Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.382.1-382.1
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2016
비등 열전달 시스템은 각종 발전 시스템, 열교환기, 냉방 및 냉동 시스템과 같이 다양한 산업에서 이용되며 매우 중요시 되고 있다. 또한 비등 열전달 시스템에서의 임계 열유속은 열전달 시스템의 한계 및 안정성을 나타내는 중요한 인자이다. 따라서 비등 열전달 시스템의 성능을 높이기 위해 임계 열유속을 향상시키려는 연구 및 개발이 지속적으로 이루어지고 있다. 최근에는 작동유체를 나노유체로 사용할 경우 임계 열유속을 크게 향상 시킬 수 있다고 보고되었다. 하지만 작동유체를 나노유체로 사용할 경우 나노입자가 열전달 표면에 침착되는 현상을 유발하며 열전달 시스템의 성능을 감소시킬 수 있다. 따라서 본 연구에서는 산화 처리된 그래핀 나노유체의 파울링 현상에 따른 열적 특성을 분석해 보았다. 그 결과 산화 처리된 그래핀 나노 파울링은 유속과 파울링을 위한 코팅시간이 증가할수록 산화 처리된 그래핀 나노유체의 임계 열유속이 크게 증가하고 있음을 확인할 수 있었다. 하지만 임계 열유속은 증가하나 비등 열전달 표면의 온도가 크게 증가하고 있음을 확인하였다. 그리고 열전달 계수는 유동이 없는 순수 물 비등 열전달 계수와 비교하여 감소하는 것으로 나타났다.
A graphene film, two-dimensional carbon sheet, is a promising material for future electronic devices and so on. In graphene applications, the effect of substrate on the atomic/electronic structures of graphene is significant, so we studied an interaction between graphene film and substrate. To study the effect, we investigated the graphene films grown on Ni substrate with two crystal face of (111) and (100) by Raman spectroscopy, comparing with graphene films transferred on $SiO_2/Si$ substrate. In our study, the doping effect caused by charge transfer from Ni or $SiO_2/Si$ substrate to graphene was not observed. The bonding force between graphene and Ni substrate is stronger than that between graphene and $SiO_2/Si$. The graphene films grown on Ni substrate showed compressive strain and the growth of graphene films is incommensurate with Ni (100) lattice. The position of 2D band of graphene synthesized on Ni (111) and (100) substrate was different, and this result will be studied in the near future.
Graphene has a large surface area to volume ratio and good mechanical and electrical property and biocompatibility. This study described the electrochemical deposition and reduction of graphene oxide on the surface of indium tin oxide (ITO) glass slide and electrochemical characterization of graphen-modified ITO. Cyclic voltammetry was used for the deposition and reduction of graphene oxide. The surface of graphen-coated ITO was characterized using scanning electron microscopy and energy dispesive X-ray spectroscopy. The electrodes were evaluated by performing cyclic voltammetry and electrochemical impedance spectroscopy. The number of cycles and scan rate greatly influenced on the coverage and the degree of reduction of graphene oxide, thus affecting the electrochemical properties of electrodes. Modification of ITO with graphene generated higher current with lower charge transfer resistance at the electrode-electrolyte interface. Glucose oxidase was immobilized on the graphene-modified ITO and has been found to successfully generate electrons by oxidizing glucose.
This study investigated on the compressive strength and the length change test with using the waste glass and graphene oxide for recycling the waste glass as the aggregate. Curing on 3-day and 7-day, the compressive strength was enhanced as the usage of waste glass was increased. Especially, the huge difference in the compressive strength was observed when the amount of substituting on the waste glass was used on 10~50%. With 50% of waste glass condition, the compressive strength was portionally enhanced as the usage of graphene oxide was increased and its value was 42.6 N/㎟ with 0.2% of graphene oxide. In terms of the length change test, the use of high content of waste glass led length change value to increase, but it was dropped down as the portion of waste glass was above 50%. Furthermore, in the case of using 50% of waste glass, the use of high amount of graphene oxide tended to decrease the length change value. That is, graphene oxide may contribute on boosting the cement hydration reaction and blocking the ion's movement.
Lee, Wonoh;Yoon, Sang Su;Um, Moon-Kwang;Lee, Jea Uk
Composites Research
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v.28
no.5
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pp.265-269
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2015
Development of simple and efficient method for large-scale production of mechanically strong and electrically conductive graphene fiber is highly desirable for practical applications, such as fiber-reinforced composites, wearable electronics, and electromagnetic irradiation shielding. Here, we present a facile approach for the preparation of amine-functionalized graphene fibers by simple wet-spinning of diamine-functionalized graphene oxide (GO-$NH_2$), which is used because of its synthetic convenience, good dispersity, and scalable production with low cost. The amine-functionalized graphene fiber shows high electrical and mechanical properties compared to pristine graphene oxide fiber due to the electrostatic interaction between amine groups and electronegative functional groups of graphene oxide.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.566-566
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2012
그래핀(Graphene)은 모든 탄소 동소체의 기본구성 요소로 2 차원 결정구조를 가지며, 양자홀 효과(quantum Hall effect), 뛰어난 열 전도도, 고 탄성, 광학적 투과성 등과 같은 탁월한 물리적 성질을 보이는 물질이다. 이러한 그래핀의 우수한 특성은 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor), 화학/바이오 센서, 투명 전극(transparent electrode) 등의 다양한 전자소자를 개발하는 응용 가능하다. 그 중, 그래핀 투명전극의 제조는 가장 응용가능성이 높은 분야이다. 현재 투명전극 물질로는 인듐-주석 산화물(indium tin oxide; ITO)가 널리 이용되고 있으나, 인듐의 고갈로 인한 공급부족 문제 및 고 생산비용, 휘어지지 않는 취성 등의 단점을 지니고 있다. 따라서, 우수한 광학적 투과성과 전기전도성을 지닌 그래핀이 ITO의 대체 물질로서 각광받고 있다.[1-5] 본 연구에서는 그래핀의 투명전도필름의 응용을 위해 면저항을 낮추기 위한 방법으로 화학적 도핑(doping)을 이용하였다. 그래핀은 구리(copper; Cu) 호일을 촉매로 사용하여 열 화학증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 합성하였다. 합성된 그래핀은 PMMA(Poly(methyl methacrylate)) 전사법을 이용하여 산화실리콘(SiO2) 기판에 전사 후, 염화은(AgCl)과 클로로벤젠(C6H5Cl)으로 만든 콜로이드(colloid) 용액에 디핑(dipping)하여 그래핀에 은 입자를 도핑 하였다. 그 결과, 은 입자 도핑 농도에 따라 면저항이 감소하는 양상을 보였다. 제작된 그래핀 투명전도성 필름의 투과도는 자외선-가시광선-근적외선 분광법(UV-Vis-NIR spectroscopy)를 이용하여 측정하였고, 라만 분광법(Raman spectroscopy)을 통해 그래핀 필름의 질적 우수성과 성장 균일도를 조사하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2016.11a
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pp.192.1-192.1
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2016
타이타늄은 밸브 메탈의 일종으로, 다양한 전해질 조건에서 양극산화되어 이산화 타이타늄($TiO_2$)을 형성한다. 이산화 타이타늄은 저렴한 가격, 풍부함, 무독성, 높은 안정성 등 다양한 장점을 지닌다. 또한 리튬 이온의 삽입/탈리 이후에도 구조적인 변화가 적은 성질과 비교적 높은 방전 전압(1.0-2.5 V vs Li/Li+)으로 인해 그래파이트를 대체할 리튬이온 전지의 전극재료로써 연구되어 왔다. 하지만 낮은 이온 및 전기 전도도로 인해 다양한 분야에서의 활용에 한계가 있어왔다. 이러한 한계 극복을 위해, 이산화 타이타늄에 전도성이 높은 탄소 계열의 물질을 코팅하는 방법이 고려되었다. 그래핀 산화물은 강한 산을 이용하여 그래파이트를 산화시킨 물질로, 많은 산소작용기를 함유하고 있어 탄소 고유의 전기전도성을 갖지 못한다. 환원 그래핀 산화물(reduced graphene oxide)는 빛, 열, 화학 작용울 통해 그래핀 옥사이드를 환원시켜 산소작용기를 없앤 물질로, 환원과정에서 전기전도성을 회복한다. 이에 본 연구에서는 이산화 타이타늄에 환원 그래핀 산화물(reduced graphene oxide)를 코팅하여 전기 전도도를 향상시키고. 이에 대한 활용 분야를 연구하고자 하였다.
Research is being conducted on graphene to provide graphene having both excellent physical as well as electrical properties in addition to unique physical properties. In this study, Hummer's method, which is a representative method for chemical exfoliation, was applied in order to investigate the possibility of the mass production of high-quality graphene oxide. Three types of graphite (graphite, crystalline graphite, and expanded graphite) were used in the preparation of graphene oxide with variations in the amount of potassium permanganate added, reaction temperature, and reaction time. Then a Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), a Raman spectrometer, and a transmission electron microscope (TEM) were used to measure the quality of the prepared graphene oxide. Of the three types of graphite used in this experiment, crystalline graphite showed the highest quality. The prepared graphene oxide was then purified with an organic solvent, and an analysis conducted using energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). From the results of the residual values, we were able to confirm that both acid wastewater and wastewater were best purified using cyclohexane. The method for manufacturing graphene oxide as well as the method of purification using organic solvents that are presented in this study are expected to have less of an environmental impact, making them environmentally friendly. This makes them suitable for use in various industrial fields such as the film industry and for heat dissipation and as coating agents.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2012.05a
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pp.248-248
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2012
실리콘 산화막 기판 및 퀄츠 기판 위에 그래핀을 기계적으로 박리시킨 후, 두께 1 nm 이하의 금 박막을 증착한 후 고온 열처리를 통하여 금 박막으로부터 나노입자의 형성 거동을 살펴보았다. 열처리 후 생성되는 금 나노입자는 실리콘 산화막 및 퀄츠기판 보다 그래핀 위에서 더 크게 형성되는 것을 확인하였으며, 이는 금의 표면확산 정도가 그래핀 위에서 더 크다는 것을 의미한다. 또한 동일 박리 그래핀 위에서도 그래핀의 층 수에 따라 형성되는 금 나노입자의 크기가 달라짐이 확인되었다. 열처리에 의해 형성된 다양한 크기의 금 나노입자는 단일벽 탄소나노튜브(SWNTs)의 직경제어 합성을 위한 촉매로 이용하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.77-77
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2010
그래핀(Graphene)은 한 겹(layer)의 2차원 판상 구조에 탄소원자들이 육각형의 기본 형태로 배열되어 있는 나노재료로서, 우수한 역학적 강도와 화학적, 열적 안정성 및 흥미로운 전기 전자적 성질을 가지고 있는 것으로 알려져 있다. 최근, 이러한 특징적이고도 우수한 물성으로 인하여 기초물성 연구에서부터 차세대 응용까지 고려한 각종 연구들이 활발하게 진행되고 있다. 일반적으로 그래핀을 얻는 방법에는 물리 화학적 박리, 열화학증기증착법(TCVD), 탄화규소의 흑연화, 흑연산화물의 환원 등의 방법들이 알려져 있다. 그 중 TCVD법이 두께의 균일성이 높은 그래핀을 합성하는데 가장 적절한 것으로 알려져 있다. 그러나 TCVD법은 탄소를 포함하는 원료가스를 분해하기 위하여 고온의 공정을 필요로 하게 되지만, 향후 산업적 응용을 고려한다면 대면적 그래핀의 저온합성법 개발은 풀어야 할 시급한 과제로 인식되고 있다. 현재는 메탄을 원료가스로 사용하여 $900^{\circ}C$ 이상에서 그래핀을 합성하는 추세이고, 최근 아세틸렌등의 활성원료가스를 이용하여 $900^{\circ}C$ 이하에서 저온 합성한 연구결과들도 속속 보고되고 있다. 본 연구에서는 고주파 플라즈마를 이용하여 비교적 저온에서 탄소원료가스를 효율적으로 분해하고, 확산플라즈마 영역에 TCVD 챔버를 결합한 하이브리드 화학증기증착법을 이용하여 그래핀의 저온합성을 도모하였다. 원료가스로는 메탄을 사용하였고, 기판으로는 전자빔증착법으로 증착한 니켈 박막 및 구리포일을 사용하였다. 실험결과, 그래핀은 $600^{\circ}C$ 부근의 저온에서도 수 층으로 이루어진 그래핀이 합성된 것을 확인하였다. 합성한 그래핀은 분석의 용이함 및 향후 다양한 응용을 위하여 실리콘산화막 및 투명고분자 기판 위에 전사(transfer)하였다. 합성된 그래핀의 구조평가를 위해서는 광학현미경과 Raman분광기를 주로 사용하였으며, 원자힘현미경(AFM), 주사전자현미경(SEM), 투과전자현미경(TEM) 등도 이용하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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