• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.118-118
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• 1999

CVD방법에 의한 TiN 박막 형성에 있어서 ICP-CVD 방법이 대두되고 있다. 이것은 precursor에 대한 radical 형성, 식각된 패턴에서 양 벽의 self-shadowing 효과, 낮은 tress등으로 dense 한 박막을 얻을 수 있기 때문이다. TiN 박막은 Si 기판의 온도를 상온에서 50$0^{\circ}C$까지 유지하면서 TEMAT의 유량을 5-20sccm으로 변화시키면서 증착하였다. 증착 후 TiN 박막의 결정화에 따른 열처리는 Ar과 N2-가스분위기에서 in-situ로 증착하였다. 증착 후 TiN 박막증착 조건수립에 따른 플라즈마 특성진단은 전자의 온도와 밀도, 평균 전자밀도, 이온 에너지 분포, radical 분포, negative 이온분포 등으로 측정하였다. 플라즈마 변수에 따른 TiN 박막의 결정성과 상 변화는 XRD로 분석하였고, 조성비 및 TiN 박막의 원소화학적 상태, 결합에너지, 각 상에 따른 결합 에너지 천이정도, 초기 형성과정 및 반응기구 등은 RBS와 XPS로 조사하였다. TiN 박막의 표면상태, morphology 거칠기, TiN/Si(100)구조에서 계면상태 등은 SEM, AFM, 그리고 HRTEM으로 분석하였다. TiN 구조 박막의 비저항, carrier concentration 그리고 mobility 측정은 박막의 표면이 균일하고 bls-홀이 없는 것으로 하여 4-point probe 방법으로 측정하였다. 이들 분석으로부터 ICP-CVD 방법에 의하여 형성된 TiN 박막이 초고집적 반도체 소자의 contact barrier layer로서의 적용 가능성을 평가하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.15 no.6
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• pp.299-302
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• 2005

We investigated the structural md magnetic properties of Fe-Pt nanowires with linear and zigzag structures by using first-principle calculational methods. Structural degrees of freedom are optimized, the bond lengths and bond angles are determined, magnetic moments, spin density, and density of states are calculated. Results show that the zigzag structure is more stable than the linear one, and has a longer bond length and smaller magnetic moments for both Fe and Pt atoms.

• New Physics: Sae Mulli
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• v.68 no.11
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• pp.1183-1191
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• 2018

The plasmon behaviors in a superlattice of $GaAs/Al_xGa_{1-x}As$ multiple quantum wells with a half-parabolic confining potential due to different dielectric interfaces are studied under magnetic and electric fields perpendicular and parallel to the superlattice axis by using a previously published theoretical framework. From the density-density correlation functions by considering the intrasubband and the inter-subband transitions under the random phase approximation, we calculate the dispersion energies of the surface and the bulk states as functions of the composition of the multiple quantum well structure and of the magnetic field strength and the average electric field strength over the quantum well. The Raman intensities for various magnetic field strengths and average electric field strengths over the quantum well are also obtained as a function of the energy of the incoming light for these states.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.15 no.1
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• pp.7-11
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• 2005

A single slab in which one Ni(001) atom layer embedded between two of four Rh layers is considered to examine the oscillation of magnetic moment in each layer. The all electron total-energy full-potential linearized augmented plane wave(FLAPW) method was used to calculate the spin densities, magnetic moments, density of states(DOS), and the number of electrons within each muffin-tin(MT) sphere. The magnetic moment of the center layer Ni(C) in the system of 4Rh/Ni/4Rh is calculated to be 0.34${\mu}_B$, which is 40% have magnetic moment at the interface layers by strong band hybridization with Ni(C) when Ni(001) monolayers is inserted, and the magnetic moment shows a damped oscillation as we go from center Ni(C) layer to the surface Rh(S). From the calculated density of states, it is found that the Fermi level shifts inside the energy band of the Ni(C) in affection of Rh(001).

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.13 no.8
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• pp.643-650
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• 2000

Density-of-states effective mass(m*$_{d}$) and conductivity mass(m*$_{c}$)for Ge and Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$ are obtained by using 8$\times$8 k.p and strain Hamiltonians. It is shown that m*$_{d}$ and m*$_{c}$ for electrons in Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) and Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$/Ge(001) are much smaller than those for electrons in relaxed Ge mainly due to the increase of interaction caused by the strain between the conduction band and valence bands at the $\Gamma$ point. The lift of degeneracy in Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) and Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) makes m*$_{d}$ and m*$_{c}$ for holes smaller than those in relaxed Ge and results in the decrease of the interband scattering as well as interband scattering. The decrease of the interband scattering is more obvious in Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) because of its large splitting energy between the heavy hole and light hole band. Therefore, Ge/Ge$_{0.8}$/Sn$_{0.2}$(001) is expected to be good candidate for the development of ultra high-speed CMOS device.CMOS device.eed CMOS device.CMOS device.

• Journal of Welding and Joining
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• v.29 no.3
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• pp.19-26
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• 2011

본 논문에서는 액체의 표면장력을 이용하여 복수의 KGD 들을 웨이퍼 상태에서 일괄접합함으로써, 높은 수율의 삼차원적층칩을 빠른 생산성으로 제작할 수 있는, 고속 고정밀 접합기술인 자기조직화정합 (Selfassembly) 기술에 대해 소개를 하였다. 본 연구실에서 개발한 self-assembly 기술을 적용하여 5mm 각(角) 크기의 칩 500개를 1초 이내에 평균 $0.5{\mu}m$ 정도의 높은 정밀도로 8인치 웨이퍼상에 일괄접합시키는데 성공하였다. Self-assembly 기술에 의한 삼차원 칩 적층방식은, 기존의 pick-and-place 적층방식에서 높은 정밀도의 접합특성을 확보하는데 필요한 공정시간을 혁신적으로 단축하는 것이 가능하고, 웨이퍼 레벨에서 복수의 KGD 들을 일괄접합하는 것이 가능하므로, 향후 TSV 기술의 양산화를 실현하는데 적합한 고속 고정밀 접합 기술로서 기대가 크다. 현재 본 연구실에서는 두께가 $50{\mu}m$ 이하의 얇은 LSI 칩 및 메탈범프가 형성된 LSI 칩 등을 이용하여, self-assembly 기술에 의한 삼차원 적층형 집적회로 구현을 위한 접합기술을 개발 중에 있다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.2108-2109
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• 2008

매년 증가하고 있는 누전사고에 대한 대책수립을 위해 누전검출장치 및 누전조사작업을 시행하고 있지만, 대부분 전압변화 및 영상전류 및 z임피던스에 의한 계측이 주를 이루고 있다. 본 논문에서는 누전지역에서의 누설전류에 자속밀도 분포를 조사함으로 손쉬운 누전검출장비 개발 및 비접촉에 의한 누전검출장비 개발과 누전환경에서의 기초 연구자료를 제공하고자 정상선로에서의 자속밀도 분포 및 전압변화에 따른 자속밀도 분포를 조사하였다. 그 결과 정상도선에서는 거리변화에 따른 자속밀도가 감소하였으며, 이에 반해 침수된 누전지역에서는 자속밀도변화가 거의 없음을 확인할 수 있었으며, 전압 증가에 따라 누전지역의 전류값이 정상상태보다 더 크게 변화하는 것을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the EASDL Conference
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• 2008.10a
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• pp.15-29
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• 2008

"떡"을 대표로 하는 중국 밀 문화는 선사시기의 야생 식물 재배는 역사상의 가공과 이용으로부터 현대 사회의 정밀 가공, 더 깊은 가공의 광범위한 이용에 이르기까지 수천 년의 긴 역사과정을 거쳤다. 그러나 20세기말 이전까지만 해도 밀가루는 중국 사람의 주식 원료 구성에서 그다지 중요하지 않은 위치에 있었다. 하지만 분명해야 할 것은 어떤 종류의 곡물이 한 민족의 주식 원료 구성에서의 높고 낮은 비중이 결코 간단하게 그 사회 의미와 문화가치의 높고 낮음과는 동일시할 수 없다. 중국 사람의 밀 식용 역사가 바로 하나의 전형적인 사례이다. 선진(先秦)시기, 밀의 재배와 식용은 주로 식량 공급이 줄곧 긴장된 상태에 처해있는 각 정권의 "接濟靑黃"(구제식량)하는 전략적 물자였다. 그러나 선진(先秦)시기에서 밀은 경제가치가 아주 높은 곡물은 아니었다. 그 원인은 밀의 무(畝)생산량이 상대적으로 낮을 뿐만 아니라 종자의 수요량도 상대적으로 크기 때문이다. 묵은 곡식은 다 사용되고 새 곡식이 무르익지 않은 공백기에 있는(청황불접) 시기에 전략적 곡식의 사회와 정치 의미 외에 강한 적응성, 광범위한 분포와 낮은 단가가 또한 밀의 상대적 장점으로 될 수 있다. 밀의 경제와 문화가치는 주로 한대(漢代)이후 차츰 드러났다. 혁명적인 변화는 바로 가루 음식의 섭취와 계속적인 확대이다. 밀을 가루로 내어 식용한 후 차츰 기타 곡물의 편의식품 전통 공간을 대체하였고, 한대(漢代)의 딤섬류 식품 "한구(寒具)(고대에 곡물가루 튀김 음식물 현재의 타래떡 등)"에 사용되는 재료도 거의 밀가루를 사용하였다. 오늘날 중국 사람이 자랑으로 여기는 전통식품인 국수, 만두, 혼돈(餛飩), 포자(包子), 소맥(燒麥), 떡, 찐빵(饅頭), 고(糕) 및 공업화 식품인 과자, 빵, 라면, 햄버거 등은 모두 밀가루를 기본 원료로 사용하고 있다. 나아가서 더욱 정밀하고, 다양한 딤섬 종류도 밀가루를 기본 원료로 한 주요 무대이다. 20세기말 이후 밀 소비 인구가 계속 확대되는 추세였으며 높은 소비량은 밀의 재배 면적 확대와 재배지역 확장을 결정하였다. 밀 소비량은 중국 사람의 주식 원료 소비에서 이미 근근이 벼 뒤를 잇는 지위에 올랐다. 통계 자료에 따르면 1949년 중국 밀 면적은 2,185만 헥타르로, 전국 식량 작물 총 면적의 19.6%, 총 생산량 1,380만 톤으로 전국 식량 작물 총 생산량의 12.2%에 달한다. 1980년에 이르러 면적은 2,884만 헥타르로, 총 생산량은 5,416만 톤에 달하였으며, 각각 식량작물 총면적의 24.8%, 총 생산량의 17.0%를 차지하였다. 1981이후 중국 밀 생산량은 또한, 새로운 발전을 가졌으며, 주로 단위 면적 생산량이 비교적 크게 증가되었고 총 생산량도 큰 폭으로 증가되었다. 1981~1985년과 1976~1980년의 5년 평균치를 비교한 결과 재배 면적은 같았으나(단지 0.2%만 증가), 단위 면적당 생산량 및 총 생산량은 46% 증가하였으며, 연평균 증가율이 9.2%에 달하여 50년 이래에 증가 속도가 가장 빠른 시기였다. 비록 지금 중국인의 "배부르게 먹기"문제는 이미 기본적으로 해결되었으나 장기적으로 "배부르게 먹기"의 물질적 보장은 여전히 취약하다. 농사가 가능한 경지면적의 급속한 격감으로 단위 면적당 생산량의 압력을 증가되었다. 국가 표준에 따르면 품질이 좋은 밀은 "탄력이 강한 고품질 밀"과 "탄력이 약한 고품질 밀" 두 가지로 구분된다. 지금 중국 시장의 추세를 보면 밀 품종의 선택에서 주로 탄력이 강한 고품질 밀을 선택하는데 즉 글루텐량이 높고 탄력이 강하며 품질이 좋은 전문 용도에 사용되는 밀을 선택한다. 탄력이 강한 고품질 밀은 주로 빵, 라면, 만두 등 밀가루 탄력을 요구하는 음식을 만드는데 사용된다. 그 중에서 모든 빵은 탄력이 강한 고품질 밀을 사용하고 밀에 대한 품질 요구도 또한 높다. 빵가루의 품질을 높이기 위하여 일부 전문 밀가루 생산 공장에서는 국산 고품질 밀에 수입 고품질 밀을 첨가하여 사용한다. 만두가루를 가공할 경우도 고품질 밀을 첨가하여 밀가루의 품질을 높이고 음식을 맛을 증가한다. 일부 품질이 떨어진 밀에 대하여 고품질 밀을 첨가하여 내부의 품질을 개선하고 찐빵이나 기타 밀가루 음식으로 가공한다. 예를 들면 중국 동북 지역에서는 고품질 밀과 봄밀을 섞어 밀가루의 봄밀의 품질을 개선한다. 총괄적으로 밀에 대한 욕구는 계속 장기적으로 벼에 버금가는 위치를 유지할 것이며 고품질 밀에 대한 욕구는 더욱 강한 추세로 발전할 것이다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.13 no.2
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• pp.906-918
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• 2012

In this study, we compared with results simulated by EOS(Equation of State) using Peng-Robinson model and GERG-2004 model for estimating vapor pressure, latent heat of vaporation, liquid density, and binary isotherm vapor-liquid equilibrium on pure components composing natural gases. We obtained the simulated results that while EOS using GERG-2004 model is more accurate than EOS using Peng-Robinson model for estimating liquid density, but rather it is less accurate for estimating binary isotherm vapor-liquid equilibrium. On the other hand, the use of Costald model in EOS using Peng-Robinson model for increasing more accuracy to calculate liquid density is almost same as EOS using GERG-2004 model within the error of 1 % compared with experimental data. Also, we confirmed that on the estimation of binary isotherm vapor-liquid equilibrium, EOS using GERG-2004 model is more accurate than EOS using Peng-Robinson model, but they are almost same.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.4
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• pp.426-432
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• 1995

윤활제인 zinc stearate의 첨가량 (0~4wt%)을 변화시켜 U$O_{2}$분말의 겉보기밀도, 성형시의 분말입자간 마찰과 입자/다이벽 마찰간의 상관관계를 조사하였다. 소량의 윤활제 첨가시에는 U$O_{2}$분말입자간 박막의 윤활제 도포층이 형성되어 겉보기밀도가 증가한 반면 다량의 윤활제를 첨가한 경우에는 U$O_{2}$ 분말입자에 두꺼운 윤활제 도포층이 형성되고 미혼합된 윤활제가 존재하여 겉보기밀도는 감소하는 경향을 보였다. 윤활제를 첨가혼합한 상태에서 다이벽 윤활도포 유무에 따라 구한 U$O_{2}$ 성형체의 성형압력/성형밀도 자료로부터 분말입자간 마찰, 입자/다이벽 마찰 그리고 성형시 lubrication/inhibition등의 상대적 중요성을 조사하였다. 입자/다이벽 마찰에 의한 압력손실은 입자간 마찰에 의한 압력손실보다 크게 나타났다. 입자/다이벽 마찰에 의한 압력손실은 다이벽 윤활제 도포에 의해 최소화될 수 있지만 상대적으로 바람직하지 않은 성형시의 inhibition이 야기되는 것으로 나타났다.