• Title/Summary/Keyword: 서수

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Strength of Vertical Joints in Large Concrete Panel Structures (대형 콘크리트 패널 구조의 수직접합부 내력에 관한 고찰)

  • 이용재;서수연;이원호;이리형
    • Proceedings of the Korea Concrete Institute Conference
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    • 1992.04a
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    • pp.95-98
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    • 1992

  • In large panel structures, the design of joints which interconnect panels, is important deciding the load-bearing capacity of structures. Being various factors in the design of joints, it is difficult to develop a the critical system for the structural analysis of large concrete panel structures. Therefore there is a tendency to depend on the experiment. The purpose of this paper is to investigate the strength and the mechanical behavior of vertical joints in large concrete panel structures.

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Bottom형 스핀밸브 GMR 소자의 씨앗층과 반강자성체 두께에 따른 의존성

  • 전동민;김병구;이정표;정근희;서수정
    • Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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    • 2002.12a
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    • pp.82-83
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    • 2002

  • Y-Mn 계열 반강자성체를 갖는 스핀 밸브의 경우에 씨앗층의 영향을 크게 받게 된다. 특히, (111) texture의 발달이 없는 경우에는 큰 교환결합자계를 얻을 수 없고 또한 공정후 열처리의 조건에 매우 크게 영향을 받음을 알 수 있다. Bottom형 교환 결합형 스핀밸브의 경우에 (111) texture의 향상을 위해 Cu 또는 NiFe와 같은 fcc 재료를 씨앗층으로 사용한다. (중략)

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The effect of magnetostatic bonding between layers on Magnetoresistance in the $Cr/Co/Al-O_x/Ni-Fe$ for tunnel junction structure

  • 이종윤;전동민;박진우;윤성용;백형기;서수정
    • Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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    • 2002.12a
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    • pp.70-71
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    • 2002

  • 터널 접합 소자은 절연층을 사이에 둔 두 강자성체로 이루어지는 데 두 강자성체의 서로 다른 보자력 차이로 인가해주는 자장의 방향에 기인한 spin들의 평행함과 반평행함에 의해 나타나는 자기 저항 현상을 이용한 것이다. 이 TMR 현상은 비휘발성, 고집적도, 적은 전력손실로 인해 차세대 RAM으로 사용될 것으로 보이는 MRAM 소자로써의 적용을 위해 연구 중에 있다. 그러나 TMR소자 공정중에서 비중이 큰 절연층 형성에서의 여러 요인의 개입으로 인해 고른 절연층 형성이 어려운 실정이다. (중략)

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Study on annealing of $Cr/Co/Al-O_x/Co/Ni-Fe$ Magnetic Tunneling junctions

  • 이종윤;전동민;박진우;윤성용;백형기;서수정
    • Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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    • 2002.12a
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    • pp.72-73
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    • 2002

  • MR(Magnetoresistance)현상이란 인가된 자장에 의해 저항이 변하는 현상이다. 이 현상은 여러 측면에서 연구되고 있고 그 중 TMR(Tunneling Magnetoresistance)현상은 sensor, head, memory device의 적용에 대한 연구가 진행 중에 있다. 특히 memory 소자 측면에서 MRAM은 현재 사용되고 있는 DRAM이나 SRAM들과는 달리 비휘발성과 기록밀도의 고집적 등 많은 장점을 갖는 소자로써 연구되고 있다. (중략)

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