• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1995.06a
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• pp.81-82
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• 1995

약한 자장을 사용하는 평면형 유도 결합 플라즈마 식각 장치에서 라디카르이 농도 제어를 위하여 벽면온도를 증가시켜 라디칼 손실을 줄였다. 폴리머를 잘 형성하는 C4F8의 경우 이에 따라 식각 특성이 25%정도 개선되었고, OES(opptical emission sppectroscoppy)와 AMS(appearance mass sppectroscoppy)를 이용하여 라디칼과 이온의 밀도 변화를 측정하여 식각 결과를 설명할 수 있었으며, 반면에 CF4의 경우 큰변화를 볼 수 없었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1997.07a
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• pp.207-208
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• 1997

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1997.02a
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• pp.225-226
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• 1997

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.08a
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• pp.87-87
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• 2007

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.6
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• pp.709-709
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• 1995

원거리 플라즈마 화학증착법을 이용하여 저온에서 이산화규소박막을 제조하였다. 본 연구 에서는 공정변수인 기판의 온도, 반응기체의 조성 및 분압과 플라즈마 전력에 따른 산화막의 재료적인 물성을 평가하였다. XPS결과에서 산화막은 양론비(O/Si=2)보다 약간 적어 실리콘이 많이 함유된 막으로 나타났다. 이 경우 굴절율과 ESR분석에 의해 미결합된 실리콘의 양이 증가함을 알 수 있었다. SIMS분석에 의해 미량의 질소성분이 계면에 존재하는 것과 실리콘 미결함을 관찰하였다. FT-IR로부터 막내 수소량을 정량화하였으며 결합각 분포는 200℃이상에서 열산화막과 비슷한 값을 얻었다. 하지만 열산화막에 비해 높은 식각율을 보여 계면 스트레스에 의해 막내의 결합력이 약해진 것으로 생각된다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.4
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• pp.397-402
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• 1998

$SiO_2$ etch characteristics were studied as a function of the basic parameters, such as the main RF power and the operating pressure in a helicon plasma. $SiO_2$ etch characteristics were improved as the main RF power was increased and the operating pressure was decreased. $SiO_2$ etch selectivity over silicon increased from 2.9 to 25.33 when the RF input power increased from 300 W to 2 kW and from 2.3 to 16.21 when the operating pressure decreased from 10 mTorr to 1.5 mTorr with $C_4F_8$ plasma. We used a quadrupole mass spectrometer to measure the relative abundancies of various ionic and radical species to explain the experimental results and found that when the operating pressure is low and the RF input power is high, the highly selective $SiO_2$ etch is achieved as a result of density increment of the densities of various ionic species.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.6 no.1
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• pp.91-96
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• 1997

The electrical characteristics and the plasma parameters of planar inductively coupled plasmas (ICP) have been measured. The resistance of the total load including the coil and the plasma varied from 1 to 4 W and the inductance from 1.5 m to 2 mH when the power was changed from 100 to 1000 W and the pressure from 1 to 10 mTorr. The density of electron measured by Langmuir probe was over $10^{11}/\textrm{cm}^3$ and the temperature varied between 3 and 5 eV as the process conditions were changed. Bias modulation was adopted as a new method to improve the selectivity of $SiO_2$on Si in $C_4F_8$ (octafluorocyclobutane) plasma. The selectivity was improved as the duty ratio decreased, but the etch rate of $SiO_2$decreased below 400$\AA$/min. $H_2$addition to $C_4F_8$ plasma showed that the etch selectivity could be higher than 50 and the etch rate of $SiO_2$over 2000$\AA$/min when 60% $H_2$was added.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.264.2-264.2
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• 2014

비휘발성 메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 정보를 계속 유지하는 메모리로써 현재 다양한 차세대 전자소자의 집적화 구현을 위해 저전압 동작 및 저장능력의 향상 등에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이때 삽입되는 전하저장층의 경우 기존 널리 이용되는 질화막(SiNx) 외에 최근에는 산화 알루미늄(Al2O3) 등의 고유전상수 물질 뿐만 아니라, 밴드갭 조절을 통해 전하저장능력을 향상시키는 산화막(SiOx)에 대한 연구도 진행 중이다. 이번 연구에서는 전하저장능력을 향상시키기 위해 전하저장층으로 산화막을 이용할 뿐만 아니라, 기존의 평편한 구조가 아닌 표면 조절을 통해 전하저장능력을 보다 향상시키고자 한다. 또한 이번 연구에서는 비휘발성 메모리 소자의 응용을 위해 우선적으로 금속-절연체-반도체 형태의 MOOxOyS 구조를 이용하였다. 이 때 실리콘 표면적을 변화시키기 위해 이용된 실리콘 웨이퍼는 1) 평편한 실리콘, 2) 수산화암모늄, 이소프로필 알코올 및 탈이온수를 혼합한 용액에 식각시킨 삼각형 구조, 3) 불산, 질산 및 아세트산을 혼합한 용액에 식각시킨 라운드 구조이다. 정전용량-전압 측정을 통해 얻어진 메모리 윈도우는 1) 평편한 실리콘의 경우 약 5.1 V, 2) 삼각형 구조의 경우 약 5.3 V, 3) 라운드 구조의 경우 약 5.9 V를 얻었다. 이 때, 라운드 구조의 경우 가장 넓은 표면적으로 인해 상대적으로 전하트랩이 가장 많이 되어 메모리 윈도우가 가장 커지는 특성을 볼 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2006.08a
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• pp.124-124
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• 2006

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.6
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• pp.605-609
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• 1996

MOS 소자의 얇은산화막(thin oxide)불량을 화학적으로 식각하지 않고 불량부위를 광전자방사(photon emission)반응을 이용하여 위치를 확인하고, 이곳을 FIB로 절단하여 불량부위의 단면을 관찰했다. 20nm 두께의 SiO2불량은 셀(cell)영역의 위치에 따른 의존성은 없고, 불량은 저전계의 입자(particle)성 불량과 중간전계의 Si 기판 핏(pit)과 관련된 불량이 주였다. 고전계에서는 전형적인 SiO2 산화막의 절연파괴가 일어난 것이 관찰된다.