열처리 효과가 질소이온주입후에 성장시킨 산화막의 $Q_{BD}$ 특성에 미치는 영향
(Annealing Effects on $Q_{BD}$ of Ultra-Thin Gate Oxide Grown on Nitrogen Implanted Silicon)
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- 대한전자공학회논문지SD
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- 제37권3호
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- pp.6-13
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- 2000