• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.4
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• pp.322-329
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• 1997

ECR 마이크로 플라즈마 CVD법에 의하여 단결정 Si기판위에서 대면적에 걸쳐 방향성을 가진 다이아몬드박막을 성공적으로 성장시키고, 막 증착공정을 바이어스처리 단계와 성막단계의 2단계로 나누어 실시할 때 바이어스처리 단계에서 여러 공정 매개변수들이 다리아몬드 핵생성밀도에 미치는 효과에 관하여 조사하였다. 기판온도$600^{\circ}C$, 압력 10Pa, 마이크로파 전력 3kW, 기판바이어스 +30V의 조건으로 바아어스 처리할 때, 핵생성에 대한 잠복기간은 5-6분이며, 핵생성이 완료되기 까지의 시간은 약 10분이다. 10분 이후에는 다이아몬드 결정이 아닌 비정질 탄소막이 일단 형성된다. 그러나 성장단계에서 이러한 비정질 탄소막은 에칭되어 제거되고 남아있는 다이다몬드 핵들이 다시 성장하게 된다. 또한 기판온도의 증가는 다이아몬드 막의 결정성을 높이고 핵생성 밀도를 증가시키는 데에 별로 효과가 없다. ECR플라즈마 CVD법에서 바이어스처리 테크닉을 사용하면, 더욱 효과적임을 확인하였다. 총유량 100 sccm의 CH$_{3}$OH(15%)/He(85%)계를 사용하여 가스압력 10Pa, 바이어스전압 +30V마이크로파 전력 3kW, 온도 $600^{\circ}C$의 조건하에서 40분간 바이어스처리한 다음 다이아몬드막을 성장시켰을 때 일시적으로나마 제한된 지역에서 완벽한 다이아몬드의 에피성장이 이루어졌음을 SEM으로 확인하였다. 이것은 Si기판상에서의 다이아몬드의 에피성장이 가능함을 시사하는 것이다. 그밖에 라만분광분석과 catodoluminescence 분석에 의한 다이아몬드의 결정질 조사결과와 산소방전 및 수소방전에 의한 챔버벽의 탄소오염효과 등에 관하여 토의하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.209.1-209.1
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• 2013

GaP는 가시광선 발광다이오드을 얻을 수 있는 적절한 재료중의 하나로 해당영역의 파장에 대하여 높은 양자효율을 얻을 수 있고, 깊은 준위 재결합이 없기 때문에 GaP 녹색 및 As 첨가한 GaAsP 적색 LED 에 적용할 수 있습니다. 또한, 상온에서 2.2 eV 에 해당하는 넓은 에너지 밴드갭을 가지고 있으므로, 소음이 없는 자외선 검출기에도 적합합니다. 이 물질에 대한 소자들은 기존에 GaP 기판을 사용하였습니다. 최근, GaP 와 격자상수가 비슷한 Si 기판을 활용하여 그 위에 성장하는 방법에 대한 관심이 많아졌습니다. Si는 물리적 및 화학적으로 안정하고 딱딱한 소재이며 대면적 기판을 쉽게 얻을 수 있어 전자 기기 및 대규모 집적 회로의 좋은 소재입니다. Si 와 대조적으로 GaP은 깨지기 쉬운 재료이며 GaP 기판은 Si와 같은 대면적 기판을 얻을 수 없습니다. 이러한 문제의 한 가지 해결책은 Si 기판위에 GaP 층의 성장입니다. GaP 과 Si의 조합은 현재의 광전소자 들에 더하여 더 많은 응용프로그램들을 가능하게 할 것입니다. 그러나, Si 기판위에 GaP 성장 시 삼차원적 성장 및 역위상 경계면과 같은 문제점들이 발생하므로 질이 높고 균일한 결정의 GaP 를 얻기가 어렵습니다. 따라서, Si 에 GaP 의 성장시 초기 단계를 제어하는 성장 기술이 필요합니다. 본 연구에서는, 유기금속화학증착법을 이용하여 Si 기판위에 양질의 GaP를 얻을 수 있는 최적의 성장조건을 얻고자 합니다. 실험 조건은 Si에 GaP의 에피택셜 성장의 초기 단계에 영향을 주는 V/III 비율, 성장압력, 기판방향 등을 가변하는 조건으로 진행하였습니다. V/III 비율은 100~6400, 성장 압력은 76~380 Torr로 진행하였고, Si 기판은 just(001)과 2~6도 기울어진 (001) 기판을 사용하였습니다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.312-312
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• 2010

기존의 박막태양전지 전면층으로 활용하는 Asahi glass는 증착공정 중에 발생하는 수소 플라즈마로 인해 FTO 기판의 투명전도막이 손상되어 태양전지의 효율 저하가 문제가 되었다. 이를 해결하기 위해 본 논문에서는 FTO 기판의 전면층을 대신하여 ZnO:Al 박막증착을 하기 위해서 회전원통형의 타겟이 장착된 DC magnetron sputtering을 가지고 성장을 시켰는데 증착하는데 있어 중요한 공정변수인 압력 및 온도 조건의 가변을 통해 이를 최적화하여 전면층에 활용하고 자 한다. 그래서 3mtorr의 압력과 $230^{\circ}C$의 온도 조건에서 두께가 약 $1{\mu}m$일 경우, $6.5{\times}10^{-4}{\Omega}cm$의 비저항과 함께 약 85% 이상의 투과도를 나타냈다. 이것은 ZnO:Al 박막이 압력과 온도의 영향에 따라 투명전도막에 많은 영향을 끼치는 것을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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• v.25 no.1
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• pp.42-49
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• 2021

As a measure of susceptibility on the combustion instability, thermo-acoustic instabilities in rocket combustion system was considered for the estimation of the operational stability margin. Growth rate, which governs the asymptotic stability behavior of the system, was determined from the dynamic data measured during combustion tests in order to understand the dynamic characteristics of combustor system. Frequency transform technique was first applied to determine the system parameters such as growth rate and/or damping coefficient for an interested mode from the time series pressure data, and the PDFs of pressure amplitude were extracted from the amplitude envelope of pressure oscillation for the stochastic analysis.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.6
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• pp.651-656
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• 1996

InGaAs/InGaAsP 다층박막을 corrugation이 형성된 InP 기판위에 MOVPE 방법을 이용하여 성장 시킨 후 성장조건에 따른 corrugation 높이의 변화와 석출상에 대하여 투과전자현미경을 이용하여 시킨 후 성장조건에 따른 corrugation 높이의 변화와 석출상에 대하여 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. Corrugation이 형성된 InP 기판을 PH3 및 AsH3가스를 동시에 공급해 주었는데 AsH3 가스의 압력이 높으면(1.8x10-2torr)많은 양의 As를 포함한 In1-xAsxP(x=0.3)석출상이 격자결함과 더불어 형성되었다. 반면에 AsH3 가스의 압력이 낮을때는 (1.0x10-3torr) corrugation의 높이가 30nm이었고, 적은 양의 As를 포함한 In1-xAsxP(x<0.1)석출상이 격자결함이 없이 형성되었다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1995.05b
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• pp.709-714
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• 1995

영광 3, 4호기에 사용되고 있는 원전 압력용기용 SA-508 IH 강의 미세구조 및 상온 피로균 열성장 특성을 고찰하였다. 본 강재의 미세구조, 석출물 분포 및 형상을 투과전자현미경을 통하여 관찰하였으며 임계영역에서의 거동 및 균열닫힘에 주목하여 피로균열성장 특성을 연구하였다. 다양한 형태의 (Fe, MR)$_3$C 세멘타이트 및 Mo$_2$C 석출물이 입계, 래스경계면 및 입내에 분포되고 있음을 확인하였다. Paris 영역에서의 피로균열성장 속도는 ASME 기준선과 유사하였으며, 임계 영역에서는 일반적인 저합금강의 경우보다 다소 낮게 나타났다. 파면조사 결과 입내 연성파괴현상이 전 $\Delta$K 영역에서 나타나고 있으며, $\Delta$K$_{th}$ 부터 $\Delta$K가 12 Mpa√m 영역에서는 입계파괴 및 입내 평활면이 관찰되었다.

• Journal of Technology Innovation
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• v.18 no.2
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• pp.91-120
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• 2010

This paper examines the effect of bargaining power over intermediate goods prices on innovation and economic growth using a Schumpeterian growth model. The notion of "intermediate goods prices" broadly indicates the reward to innovators including innovative SMEs as well as intermediate goods producers that are vertically integrated to big businesses. From this viewpoint, this paper sets up a Schumpeterian growth model that incorporates the market power between final goods producers and intermediate goods producers. The results show that the reduction of intermediate goods prices slows down long-run growth rates as it erodes the reward to innovations. Lower intermediate goods prices decrease marginal productivity of capital and real interest rates. However, the harmful effect of lower profits on innovations outweighs the beneficial effect of lower interest rates. Simulations using Korea's data for various cases show that in all cases the policies that raise the share of intermediate goods producers are as powerful as the R&D subsidy policies in raising growth rates. Therefore, fair trade policies that enable intermediate goods producers-especially SMEs to obtain more fruits of innovations will be helpful for long-run economic growth.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.26 no.1
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• pp.49-52
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• 2016

The effect of process parameters such as the growth pressure and temperature on the AlN crystal growth has been investigated. AlN crystal was grown onto 6H-SiC seed crystal using PVT (Physical Vapor Transport) method. Crystal properties and morphology of AlN crystal was changed with growth pressure and temperature. Raman analysis confirmed that AlN crystals with different orientation were successfully grown on SiC seed crystal.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.117-117
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• 2016

일반적인 박막 성장용 CVD는 막 성장 시간이 짧게는 수분에서 수시간 정도 소요하기 때문에 장비에 문제가 발생 할 시 조치를 취하고 다음 현상을 개선하기에 용이 하였다. 그리고 대분분의 장비가 국산화되어 있을 만큼 많은 경험치가 축척되어 있다. 그러나 2, 4 족 화합물 성장용 CVD는 고아학 렌즈 생산용 장비로 국내에서는 아직 생소하고 공정 경험이 없는 새로운 장비이다. 2,4 족 화합물의 특징은 다음과 같다. 2,4 족 화합물은 M, N 이라는 두가 물질이 결합하여 형성한다. 2,4 족 화합물은 높은 융점과 낮은 증기압을 갖니다. 이런 물질들은 고온에서 아래와 같이 평형적으로 반응한다. $$nMN_{(s)}=nM_{(g)}+Nn_{(g)}$$ 화합물인 $MN_{(g)}$의 상태로 존재할 수 있으나 일바적으로 n=2인 4족 원소의 2원자 분자로된 기체가 지배적이다. 증기상을 이용한 성장 공정에서는 구성 원자나 분자를 만들어내는 단계, 이들을 공급원에서 기판까지 수송하는 단계, 기판 위에 흡착하는 단계, 핵의 생성과 단결정을 생성하는 단계, 필요치 않는 구성물을 제거하는 단계를 거쳐 공정이 진행 된다. 각 공정은 성장 물질에 충분한 자유도를 주어야하고 자유도를 주기 위해서는 많은 열에너지가 공급 되어야 한다. 따라서 기존의 박막 성장 공정 보다 성장 속도가 느리고 증착하는 양보다는 버리는 양이 많으며 버려지는 성장물질들은 급격한 온도 변화가 생기는 곳에서 급격히 증착하기 시작한다. 본 성장 공정이 진행되는 압력은 30 torr 부근이며 공정 온도는 $1000^{\circ}C$ 부근이다. 30 torr 영역에서는 열전달이 대기압과 같은 속도로 진행되기 때문에 지속적으로 온도에의해 손상을 받는 부위가 있을 수 있다. 높은 공정 온도와 높은 공정 압력은 내부 구조물로 발생된 열을 빠르게 장비 표면으로 수송하게 되고 그 결과 장비의 연결 부분에 장착된 오링에 손상을 주게 된다. 오링 손상을 방지 하기위해 냉각수 라인을 형성하여 오링을 보호하게 되면 열역학적 기울기가 급격히 발생하는 부분이므로 CVD의 반응 부산물들이 빠른 시간동안 증착하게 되고 막히는 현상이 발생하게 된다. 목표한 두게까지 박막을 성장시키기 위해서는 장시간 공정이 필수이며 장시간 공정을 안정적으로 가져가지 위해서는 배기 라인의 막힘 현상을 해결하여야 한다. 본 논문에서는 막힘 현상의 진행을 시간에 따라 해석하였으며 장시간 공정을 진행하기위해 필요한 요소와 기구적으로 조치가 가능한 방법에 대해 작성하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.5
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• pp.383-393
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• 1998

Cadmium telluride films were grown by close-spaced sublimation(CSS) technique. The effects of various deposition parameters such as ambient pressure, source- to-substrate spacings and temperatures on the growth rate and the microstructure were investigated. The growth mode of CdTe films showed a transition as the ambient pressure changed. This transition was interpreted in terms of the diffusion limited transport and the sublimation limited transport of Cd and $Te_2$ vapors. Experimental results indicated that the transition of growth mode was related with the mean free path of gas molecules. The growth rate and the microstructure of CdTe films were affected by the source type- bulk or powder. This change was due to the temperature difference at the source surface. XRD and SEM analysis showed that the growth rate was one of the main factors to determine CdTe microstructures.