• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.451-451
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• 2014

중고온 열전재료로서의 응용 가능성이 높은 HMS (higher manganese silicide)는 높은 제백계수, 낮은 전기저항, 높은 산화 저항성뿐만 아니라 구성 원소가 풍부하며 친환경적인 열전재료이다. HMS는 주로 용해/응고법, 단결정 성장법에 의해 합성되지만, 구조적인 불균질성 및 많은 합성 에너지를 소비하는 단점이 있다. 또한 진성 HMS는 비교적 낮은 열전특성을 나타내기 때문에 도핑에 의한 열전특성의 개선이 필요하다. 본 연구에서는 HMS의 한 종류인 MnSi1.73에 Cr을 도핑한 화합물 MnSi1.73:Crx (x=0, 0.005, 0.01, 0.02, 0.03)를 고상반응(solid state reaction)과 진공 열간압축성형(hot pressing)을 통해 제조하였다. XRD와 Rietveld refinement를 통해 상변화 및 상분율을 분석하였고, 323~823 K까지 전기적 및 열적 특성을 측정하여 열전 성능지수(ZT)를 평가하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.6
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• pp.618-625
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• 1996

고주파 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron sputtering)법을 이용하여 자동차유리 성에 제거용 주석첨가 인듐산화물(indium tin oxide;ITO) 투명저항박막의 증착과 그 전기 및 광학 특성을 연구하였다. 기판온도는 A, T.-30$0^{\circ}C$, O2/(Ar+O2)비는 0-0.3로 변화시키며 실험하였다. 기판온도가 높아질수록, 그리고 O2/(Ar+O2)비가 높아질수록 박막의 증착속도는 감소하였다. 또한, 기판온도가 높아질수록 In2O3(400) 방향의 결정성은 감소하고, In2O3(222)와 (400) 피크만이 잔존하였다. 기판온도가 높아질수록 가시광영역의 광투과도는 향상되었고, 면저항은 20$0^{\circ}C$까지는 감소하였으나 20$0^{\circ}C$이상에서는 거의 일정하였으며, 결정립 크기는 온도가 높아질수록 증가하였다. 박막의 면저항은 O2/(Ar+O2)비가 0.1에서는 감소하고, 그 이상에서는 증가하였으며, 광투과도는 O2/(Ar+O2)비에 거의 영향을 받지 않았다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.35 no.3
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• pp.259-263
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• 1998

WSi2/CVD-Si/SiO2/Si-substrate의 폴리사이드 구조에서 실리콘 증착 POCl3 확산 그리고 WSi2 증착 유무에 따른 Thin oxide 특성을 연구했다 WSi2 막을 증착하지 않은 CVD-Si/SiO2/Si-substrate 구조에서 CVD-Si을 po-lycrystalline-Si으로 증착한 시편이 amorphous-Si을 증착한 시편보다 산화막 불량이 적다 WSi2 를 증착시킨 WSi2/CVD-Si/SiO2./Si-substrate의 구조에서 CVD-Si의 polycrystalline-Si 혹든 amorphous-Si 의 막 증착에 따른 thin oxide의 불량율 차이는 미미하다 산화막 불량은 CVD-Si에 확산시킨 인(P) 증가 즉 면저항(sheet resistance) 감소로 증가한다. Thin oxide의 절연특성은 WSi2 증착으로 저하된다 WSi2 증착으로 산화막 두께는 증가하나 막 특성은 열등해져 산화막 절연성이 떨어진다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.202-202
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• 2010

불순물이 첨가되는 이원계 및 다원계 투명전도성 산화막들은 불순물의 첨가량에 따라서 전기적 그리고 광학적 특성의 변화를 나타낸다. 조성비에 따른 특성 변화를 조사하기 위하여 산화아연 타겟과 산화갈륨 타겟을 이용하여 혼합 스퍼터링 방식을 이용하여 인듐, 갈륨 등이 소량 첨가된 산화아연막(IGZO)을 증착하였다. Triple Co-sputter의 인가 전력을 변화시켜 가면서 박막 구성 원소들의 성분비 변화에 따른 전기적 그리고 광학적 특성을 조사하였다. 증착된 박막들은 조성비에 따라 전기적 그리고 광학적 특성이 변화되는 것을 확인하였다. 실온에서 유리기판 위에 증착된 박막은 저항률이 $2^*10^{-3}\;{\Omega}-cm$의 전기적 특성을 보였고, 투과도가 400~800nm 파장 범위 내에서 80% 이상의 광학적 특성을 보였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.151-151
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• 2013

최근 반도체 및 디스플레이 산업에서의 플라즈마 공정의 중요성은 점점 증대되고 있다. 특히, 반도체/LCD 제조공정에서의 Dry Etch공정은 디스플레이용 유리 위에 형성된 산화막, 금속입자, 박막, 및 Polymer와 같은 불순물들을 플라즈마를 이용하여 제거하는 공정이다. 플라즈마 공정을 진행하는 동안 몇 가지 문제점들이 이슈가 되고 있다. Etch공정에서는 활성 부식가스를 많이 사용하고 장시간 플라즈마에 노출되기 때문에, 진공부품들은 플라즈마에 의해서 물리적인 이온충격(Ion Bombardment)과 화학적인 Radical 반응에 의한 부식이 진행된다. 부식영향에 의해 챔버를 구성하고 있는 부품에서 균열이 발생하거나 오염입자들이 떨어져 나오게 된다. 발생한 오염입자들은 산업용 플라즈마 공정에서 매우 심각한 문제가 되고 있다. 본 연구에서는 산화막의 부식 저항특성을 측정할 수 있는 평가방법에 대하여 고찰하였고, 표준화된 데이터로 비교분석할 수 있도록 평가기준과 규정화된 피막평가방법을 연구하였다. 또한, 산화막의 특성에 따른 플라즈마 상태, 오염입자 발생 등 플라즈마 공정을 진단하여 부품재료의 수명을 예측하고, 신뢰성 있는 평가방법에 관한 연구를 하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.13 no.2
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• pp.88-92
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• 2003

The correlationship between heat treatment condition and electrical properties of the Mn-Co-Ni oxide NTC thermistor for fuel level sensor was investigated by the X-ray diffractometry, density measurement, and electrical properties measurement such as resistivity, B constant, and thermal dissipation constant. It was shown that the heat treatment of NTC thermistor was responsible for sinterability of Mn-Co-Ni oxide. The highest density of 5.10 g/㎤ was obtained at $1250^{\circ}C$, 2 hours, at which the densification was almost completed. This is also manifested from the microstructural observation. It is found that the electrical resistivity and B constant are increased at the elevated sintering temperatures. The NTC specimens prepared in this study showed the conventional decrease of resistance with the measured temperature and the linear behavior of output voltage with fuel levels. Therefore, the electrical properties of thermistor were closely correlated with sintering condition. and the Mn-Co-Ni oxide thermistor prepared in this study has a great possibility enough to apply for an automobile fuel level sensor.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.9 no.4
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• pp.463-468
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• 1998

When sulfuric acid was added in HCl etching solution, corrosion of aluminum metal was inhibited by the chemical adsorption of sulfate ions. In the presence of $SO_4^{-2}$, cyclic voltammetry showed that the protective oxide film was formed on the inner surfaces of etch pits and, pit density was increased by nucleation on both the aluminum surface and the pits inside. Structure and distribution of etch pits found in AC etching of aluminum were strongly influenced by the concentration of $SO_4^{-2}$ and the amount of cathodic pulse charging. Below $0.8mC/cm^2$ of cathodic pulse charging, oxide films formed inside actively dissolving pits indicated the higher resistance to pit nucleation as the concentration of $SO_4^{-2}$ increases. However, the structural change of oxide films occurred above the $0.8mC/cm^2$ charging and the effect of $SO_4^{-2}$ was minimized, and it resulted in the rapid formation of etch pits.

• The Korean Journal of Pesticide Science
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• v.2 no.2
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• pp.75-82
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• 1998

This study was conducted to find out the biochemical or metabolic resistance mechanism of brown planthopper (BPH) to carbofuran. Differences between resistant ($LD_{50};\;20.3{\mu}g/g$) and susceptible strains($LD_{50};\;0.3{\mu}g/g$) were shown. The amounts of carbofuran metabolite, benzofuranol, and the origin, not developed by Thin Layer Chromatography, were much more in the susceptible strain. But the mother compound, carbofuran, was much more in the resistant strain. The tendencies of metabolism one and three hours after treatment were similar in both strains except for the amounts of metabolites described above. From the study, it is supposed that hydrolytic enzyme, esterase, changes its role from cleaving the esteric bond of carbofuran to making conjugates with carbofuran. This seems to be the main resistance mechanism of BPH to carbofuran. Oxidase and transferase may play little or no role in resistance mechanism. Oxidative and transferring enzymes gave no effects on the metabolism of carbofuran in the resistant strain compared with the susceptible strain.

• Journal of Hydrogen and New Energy
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• v.20 no.6
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• pp.455-463
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• 2009

코발트 보호막 코팅이 적용된 페라이트계 스테인리스 스틸인 STS 430과 STS 444 소재에 대해 고체산화물 연료전지용 금속연결재로서의 고온 산화 특성에 대해 살펴보았다. 코발트 코팅층은 $800^{\circ}C$ 고온 산화 후 코발트 산화물 및 $Co_2CrO_4$, $CoCr_2O_4$, $CoCrFeO_4$ 등과 같은 코발트가 함유된 스피넬 상을 형성하였다. 또한 페라이트계 스테인리스 스틸과 코발트 코팅의 계면에서 크롬과 철이 함유된 치밀한 산화층을 형성하여 금속연결재 표면의 스케일 성장속도를 감소시키고 금속연결재 내에 함유된 크롬의 외부 확산을 효과적으로 억제하였다. 한편 STS 430은 고온 산화 후 표면에 형성된 스케일 하부에 $SiO_2$와 같은 내부 산화물이 형성된 반면 STS 444는 표면 스케일 이외에 다른 내부 산화물은 확인되지 않았으며 고온에서의 면저항 측정 결과, 코발트가 코팅된 STS 444의 전기 전도성이 STS 430 보다 우수한 것으로 나타났다.

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.9 no.4
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• pp.355-363
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• 2009

Increased oxidative stress by abnormal mitochondrial function can damage cell signal transduction and gene expression, and induce insulin resistance or diabetes. Autophagy, however, improve insulin resistance by clearance of malfunctioning mitochondria. Exercise also recovers the muscle dysfunction and degeneration by activating mitochondrial biogenesis. As it seems that exercise and autophagy might act as an orchestrated network to induce mitochondrial biogenesis, we investigated whether autophagy is involved in AMPK signal pathway stimulated by exercise or AICAR to increase mitochondrial biogenesis. And it showed that PGC-1 and mtTFA, but not autophagy marker LC3 mRNA expression were significantly increased by 6 hr of acute exercise. On the other hand, PGC-1 and mtTFA mRNA expression were upregulated by AICAR treatment to C2C12 myotube. However these genes were not inhibited by LC3 siRNA transfection. These results provide the evidence that autopahgy affects on mitochondrial biogenesis through different signal pathway from AMPK signal transduction.