칼코지나이드 소재는 주기율표 6족의 칼코젠 원소로 구성되는 이원계 이상의 화합물 반도체 이자 반금속으로 분류되는 소재이다. 칼코지나이드 소재는 상변화 특성 및 광변전환 특성으로 광 및 전기 메모리, 의료기기 및 광소자 등에 사용되고 있다. 최근 빠른 스위칭 특성 및 용액증착법으로 재료개발이 가능해짐에 따라 차세대 원천소재로 평가되어 전세계적으로 급격한 연구가 이루어지고 있으며 고유가로 인한 신재생에너지 등으로 활용분야가 확대되고 있다. 본 고에서는 칼코지나이드 소재의 핵심기술 및 특성, 주요기관의 최근 칼코지나이드 소재개발 동향, 연구개발 동향 및 발전전망에 대해 살펴보기로 한다.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.35D
no.12
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pp.75-82
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1998
Many multiplexing techniques are proposed for high storage densities in a volume hologram. In this paper, we present a hybrid angularly and spatially multiplexed volume holographic memory system. Multiple holograms are recorded by using reference and object waves with different incident angles and positions that are changed by step motors. A hologram is written by exposing the crystal with recording time schedule to the interference pattern of the object beam and a reference plane wave. Finally, we show experimental results of the storage of three layers of 300 multiplexed holograms in a LiNbO$_3$ : Fe crystal.
We fabricated a bistable TN LCD with 180$^{\circ}$ twist angle and confirmed that it has a fast switching response time and a high contrast ratio. We also investigated the effects of the amplitude and width of the reset and selection pulses on a bistable TN LC cell and the conditions of the bistability and the memory time. The range of d/p values showing the bistability is determinded for the pretilt angle according to the rubbing depth.
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2014.11a
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pp.405-408
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2014
유무선 인터넷이 보편화되고 이용이 확산되면서 금융권에서는 고객의 편의성 증진을 위해 영업점의 상당한 업무를 인터넷뱅킹과 모바일뱅킹 등을 이용하여 처리할 수 있는 IT환경을 제공하고 있다. 이러한 Endpoint 환경의 변화는 점점 더 지능화되고 있는 사이버 공격 기술로 보안 위협이 증대되고 있는 실정이다. 이를 해결하기 위한 방법 중의 하나로 본 연구에서는 Reverse sandboxing 기술과 화이트리스트 기반의 보안 기술이 내장된 커널 수준의 TSX(Trusted Security Extension)기술을 통하여 맬웨어가 감염된 상태에서도 안전하게 전자금융거래를 할 수 있는 Endpoint 환경을 제공한다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.97-98
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2007
In this paper, we analyzed the reset current variation of PRAM device with top electrode using the 3-D finite element analysis tool. As thickness of phase change material thin film decreased, reset current caused by phase transition highly increased. Joule's heat which was generated at the contact surface of phase change material and bottom electrode of PRAM was given off through top electrode to which was transferred phase change material. As thermal conductivity of top electrode decreased, heating temperate was increased.
Among the emerging non-volatile memory technologies, phase change memories are the most attractive in terms of both performance and scalability perspectives. Phase-change random access memory(PRAM), compare with flash memory technologies, has advantages of high density, low cost, low consumption energy and fast response speed. However, PRAM device has disadvantages of set operation speed and reset operation power consumption. In this paper, we investigated scalability of $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ chalcogenide material to improve its properties. As a result, reduction of phase change region have improved electrical properties of PRAM device.
Choi, Chanho;Park, Sehoon;Eom, Hyeonsang;Yeom, Heon Y.
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2012.11a
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pp.307-308
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2012
최근 서비스가 대규모화 되고 사용자 수와 시간 당 사용량이 폭발적으로 증가함에 따라 디스크 기반의 서버에서 메모리를 저장장치로 활용하는 인메모리 시스템이 개발되고 주목 받고 있다. 이러한 인메모리 시스템은 휘발성인 DRAM 을 사용하기 때문에 전력 공급이 차단되는 경우 크게 문제가 발생할 수 있는데, 이를 해결하기 위해서는 비휘발성 저장장치의 백업이 필수적이다. 본 논문에서는 비휘발성 저장장치 중 가장 저렴하고 일반적인 하드디스크를 활용하여 백업 시스템을 구축할 때, 디스크로 보내는 데이터를 최소화하면서도 디스크의 특성상 성능이 떨어지는 현상을 방지하기 위한 연구를 진행하였다.
Kim, Chung-Soo;Kim, Eun-Tae;Lee, Jeong-Yong;Kim, Yong-Tae
Applied Microscopy
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v.38
no.4
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pp.279-284
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2008
The phase change materials have been extensively used as an optical rewritable data storage media utilizing their phase change properties. Recently, the phase change materials have been spotlighted for the application of non-volatile memory device, such as the phase change random access memory. In this work, we have investigated the crystallization behavior and microstructure analysis of In-Sb-Te (IST) thin films deposited by RF magnetron sputtering. Transmission electron microscopy measurement was carried out after the annealing at $300^{\circ}C$, $350^{\circ}C$, $400^{\circ}C$ and $450^{\circ}C$ for 5 min. It was observed that InSb phases change into $In_3SbTe_2$ phases and InTe phases as the temperature increases. It was found that the thickness of thin films was decreased and the grain size was increased by the bright field transmission electron microscopy (BF TEM) images and the selected area electron diffraction (SAED) patterns. In a high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) study, it shows that $350^{\circ}C$-annealed InSb phases have {111} facet because the surface energy of a {111} close-packed plane is the lowest in FCC crystals. When the film was heated up to $400^{\circ}C$, $In_3SbTe_2$ grains have coherent micro-twins with {111} mirror plane, and they are healed annealing at $450^{\circ}C$. From the HRTEM, InTe phase separation was occurred in this stage. It can be found that $In_3SbTe_2$ forms in the crystallization process as composition of the film near stoichiometric composition, while InTe phase separation may take place as the composition deviates from $In_3SbTe_2$.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.260-260
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2009
초박형 절연막은 현재 다양한 전자소자의 제작과 향상을 위하여 활용되고 있으며, 일반적인 화학 기상 증착 방법으로는 균일도를 확보하기 어려운 문제점을 가지고 있다. 본 논문에서는 디스플레이의 구동소자로 활용되는 박막 트랜지스터의 특성 향상과 비휘발성 메모리 소자의 터널링 박막에 응용하기 위하여 초박형 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 증착과 이의 특성을 분석하였다. 실리콘 옥시나이트라이드 박막은 실리콘 산화막에 질소가 주입되어 있는 형태로 실리콘 산화막과 실리콘 계면상에 존재하는 질소는 터널링 전류와 결함 형성을 감소시키며, bulk 내에 존재하는 질소는 단일 실리콘 산화막에 비해 더 두꺼운 박막을 커패시턴스의 감소없이 이용할 수 있는 장점이 있다. 플라즈마 처리 기법을 이용하였을 경우에는 초박형의 균일한 박막을 얻을 수 있으며, 본 연구에서는 이산화질소 플라즈마를 이용하여 활성화된 질소 및 산소 라디칼들이 실리콘 계면을 개질하여 초박형 실리콘 옥시나이트라이드 박막을 형성활 수 있다. 플라즈마 처리 시간과 RF power의 변화에 따라 형성된 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 두께 및 광학적 특성은 엘립소미터를 통하여 분석하였으며, 전기적인 특성은 금속-절연막-실리콘의 MIS 구조를 형성하여 커패시턴스-전압 곡선과 전류-전압 곡선을 사용하여 평가하였다. 이산화질소 플라즈마 처리 방법을 사용한 실리콘 옥시나이트라이드 박막을 log-log 스케일로 시간과 박막 두께의 함수로 전환해보면 선형적인 증가를 나타내며, 이는 초기적으로 증착률이 높고 시간이 지남에 따라 두께 증가가 포화상태에 도달함을 확인할 수 있다. 실리콘 옥시나이트라이드 박막은 초기적으로 산소의 함유량이 많은 형태의 박막으로 구성되며, 시간의 증가에 따라서 질소의 함유량이 증가하여 굴절률이 높고 더욱 치밀한 형태의 박막이 형성되었으며, 이는 시간의 증가에 따라 플라즈마 챔버 내에 존재하는 활성종들은 실리콘 박막의 개질을 통한 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 두께 증가에 기여하기 보다는 형성된 박막의 내부적인 성분 변화에 기여하게 된다. 이산화질소 플라즈마 처리 시간의 변화에 따라 형성된 박막의 정기적인 특성의 경우, 2.3 nm 이상의 실리콘 옥시나이트라이드 박막을 가진 MIS 구조에서 accumulation과 inversion의 특성이 명확하게 나타남을 확인할 수 있다. 아산화질소 플라즈마 처리 시간이 짧은 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 경우 전압의 변화에 따라 공핍영역에서의 기울기가 현저히 감소하며 이는 플라즈마에 의한 계면 손상으로 계면결합 전하량이 증가에 기인한 것으로 판단된다. 또한, 전류-전압 곡선을 활용하여 측정한 터널링 메카니즘은 2.3 nm 이하의 두께를 가진 실리콘 옥시나이트라이드 박막은 직접 터널링이 주도하며, 2.7 nm 이상의 두께를 가진 실리콘 옥시나이트라이드 박막은 F-N 터널링이 주도하고 있음을 확인할 수 있다. 즉, 2.5 nm 두께를 경계로 하여 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 터널링 메카니즘이 변화함을 확인할 수 있다. 결론적으로 2.3 nm 이상의 두께를 가진 실리콘 옥시나이트라이드 박막에서 전기적인 안정성을 확보할수 있어 박막트랜지스터의 절연막으로 활용이 가능하며 2.5 nm 두께를 경계로 터널링 메커니즘이 변화하는 특성을 이용하여 비휘발성 메모리 소자 제작시 전하 주입 및 기억 유지 특성을 확보를 위한 실리콘 옥시나이트라이드 터널링 박막을 효과적으로 선택하여 활용할 수 있다.
Proceedings of the Korean Society for Agricultural Machinery Conference
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2017.04a
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pp.169-169
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2017
스마트 돈사 내의 열환경 분석에 필수적으로 고려되어야 인자는 가축의 복사 에너지 변화로 볼 수 있다. 열환경 제어의 대상이기도 하지만 회귀적으로 열환경 변화의 인자이기도 하다. 이러한 가축의 복사 에너지 분석을 위하여 시설 내에 용이하게 배포가 가능한 열화상 계측 시스템을 개발하였다. 초소형 마이크로 열화상 계측 시스템에 부가적으로 IOT(Internet of Thing) 기반 기술을 이용한 모듈화 개발을 병행하였다. 열화상 계측 센서로 LWIR(Longwave infrared)영역에 해당하는 $8{\mu}m{\sim}4{\mu}m$의 영역에서 $0.05^{\circ}C$의 분해능을 보이는 $Lepton^{TM}$ (500-0690-00, FLIR, Goleta, CA)모델을 사용하였다. SPI(Serial Peripheral Interface) 속도 2 Mhz로 마이크로프로세서(NanoPi NEO Air, FrendlyArm, CA, USA)와 고속 통신을 수행하여 9 Hz의 계측이 가능하다. 열화상 센서와 마이컴으로 구성되는 단위 계측 시스템의 통신 기능 확장을 위하여 다음과 같이 세 단계의 정보 전달 시나리오를 설계하였다. 1) 단독적으로 열화상을 계측 하고 내장된 메모리에 저장하는 형식 2) 인접한 사용자 인터페이스에서 1번 단독 모듈에 접속하여 열화상을 실시간으로 전송하여 화면에 도시하는 형식 3) 2번 사용자 도시모듈과 병행적으로 Local WI-FI 통신을 이용한 모바일 기기에 화면을 도시하는 형식. 이와 같은 계층적이며 모듈화된 계측 시스템을 구성하기 위해서 1번 모듈에 공개 소프트웨어인 Hostapd 2.5(http://w1.fi/hostapd)버전을 설치하였다. 외부 인터넷 환경이 없는 상황에 1번 모듈 단독으로 AP(Access Point) 기능을 제공하여 지근 거리에 있는 2번 모듈과 3번 모바일 기기의 접속을 관리할 수 있다. 2번 모듈의 경우 화면 다수의 1번 모듈에 접속을 교차적으로 수행하는 방식과 2번 모듈 자체가 AP가 되어 1번 모듈의 접속을 허용하는 형태로 구성되어 있다. 계측 시스템의 계측 매트릭스 구성에 따라 선택적으로 결정할 수 있다. 1번 2번 모듈 공통적으로 TCP/IP Listener와 Client 서비스를 병렬적으로 수행할 수 있도록 개발을 하였다. 3번 모바일 기기에서 사용자 인터페이스 구현을 위하여 범용 Android 기반 GUI 프로그램과 Socket 통신을 연동시켰다. 1개의 열화상 Frame의 전송량은 9,600 Byte ($=80{\times}60{\times}2Byte$) 로 WI-FI 통신 전송 시 2회 ~ 6회 정도 내외로 가변적인 통신 수행 횟수를 나타내었다. 센서 계측 시스템과 정보 전송 시스템을 병렬적으로 구성한 모듈화 된 계측시스템의 전 요소에서 센서에서 제공하는 최대 계측 주기인 9 Hz 구현이 일반적으로 가능하였다. 이를 이용한 추후 연구를 통해 가축 객체의 열복사 정보와 돈사 내 열환경 간의 역학성을 연구할 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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