• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.6
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• pp.354-361
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• 2012

The organic memory device was made by the plasma polymerization method which was not the dry process but the wet process. The memory device consist of the styrene and MMA monomer as the insulating layer, MMA monomer as the tunneling layer and Au thin film as the memory layer which was fabricated by thermal evaporation method. The I-V characteristics of fabricated memory device got the hysteresis voltage of 27 V at 40/-40 V double sweep measuring conditions. At this time, the optimized structure was 7 nm of Au thin film as floating gate, 400 nm of styrene thin film as insulating layer and 30 nm of MMA thin film as tunneling layer. Therefore we got the charge trapping characteristics by the hysteresis voltage. From the paper, styrene indicated a good charge trapping characteristics better than MMA. In the future, we expect to make devices by using styrene thin film rather than Au thin film.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.136-136
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• 2010

$Ge_2Sb_2Te_5$ (GST)는 광학 스토리지 및 PRAM(Phase-change Random Access Memory)에 적용 가능한 대표적인 상변화 물질이며 상변화 거동에 대한 다양한 연구가 진행되고 있다. 차세대 비휘발성 메모리로 각광을 받고 있는 PRAM의 경우 저전력 그러나 향후 고집적, 고성능 PRAM 소자구현을 위해서는 Reset 전류 감소를 통한 소비 전력 감소, 인접 셀간의 'cross talking'을 방지할 수 있는 열적 안정성 개선 등의 문제점들을 해결해야 한다. GST 물질의 전기적, 열적 특성을 조절하여 이러한 문제를 해결하기 위하여 GST 물질에 이종의 원소를 첨가하는 연구가 활발히 진행되고 있으며, 특히 질소 첨가에 의해 결정 성장 억제를 통한 결정화 온도 증가, 결정질의 저항 증가 등의 보고가 있었다. 본 연구에서는 질소를 첨가한 N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ (NGST) 박막의 상변화 거동을 규명하고 GST 박막과 비교하여 첨가된 질소의 영향을 분석하고자 한다. D.C Magnetron sputtering 방법으로 증착된 GST와 NGST 박막을 등온으로 유지하여 각 온도별로 열처리 시간 증가에 따른 비저항을 실시간으로 측정하여 GST와 NGST 박막의 상분율을 계산하고 Kissinger 모델을 이용하여 effective activation energy ($E_a$)를 구하였다. GST와 NGST 박막의 $E_a$는 각각 $2.08\;{\pm}\;0.11\;eV$와 $2.66\;{\pm}\;0.12\;eV$로 계산되었다. 따라서 첨가된 질소에 의해 NGST 박막의 결정화를 위하여 GST 박막의 경우보다 더 큰 활성화 에너지가 필요하다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.142-142
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• 2010

본 논문은 단결정 및 다결정 실리콘 기판 상에 아산화질소 플라즈마 처리를 통하여 형성한 초박형 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 특성과 이의 어플리케이션에 관한 것이다. 초박형 절연막은 현재 다양한 전자소자의 제작과 특성 향상을 위하여 활용되고 있으나 일반적인 화학 기상 증착 방법으로는 균일도를 확보하기 어려운 문제점을 가지고 있다. 디스플레이의 구동소자로 활용되는 박막 트랜지스터의 특성 향상과 비휘발성 메모리 소자의 터널링 박막에 응용하기 위하여 초박형 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 증착과 이의 특성을 분석하였고, 실제 어플리케이션에 적용하였다. 실리콘 산화막과 실리콘 계면상에 존재하는 질소는 터널링 전류와 결함 형성을 감소시키며, 벌크 내에 존재하는 질소는 단일 실리콘 산화막에 비해 더 두꺼운 박막을 커패시턴스의 감소없이 이용할 수 있는 장점이 있다. 아산화질소 플라즈마를 이용하여 활성화된 질소 및 산소 라디칼들이 실리콘 계면을 개질하여 초박형 실리콘 옥시나이트라이드 박막을 형성할 수 있다. 플라즈마 처리 시간과 RF power의 변화에 따라 형성된 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 두께 및 광학적, 전기적 특성을 분석하였다. 아산화질소 플라즈마 처리 방법을 사용한 실리콘 옥시나이트라이드 박막을 시간과 박막 두께의 함수로 전환해보면 초기적으로 증착률이 높고 시간이 지남에 따라 두께 증가가 포화상태에 도달함을 확인할 수 있다. 아산화질소 플라즈마 처리 시간의 변화에 따라 형성된 박막의 전기적인 특성의 경우, 플라즈마 처리 시간이 짧은 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 경우 전압의 변화에 따라 공핍영역에서의 기울기가 현저히 감소하며 이는 플라즈마에 의한 계면 손상으로 계면결합 전하량이 증가에 기인한 것으로 판단된다. 또한, 전류-전압 곡선을 활용하여 측정한 터널링 메카니즘은 2.3 nm 이하의 두께를 가진 실리콘 옥시나이트라이드 박막은 직접 터널링이 주도하며, 2.7 nm 이상의 두께를 가진 실리콘 옥시나이트라이드 박막은 F-N 터널링이 주도하고 있음을 확인할 수 있다. 결론적으로 실리콘 옥시나이트라이드 박막을 활용하여 전기적으로 안정한 박막트랜지스터를 제작할 수 있었으며, 2.5 nm 두께를 경계로 터널링 메커니즘이 변화하는 특성을 이용하여 전하 주입 및 기억 유지 특성이 효과적인 터널링 박막을 증착하였고, 이를 바탕으로 다결정 실리콘 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.11a
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• pp.106-107
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• 2007

A detailed investigation of cell structure and electrical characteristic in chalcogenide-based phase-change random access memory(PRAM) devices is presented. We used compound of Ge-Se-Te material for phase-change cell. Actually, the performance properties have been improved surprisingly then conventional Ge-Sb-Te. However, crystallization time was as long as ever for amorphization time. We conducted this experiment in order to solve that problem by doping-Sb with annealing.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.156-157
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• 2007

For tens of years many advantages of Phase-Change Random Access Memory(PRAM) were introduced. Although the performance improved gradually, there are some portions which must be improved. So, we studied new constitution of $Ge_1Se_1Te_2$ chalcogenide material to improve phase transition characteristic. Actually, the performance properties have been improved surprisingly. However, crystallization time was as long as ever for amorphization time. We conducted this experiment in order to solve that problem by doping-Sb.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.110-110
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• 2009

최근 차세대 비휘발성 메모리(NVM) 기술은 메모리의 성능과 기존의 한계점을 효과적으로 극복하며 활발한 연구를 통해 비약적으로 발전하고 있으며 특히, phase-change random access memory (PRAM)은 ferroelectric random access memory (FeRAM)과 magneto-resistive random access memory (MRAM)과 같은 다른 NVM 소자와 비교하여 기존의 DRAM과 구조적으로 비슷하고 상용화가 빠르게 진행될 수 있을 것으로 예상되는 바, PRAM에 사용되는 상변화 물질의 식각을 수행하고 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 통해 표면의 열화현상을 관찰하였다.

• Proceedings of the Acoustical Society of Korea Conference
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• autumn
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• pp.119-122
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• 2000

본 논문에서는 MPEG-2 AAC 디코더를 고정소숫점 DSP 프로세서로 구현할 때 연산 구조에 따른 연산량 및 메모리 소요량 등의 측면에서의 최적 구현구조를 도출하고자 하였다. 이를 위하여 본 논문에서는 AAC의 주요 기능블록들인 inverse quantizer, predictor, TNS, IMDCT/Windowing등을 대상으로 연산 비트수 및 데이타 표현 구조에 따른 디코더의 성능 변화를 시뮬레이션 한 후 이를 통해 얻어진 결과를 적용하여 16 비트 Teaklite DSP 프로세서 상에서 AAC 디코더를 구현하였다. 구현한 디코더는 일정수준의 음질을 유지하면서도 경제적인 메모리 소요를 보였으며 실시간으로 동작하는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.253-253
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• 2010

유리 기판 상에 시스템 온 패널과 같은 차세대 디스플레이 구현과 평판형 디스플레이의 문제점 해결을 위하여 비휘발성 메모리 소자 등의 전자 소자 집적화와 빠른 구동 속도를 가진 박막트랜지스터가 요구된다. 본 논문에서는 비휘발성 메모리 소자에서 MONOnS 각 layer층의 두께 따른 특성에 대한 연구를 진행하였다. 실험은 ONO 구조를 12.5nm/35nm/2.7nm, 12.5nm/20nm/2.3nm, 8.5nm/10nm/2.3nm, 6.5nm/10nm/1.9nm 의 두께로 증착하였다. ${\Delta}VFB$, Retention time, capacitance을 측정하여 oxide/Nitride/Oxynitride 층의 두께 변화를 통해 최적화된 tunneling layer와 charge storage layer, 그리고 blocking layer의 두께를 알 수 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2009.10a
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• pp.589-591
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• 2009

본 논문에서 제안하고 있는 RT-WISN(Real Time-Wireless Image Sensor Network)는 과거의 무선이미지 전송 기술에 비해 적은 전력을 소모하고 빠른 전송이 가능하게 하는 기술이다. 제안된 RT-WISN은 IEEE802.15.4 표준을 따르고 있으며, 현재 본 연구실에서 개발하고 있는 UoC(Ubiquitous on Chip) 메모리 구조를 응용하여 사용하고 있다. 본 논문에서 제안하고 있는 RT-WISN은 전송하고자 하는 대상이 되는 영상정보의 움직임 변화를 영상 전송 임계값 값을 사용하여 데이터 전송 시기를 결정함으로써 기존의 시스템에 비해 노드의 에너지를 보다 효율적으로 관리할 수 있는 기법 이다. 또한 본 논문에서는 제안된 전용 프로세서를 사용하여 보다 넓은 대역폭에서 필요한 영상 데이터를 효율적으로 전송할 수 있어 전송 시간 제어에 보다 용이함을 제공 한다. 무선센서 네트워크에서 이런 점들은 각 노드들의 생존 시간을 향상하게 되고, 고속의 전송이 가능하게 하는 장점으로 작용하게 된다. 본 논문에서는 Peer-to-Peer 상에서 실제 설계된 메모리 구조를 사용하여 이미지를 무선으로 전송하고 그 전송 시간과 도달률을 측정하여 RT-WISN이 무선 센서 네트워크에서의 검출된 영상 정보의 전송에 적합함을 보인다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.17 no.5
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• pp.34-40
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• 2000

최근 CNC에는 또 하나의 전기를 마련할 수 있는 여러 가지 새로운 이슈들이 등장하고 있다. 첫 번째 이슈는 고도로 발달해가고 있는 반도체 산업의 영항으로 CPU의 속도가 기하급수적으로 달라지고 있고 메모리 용량이 상상을 초월할 정도로 급속한 발전을 거듭하고 있다. 이런 환경 속에서 자연스럽게 CNC도 성능이 우수한 하드웨어와 그 성능에 어울리는 고급 소프트웨어 탑재가 요구된다. 두 번째 이슈는 기존의 공작기계에서 생각하지 못했던 개념의 변화이다.(중략)