_2$, SiC, ZnO 등이 있으며 특히, ZnO는 우수한 물리적 전기적 특성과 함께 나노선으로의 합성이 비교적 쉬워 주목받고 있는 재료이다. ZnO의 합성방법으로는 thermal CVD, MOCVD, PLD, wet-chemistry 등 다양한 방법이 사용되고 있다. 특히 MOCVD 법은 수직 정렬된 ZnO 나노막대를 합성하기가 매우 용이하다. 본 실험에서는 자체개발된 MOCVD 장비를 이용한 일차원 ZnO 나노선을 성장하였다. 이러한 ZnO 나노선의 성장은 사파이어 기판과 실리콘 기판 위에서 이루어졌으며 기판의 종류와 격자상수 불일도에 따른 상이한 성장과정을 온도에 따른 나노선 성장에서 관찰할 수 있었다. 사파이어 기판의 경우, 240도의 온도에서는 박막형상을 지닌 ZnO가 온도가 320도 이상으로 상승하면서 나노선으로 변함을 보였고, 실리콘 기판의 경우 380도 이상에서 기울기률 가진 나노선을 관찰하였으며, 420도에서는 나노선을 관찰 할 수 없었다. 또한 PL 장비를 이용한 PL 강도와 성장과정을 연관하여 생각하였을 때, 나노선의 기물기가 PL 강도비과 연관성을 가진다는 것을 측정을 통해 확인하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.4
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• pp.385-392
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• 1992

급속열산화방법으로 400-650.deg.C의 온도범위에서 10-600초 동안 n형 InP기판위에 InP자연산화막을 형성하고 산화막의 성장율, 성장기구와 화학적 구성성분 및 전기적 성질등을 조사하였다. InP자연산화막의 두께는 산화시간이 제곱근에 비례하였고 산화온도에 대하여 지수함수적으로 증가하였다. InP자연산화막은 320.deg.C의 온도에서 초기성장이 이루어지고 산소원자들이 InP내부로 확산되는 과정으로 형성되며 산화막 형성에 필요한 활성화에너지는 1.218eV이었다. InP 자연산화마그이 화학적성분은 In$_{2}$)$_{3}$, P$_{2}$O$_{5}$ 및 InPO$_{4}$의 산화물이 혼합하여 구성된다. Au/InP쇼트키다이오드와 InP자연산화막을 게이트절연물로 사용한 MOS 다이오드의 전기적 특성은 다이오드방정식에 따르는 전류-전압특성을 보였다.

• Food Industry And Nutrition
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• v.10 no.1
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• pp.11-16
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• 2005

식물성 단백질의 주요 공급원이며 우리나라 전통식품 중의 하나인 두부의 유통기한을 정량적으로 예측할 수 있는 수학적 모델을 개발하고자 온도와 초기균수에 따른 두부 부패세균의 성장 실험 결과를 데이터베이스화하여 이를 바탕으로 균의 성장을 정량적으로 평가할 수 있는 수학적 모델을 개발하였다. 근의 증식 지표인 최대증식속도상수(k), 유도기(LT), 세대시간(GT)은 온도에 지배적인 영향을 받았으며, 초기균수에 따른 유의 적 인 차이 는 없었다(p<0.05). 최대증식속도상수와 온도 및 초기균수의 상관관계를 나타내는 수학적 정량평가모델인 square root model을 이 용하여 두부 부패 세균의 성장을 정량적으로 예측할 수 있는 모델$({\surd}{\kappa}=0.016861(T+6.87095))$을 개발하였으며 실험치와 예측치의 상관계수는0.969이었다. 이 예측 정량평가모델로부터 예측한 최대증식속도상수와 두부의 관능적 부패시 점을 반영 한 Gompertz 변형 모델을 이용하여 두부의 유통기한을 예측할 수 있는 모델$(Spoilage-critrion(hr)=\frac{2{\times}Ln2+Ln[(Nmax/No)-1])}{k}$을 개발하였다

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.355-355
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• 2012

Si (111) 기판 위에 polystyrene (PS) bead를 사용하여 만들어진 약 100 nm 나노 구멍에 GaN나노선을 molecular beam epitaxy 법으로 성장하였다. 성장 온도와 III/V 비율 변화에 대하여 성장된 GaN 나노선의 모양과 광학적 특성은 scanning electron microscopy (SEM)와 photoluminescence (PL) 등으로 조사하였으며, InN/GaN 이종접합 및 InGaN p-n 다이오드구조를 성장하여 atomic force microscopy의 tip 접촉방법으로 전기적 특성을 조사하였다. PL 측정 결과 성장온도가 높아지면 Ga 빈자리와 관계된 3.28 eV의 donor acceptor pair (DAP) 신호와 3.42 eV의 stacking faults (SF) 결함에 기인된 발광 신호세기가 감소하는 결과를 SEM으로부터 나노선 폭 및 길이는 좁아지면서 짧아지는 것을 관측하였다. 또한 nitrogen 원자양이 증가하면서 Ga 빈자리와 관련된 3.28 eV DAP 신호가 증가하는 것을 관측하였다. 이들 결과로부터 GaN 나노선의 SF 발광 신호관련 원인에 대하여 논의 하였다. AFM을 이용한 I-V 측정으로부터 성장조건 변화에 따른 GaN 나노선 및 p-n 접합 나노선의 전도 특성을 조사하여 나노선의 소자 응용에 대한 기본적인 물리특성을 규명하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.8 no.1
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• pp.13-18
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• 2001

Carbon nanotubes (CNTs) were grown on Ni-coated glass substrates by catalytic chemical vapor depositors (CVD) using RF plasma under $600^{\circ}C$. Various types of CNTs were obtained by different growth temperature, etching period and thickness of Ni catalyst. $NH_3$ or $H_2$ gas was used as a etching gas, then $C_2H_2$ gas was flowed as carbon source. Vertically aligned CNTs with diameter of 150 nm and length of 3 $\mu\textrm{m}$ were observed by SEM. CNTs synthesized by catalytic CVD using RF plasma should be expected to FED emitter.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.22 no.2
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• pp.105-110
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• 2013

Single crystalline $In_xGa_{1-x}As$ nanowires are grown on Si (111) substrate via Vapor-Liquid-Solid growth mode using metal-organic chemical vapor deposition. The ternary nanowires have been grown with various growth conditions and examined by electron microscopy. The alloy compositions of the nanowires has been investigated using Energy-dispersive X-ray spectroscopy. We have found that the composition gradient of the nanowire becomes larger with growth temperature and V/III ratio.