• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.1591-1593
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• 2004

압력센서는 몇 가지 센싱 메카니즘을 가지고 있으므로 종류가 다양하고 크기 변에서도 여러 가지가 이용되고 있다. 최근에는 센싱 부분이 작으며 제어부분도 포함되는 ASIC화된 센서 시스템이 개발되고 있다. 여기에 이용되는 대부분의 탄성물질은 힘을 받았을 때 물질 내부의 벌크에서 저항 값이 변화하는 특성을 갖고 있다. 이러한 특성은 피에조 저항률(piezoresistivity)로 언급되며 스트레인 게이지의 감도에 영향을 주는 중요한 요소로 작용한다. 다이어프램으로 금속대선 세라믹을 사용하면 안정성이 우수한 특정을 가칠 수 있으며, 부식성 가스 류 및 화학성분에 대해서 내성이 강하고 환경변화에 따른 변형과 공정의 단순화 등 우수한 특성을 갖고 있는 것이 큰 장점이다. 센싱부는 산화 루세니움($RuO_2$)을 주 성분으로 하는 분말을 Paste화 하여 다이어프램 위에 스크린 프린팅을 하여 기본성능을 나타내었으며 특히, 상품화에서 중요한 일반성능에서는 온도 특성에 대한 Span 과 Offset 그리고 공정의 단순화에 대해서 고찰을 하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.6
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• pp.618-625
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• 1996

고주파 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron sputtering)법을 이용하여 자동차유리 성에 제거용 주석첨가 인듐산화물(indium tin oxide;ITO) 투명저항박막의 증착과 그 전기 및 광학 특성을 연구하였다. 기판온도는 A, T.-30$0^{\circ}C$, O2/(Ar+O2)비는 0-0.3로 변화시키며 실험하였다. 기판온도가 높아질수록, 그리고 O2/(Ar+O2)비가 높아질수록 박막의 증착속도는 감소하였다. 또한, 기판온도가 높아질수록 In2O3(400) 방향의 결정성은 감소하고, In2O3(222)와 (400) 피크만이 잔존하였다. 기판온도가 높아질수록 가시광영역의 광투과도는 향상되었고, 면저항은 20$0^{\circ}C$까지는 감소하였으나 20$0^{\circ}C$이상에서는 거의 일정하였으며, 결정립 크기는 온도가 높아질수록 증가하였다. 박막의 면저항은 O2/(Ar+O2)비가 0.1에서는 감소하고, 그 이상에서는 증가하였으며, 광투과도는 O2/(Ar+O2)비에 거의 영향을 받지 않았다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.21 no.10
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• pp.1827-1832
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• 2017

To observe the characteristics to be a resistive memory of $V_2O_5$ deposited by oxygen various gas flows and annealed, the hysteresis curves of $V_2O_5$ were analyzed. The good resistive memory was obtained from the electrical characteristics of $V_2O_5$ films with the Schottky contact as a result of electron-hole pair, and the oxygen vacancy generated from the annealing process contributes the high quality of Schottky contact and the formation of resistive memories. The balanced Schottky contacts owing to the oxygen vacancy effect as the result of an ionic reaction were formed at the $V_2O_5$ film annealed at $150^{\circ}C$ and $200^{\circ}C$ and the balanced Schottky contact with negative to positive voltages enhanced the electrical operation with write/erase states according to the forward or reverse bias voltages for the resistive memory behavior due to the oxygen vacancy.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.35 no.3
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• pp.259-263
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• 1998

WSi2/CVD-Si/SiO2/Si-substrate의 폴리사이드 구조에서 실리콘 증착 POCl3 확산 그리고 WSi2 증착 유무에 따른 Thin oxide 특성을 연구했다 WSi2 막을 증착하지 않은 CVD-Si/SiO2/Si-substrate 구조에서 CVD-Si을 po-lycrystalline-Si으로 증착한 시편이 amorphous-Si을 증착한 시편보다 산화막 불량이 적다 WSi2 를 증착시킨 WSi2/CVD-Si/SiO2./Si-substrate의 구조에서 CVD-Si의 polycrystalline-Si 혹든 amorphous-Si 의 막 증착에 따른 thin oxide의 불량율 차이는 미미하다 산화막 불량은 CVD-Si에 확산시킨 인(P) 증가 즉 면저항(sheet resistance) 감소로 증가한다. Thin oxide의 절연특성은 WSi2 증착으로 저하된다 WSi2 증착으로 산화막 두께는 증가하나 막 특성은 열등해져 산화막 절연성이 떨어진다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.202-202
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• 2010

불순물이 첨가되는 이원계 및 다원계 투명전도성 산화막들은 불순물의 첨가량에 따라서 전기적 그리고 광학적 특성의 변화를 나타낸다. 조성비에 따른 특성 변화를 조사하기 위하여 산화아연 타겟과 산화갈륨 타겟을 이용하여 혼합 스퍼터링 방식을 이용하여 인듐, 갈륨 등이 소량 첨가된 산화아연막(IGZO)을 증착하였다. Triple Co-sputter의 인가 전력을 변화시켜 가면서 박막 구성 원소들의 성분비 변화에 따른 전기적 그리고 광학적 특성을 조사하였다. 증착된 박막들은 조성비에 따라 전기적 그리고 광학적 특성이 변화되는 것을 확인하였다. 실온에서 유리기판 위에 증착된 박막은 저항률이 $2^*10^{-3}\;{\Omega}-cm$의 전기적 특성을 보였고, 투과도가 400~800nm 파장 범위 내에서 80% 이상의 광학적 특성을 보였다.

• Korean journal of applied entomology
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• v.21 no.3 s.52
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• pp.113-122
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• 1982

Appressorial formation of Pyricularia oryzae on leaves showed no marked difference between highly resistant Tongil and susceptible Norm No. 6. Race N-2 of the blast fungus penetrated directly into motor cells of susceptible cultivar Norm No. 6, later extensively spreading hyphae were developed, while in the cultivar Tongil, after penetration, no further hyphal extension resulted. In discoloration of infected tissues, the highly resistant cultivar Tongil not only discolored rapidly, but also the percentage of discolored cells was higher than the susceptible cultivars, Jinheung and Norm No. 6. The respiratory rate, was generally higher in infected tissue than in healthy tissue. No significant difference in the respiration rate of resistant Suwon No. 180 was not found between the infected and healthy leaf tissue, whereas, in susceptible Jinheung, a marked increase in respiratory rate was caused by blast infection. The respiratory rate increased at the appearance of the first visible symptom in all cultivars resistant or susceptible. Higher peroxidase activity was found in infected tissues as compared with healthy tissue. Peroxidase activity increased in resistant and susceptible reactions. Particularly, in resistant reaction, the increase of the activity was more pronounced. In highly resistant reaction, there was no difference in peroxidase activity between healthy and infected tissues. Ascorbic acid oxidase, hydroquinone oxidase and catechol oxidase had the same trend as the peroxidase. In contrast, activity of catalase rather decreased in leaf tissues infected with compatible races of the fungus.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.151-151
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• 2013

최근 반도체 및 디스플레이 산업에서의 플라즈마 공정의 중요성은 점점 증대되고 있다. 특히, 반도체/LCD 제조공정에서의 Dry Etch공정은 디스플레이용 유리 위에 형성된 산화막, 금속입자, 박막, 및 Polymer와 같은 불순물들을 플라즈마를 이용하여 제거하는 공정이다. 플라즈마 공정을 진행하는 동안 몇 가지 문제점들이 이슈가 되고 있다. Etch공정에서는 활성 부식가스를 많이 사용하고 장시간 플라즈마에 노출되기 때문에, 진공부품들은 플라즈마에 의해서 물리적인 이온충격(Ion Bombardment)과 화학적인 Radical 반응에 의한 부식이 진행된다. 부식영향에 의해 챔버를 구성하고 있는 부품에서 균열이 발생하거나 오염입자들이 떨어져 나오게 된다. 발생한 오염입자들은 산업용 플라즈마 공정에서 매우 심각한 문제가 되고 있다. 본 연구에서는 산화막의 부식 저항특성을 측정할 수 있는 평가방법에 대하여 고찰하였고, 표준화된 데이터로 비교분석할 수 있도록 평가기준과 규정화된 피막평가방법을 연구하였다. 또한, 산화막의 특성에 따른 플라즈마 상태, 오염입자 발생 등 플라즈마 공정을 진단하여 부품재료의 수명을 예측하고, 신뢰성 있는 평가방법에 관한 연구를 하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.13 no.2
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• pp.88-92
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• 2003

The correlationship between heat treatment condition and electrical properties of the Mn-Co-Ni oxide NTC thermistor for fuel level sensor was investigated by the X-ray diffractometry, density measurement, and electrical properties measurement such as resistivity, B constant, and thermal dissipation constant. It was shown that the heat treatment of NTC thermistor was responsible for sinterability of Mn-Co-Ni oxide. The highest density of 5.10 g/㎤ was obtained at $1250^{\circ}C$, 2 hours, at which the densification was almost completed. This is also manifested from the microstructural observation. It is found that the electrical resistivity and B constant are increased at the elevated sintering temperatures. The NTC specimens prepared in this study showed the conventional decrease of resistance with the measured temperature and the linear behavior of output voltage with fuel levels. Therefore, the electrical properties of thermistor were closely correlated with sintering condition. and the Mn-Co-Ni oxide thermistor prepared in this study has a great possibility enough to apply for an automobile fuel level sensor.

• Journal of Hydrogen and New Energy
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• v.20 no.6
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• pp.455-463
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• 2009

코발트 보호막 코팅이 적용된 페라이트계 스테인리스 스틸인 STS 430과 STS 444 소재에 대해 고체산화물 연료전지용 금속연결재로서의 고온 산화 특성에 대해 살펴보았다. 코발트 코팅층은 $800^{\circ}C$ 고온 산화 후 코발트 산화물 및 $Co_2CrO_4$, $CoCr_2O_4$, $CoCrFeO_4$ 등과 같은 코발트가 함유된 스피넬 상을 형성하였다. 또한 페라이트계 스테인리스 스틸과 코발트 코팅의 계면에서 크롬과 철이 함유된 치밀한 산화층을 형성하여 금속연결재 표면의 스케일 성장속도를 감소시키고 금속연결재 내에 함유된 크롬의 외부 확산을 효과적으로 억제하였다. 한편 STS 430은 고온 산화 후 표면에 형성된 스케일 하부에 $SiO_2$와 같은 내부 산화물이 형성된 반면 STS 444는 표면 스케일 이외에 다른 내부 산화물은 확인되지 않았으며 고온에서의 면저항 측정 결과, 코발트가 코팅된 STS 444의 전기 전도성이 STS 430 보다 우수한 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2003.10a
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• pp.92.2-92
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• 2003