Flavonoid는 거의 모든 야채와 과일에 함유된 주요한 구성 성분이며 flavonol은 flavonoid 그룹 중 하나로 우리가 식품으로 섭취하는 대표적인 성분으로는 kaempferol과 quercetin이 알려져 있다. kaempferol과 auercetin은 퇴행성질병의 예방에 효과가 있다고 알려져 있어 식품 첨가물로 사용되고 있다. 본 연구의 목적은 항산화제로도 알려진 kaempferol과 quercetin을 이용하여 다양한 농도에서의 소의 폐혈관내피 세포주에 대한 각각의 산화스트레스 보호효과와 두 가지 물질의 동시 처리 시에 나타날 수 있는 상승효과를 밝히기 위함이다. 1 mM의 $H_{2}O_{2}$를 처리하여 산화스트레스를 가한 세포나 가하지 아니한 세포에서나 모두 kaempferol과 quercetin의 처리로 세포의 활성도가 높았다. 그러나 특히 산화스트레스를 가한 세포에서 항산화물의 산화스트레스 극복효과가 현저하게 나타났다. 항산화물의 농도가 고농도의 경우 오히려 증가된 세포활성도가 저하되는 반응을 보여 너무 높은 농도의 처리는 오히려 항산화효과를 억제할 수 있음을 알 수 있었다. 일반적으로 우리가 섭취하는 식품에는 kaempferol과 quercetin이 함께 포함되어 있으므로 이 두 가지 물질을 일정 비율로 서로 섞은 다음 산화스트레스 처리와 함에 처리하여 조사한 결과 단독으로 처리한 결과와 달리 고농도 조건에서도 세포활성도가 아주 높게 나타났다. 이상의 결과에서 항산화물은 생체에서 일어날 수 있는 많은 산화스트레스 상태를 완화시킬 수 있으나 가장 우수한 효능을 나타낼 수 있는 적정 농도의 조사가 중요하며 특히 각각의 항산화물을 단독으로 사용하는 것 보다 함께 사용하는 것이 상승효과를 나타낼 수 있음을 알 수 있었다.
탄소/탄소 복합재의 산화 저항성을 개선시키기 위하여 aluminum iso propoxide및 aluminum tri sec butoxide졸을 2D-탄소/탄소 복합재에 도포하여 산호 억제층으로서의 효과를 관찰하였다. 촉매/알콕사이드의 몰비가 0.07, 물/알콕사이드의 몰비가 100일때의 산화 억제효과가 양호했으며, 승온속도를 $20^{\circ}C$/min로 하여 승온분석시험한 결과는 도포시편이 $80^{\circ}C$ 정도의 산화 개시온도가 20%감소되는 시간을 측정한 TGA분석에서는 도포시편이 20% 정도의 산화 저항성 개선효과를 나타냈다. 도포막의 두께는 1회 도포막이 3${\mu}$m, 2회 및 3회 도포막이 4-5${\mu}$m 정도였고, 열충격 시험은 횟수에 따라 산화량이 증자하였다. 5% 전환률에서의 도포하지 않은 시편의 활성화 에너지는 33.2Kcal/mole이었으며 도포시편의 활성화 에너지는 37.1Kcal/mole이었다.
Linoleic acid 1% 완충용액에 3종의 phenolic acid류, 즉 caffeic acid, ferulic acid, vanillic acid 및 인삼 추출물에 대한 산화방지 효과를 비교물질로 ${\alpha}-tocopherol$을 사용하여 MDA (malondialdehyde) 정량법과 headspace oxygen analysis로 측정 비교 하였다. MDA 생성량으로 비교한 산화방지 효과는 $caffeic\;acid{\geq}ferulic\;acid>{\alpha}-tocopherol>$인삼 추출물>vanillic acid 순으로 나타났으며, 이때 산화저해율은 각각 63.5, 62.9, 52.3, 51.2, 5.6% 이었다. 첨가된 인삼 추출물의 농도는 700 ppm, 그외 phenolic aicd류 및 ${\alpha}-tocopherol$의 농도는 각각 100 ppm 이었다. 또한 인삼 추출물에 caffeic acid와 ${\alpha}-tocopherol$을 각각 100 ppm 첨가한 결과 91.2%의 산화저해율을 나타내었다. Headspace oxygen analysis 에 따른 결과에서는 MDA 생성량으로 비교한 산화방지 효과와 유사한 경향으로 나타났으며, ferulic acid>caffeic acid>${\alpha}-tocopherol$>인삼 추출물>vanillic acid의 순 이었고, 이때의 headspace 중 산소 함량은 18.56, 17.78, 17.17, 16.65, 15.95%로 각각 나타났다.
본 연구에서는 광촉매 반응과 막분리 기술을 접목시킨 혼성 고도 정수처리 공정에서 소독 부산물의 전구체로 알려진 자연산 유기물을 효과적으로 제거하고자 하였고 다양한 운전 조건에서 시스템의 성능을 비교 평가하였다. 자연산 유기물은 흡입여과 방식의 분리막과 TiO$_2$ 광촉매를 이용하여 광분해하였을 때 광촉매 투입량의 증가에 따라 반응속도가 증가하였지만 과량의 촉매 주입시에는 반응 속도 향상에 오히려 부정적으로 작용하였다. 자연산 유기물을 보다 효과적으로 제거하기 위해 산화철 주입, TiO$_2$ 표면처리, 분리막 표면코팅을 시도하여 제거특성 및 운전에 따른 막여과 특성을 평가하였다. 산화철 주입은 초기에 흡착작용으로 인해 제거율 증가를 보였으나 반응이 진행됨에 따라 산화철 입자에 의한 광산란으로 광분해 효율이 오히려 감소되었다. 산화철 입자에 의한 광산란을 제어하고자 TiO$_2$ 표면을 광처리와 열처리 방법을 이용해 철을 직접 부착시킨 경우 긍정적인 효과를 얻지 못했다. 그러나 산화철로 막표면을 코팅하여 광산란 효과를 배제시킨 경우에는 향상된 결과를 보였다 막투과 플럭스 15 L/$m^2$-h에서 정밀여과를 수행하였을 때 TiO$_2$나 산화철에 의한 막오염은 거의 일어나지 않았고 안정된 막투과도를 나타내었다.
신선 돈육을 준비하여 두 가지의 conveyer 이동 속도(10과 20 Hz)로 전자선을 조사(3.0 과 5.0 kGy)한 후 저장 중 돈육의 지방 산화와 일반 세균 그리고 중온균의 증식 억제를 비교하여 측정하였다. 본 실험 결과를 종합하여 볼 때 전자선의 처리는 확실하고 뚜렷한 살균 효과가 있는 것으로 밝혀졌으며 대체적으로 3.0 보다는 5.0 kGy 처리육의 살균 효과가 훨씬 우수하였다. 지방의 산화는 전자선 조사에 의해서 촉진되는 것으로 확인되었기 때문에 전자선을 돈육에 활용하려면 전자선 처리에 의한 지방의 산화를 억제해야 하는 필요성이 절실하게 대두되고 있다. 전자선의 conveyer이동 속도를 10에서 20 Hz로 증가시켰을 때 살균 효과가 감소한다는 사실은 의외의 결과이나 전자선의 조사가 대조구에 비해 일반세균과 중온균의 증식은 억제하였다. 한편 conveyer 이동 속도를 10에서 20 Hz로 증가시킨 경우 돈육의 산화가 억제된다는 사실은 매우 고무적이며 전자선 처리에 의한 살균 효과를 식육에서 극대화하기 위하여는 본 실험에서 확인된 전자선 주사 속도의 증가에 의한 항산화 작용 이외에 더 추가적으로 탈기 변형 포장 방법 등을 도입하여 산화를 더욱 억제하여야 할 것으로 생각된다.
해양에서 분리한 Streptomyces sp. BH-405의 배양액으로부터 정제하여 얻은 항산화 활성이 우수한 획분 band 2 에 대하여 사람 Low Density Lipoprotein(LDL)의 산화 억제 효과에 대하여 실험하였다. Streptomyces sp. BH-405의 배양액으로부터 분리 정제한 획분 band 2는 LDL에 대한 $5\mu\textrm{m}$$CuSO_4$ 의 유도 산화를 측정한 결과 100 및 200 $\mu\textrm{g}$/mL에서 LDL의 산화억제 효과가 높았다. 그리고, band 2를 이용한 macrophage 및 J774 유도 LDL의 수식에 대한 항상화 효과도 native LDL에 비하여 높았다. 이때 같은 농도의 band 2를 첨가하여 산화 LDL의 전기영동의 이동거리를 측정한 결과 native LDL보다는 약간 높았으나 Oxid LDL의 대조군보다는 이동거리가 낮으며 공액2중결합의 생성억제 효과도 있었다. 사람 LDL의 산화에 대하여 macrophage 및 내피세포를 이용하여 125I-LDL 산화에 대하여 band 2를 각각 100 및 200 $\mu\textrm{g}$/mL씩 첨가하여 실험한 결과 사람 LDL의 분해는 대조구보다 낮았으며 용량 의존형의 결과를 나타내었다.
마그네슘은 나트륨, 알루미늄과 함께 지구상에서 가장 풍부한 금속 중 하나로서 밀도가 약 $1.74g/cm^3$으로서 구조용 금속재료 중 가장 가볍고 우수한 비강도를 지니고 있으며, 우수한 열전도도, 전기전도도, 전자파 차폐능을 지닌다. 최근 마그네슘 및 그 합금은 항공기, 자동차, 전자제품, 기계류 및 생활용품 등에 쓰이고 있으며, 사용량 및 적용범위가 매년 급격히 증가되고 있는 추세이다. 그러나 마그네슘합금은 매우 낮은 표준 환원전위와 치밀하지 못한 표면 산화막으로 인하여 부식에 대한 저항성이 매우 취약하다는 한계를 가지고 있다. 따라서 마그네슘합금의 표면처리 가운데 부식에 대한 저항성을 보완할 수 있는 방법은 활발한 마그네슘합금의 응용에 필수적이다. 이러한 마그네슘합금의 내식성을 향상시키고자 전기화학적 플라즈마 전해 산화처리 (Plasma Electrolytic Oxidation)를 하게 되는데, 아노다이징, 화성피막처리 등 과 같은 기존의 산업적 표면처리 방안으로는 불가능한 수준의 표면경도를 확보할 수 있을 뿐만 아니라 두꺼운 산화피막 형성을 통해 이들 합금이 가진 기본적 취약점인 내식성 문제를 보완할 수 있는 장점이 있지만, 다공성 산화피막 형성만으로 기대할 수 있는 내식성 향상 효과가 매우 크지는 못하다. 따라서 다공성의 양극산화피막의 단점, 즉 다공성 물질로 부식성 물질의 이동을 허용할 수 있는 공간을 가지는 구조를 개선시킬 수 있는 추가적인 처리를 필요로 한다. 본 연구에서는 발수성 표면처리를 이용하여 다공성 구조물의 표면이 물에 대한 저항성을 가지도록 함으로써 초발수성 표면을 구현하고자 하였다. 이러한 방법은 기존의 후처리 방법인 봉공처리로는 얻을 수 없었던 다공성 구조물로의 부식성 물질의 침투를 억제할 수 있었으며, 상당한 수준의 내식성 향상 효과를 보여주었다. 또한 물에 대한 반발성은 표면에 물의 이동성을 높이는 효과를 보여주며 이로 인하여 자기세척 효과도 보여주었다.
들기름의 산화안정성 향상을 위해 primary antioxidant로 이용한 몇 가지 상업용 레시틴에 토코페롤, 구연산, ascorbyl palmitate 등의 항산화제 및 상승제를 첨가하여 들기름의 산화방지 효과 및 상승효과를 AOM 시험과 OVEN 시험에 의하여 비교 연구하였다. AOM시간이 2시간인 들기름에 5%의 상업용 레시틴을 첨가했을 때 우제유사(迂製油社) I 제품만이 8시간인 것을 제외하고 AOM 시간이 16시간인 정제 대두유의 유도시간 보다 길었다. 레시틴의 종류 및 농도에 따른 AOM 시험 조건에서의 산화안정성과 $60,\;37^{\circ}C$ OVEN 시험에서의 산화안정성은 유사한 실험결과를 나타냈다. 토코페롤은 일반 유지의 경우와는 다르게 ${\gamma}-rich-tocopherol$이${\dalta}-rich-tocopherol$과 mixed tocopherol를 첨가한 경우 보다 항산화 효과가 우수하였다. 또한 들기름에 레시틴의 첨가량을 증가할 수록 유도시간이 증가되었으며 레시틴에 대한 토코페롤, 구연산, ascorbyl palmitate의 혼합물은 상승효과가 인정되었다.
고유전율 절연체의 한 종류인 산화알루미늄 박막을 전자빔 증착법으로 형성하는 과정에서 산소 이온 빔의 조사를 이용, 산소 이온 빔 보조 증착 효과를 기대하였다. 산소 이온 보조 증착법으로 형성된 산화 알루미늄 박막의 두께 측정 결과, 높은 에너지에서의 이온 빔에 의한 식각 효과를 확인할 수 있었으며, 산소 이온 보조 증착 결과보다 높은 커패시턴스 값도 관찰할 수 있었다.
반도체 트랜지스터의 집적화 기술이 발달하고 소자가 나노미터 크기로 집적화 됨에 따라 문턱 전압의 변동, 높은 누설 전류, 문턱전압 이하에서의 기울기의 열화와 같은 단 채널 효과가 문제되고 있다. 이러한 문제점들은 비 휘발성 플래시 메모리에서 메모리 윈도우의 감소에 따른 retention 특성을 저하시킨다. 이중 게이트 구조의 metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs)은 이러한 단 채널 효과 중에서도 특히 문턱 전압의 변동을 억제하기 위해 제안되었다. 이중 게이트 MOSFETs는 상부 게이트와 하부 게이트 사이의 capacitive coupling을 이용하여 문턱전압의 변동의 제어가 용이하다는 장점을 가진다.기존의 플래시 메모리는 쓰기 및 지우기 (P/E) 동작, 그리고 읽기 동작이 채널 상부의 컨트롤 게이트에 의하여 이루어지며, 메모리 윈도우 및 신뢰성은 플로팅 게이트의 전하량의 변화에 크게 의존한다. 이에 따라 메모리 윈도우의 크기가 결정되고, 높은 P/E 전압이 요구되며, 터널링 산화막에 인가되는 높은 전계에 의하여 retention에서의 메모리 윈도우의 감소와 산화막의 물리적 손상을 초래하기 때문에 신뢰성 및 수명을 열화시키는 원인이 된다. 따라서 본 연구에서는, 상부 게이트 산화막과 하부 게이트 산화막 사이의 capacitive coupling 효과에 의하여 하부 게이트로 읽기 동작을 수행하면 메모리 윈도우를 크게 증폭시킬 수 있고, 이에 따라 동작 전압을 감소시킬 수 있는 이중 게이트 구조의 플래시 메모리를 제작하였다. 그 결과, capacitive coupling 효과에 의하여 크게 증폭된 메모리 윈도우를 얻을 수 있음을 확인하였고, 저전압 구동 및 신뢰성을 향상시킬 수 있음을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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