• Proceedings of the Korean Society of Disaster Information Conference
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• 2022.10a
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• pp.171-172
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• 2022

건설현장에서 작업환경측정을 하고 있으나 노출되고 있는 유해인자를 세분화하여 작업환경측정을 하지 않고 공정별 대표적으로 노출되는 소음, 진동 등 몇 가지만 실시하고 있다. 이에 건설현장에서 가장 많이 노출되는 산화규소분진의 유해성과 현재 건설현장에서 하고있는 개선대책의 보완점을 찾고자 한다. 연구방법: 안전보건공단과 산업보건협회에서 발행하는 실태조사 보고서 및 작업환경측정 기관의 자료를 활용하여 현황을 분석하였고 산업안전보건법의 작업환경측정에 관한 규칙과 비교 분석 하였다. 연구결과: 산화규소분진의 유해성을 파악하고 개선책을 보완도출하였다. 결론: 건설현장의 산화규소분진의 유해성을 도출하고 이에 따른 개선대책을 제시함으로써 현장에서 적극적으로 적용한다면 산화규소분진에 대한 직업병을 줄일 수 있을 것으로 기대된다.

• Journal of the Society of Disaster Information
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• v.18 no.3
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• pp.478-486
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• 2022

Purpose: Although the working environment is measured at the construction site, only a few noise and vibration that are typically exposed for each process are performed without measuring the working environment by segmenting the exposed harmful factors. Therefore, it is intended to find the harmfulness of silicon oxide dust, which is most exposed at construction sites, and the complementary points of improvement measures currently being implemented at construction sites. Method: The status was analyzed using the actual condition survey report issued by the Korea Occupational Health Corporation and the Korea Occupational Health Association and data from the work environment measurement institution, and compared and analyzed with the rules on work environment measurement of the Occupational Safety and Health Act. Result: The harmfulness of silicon oxide dust was identified and improvement measures were derived. Conclusion: It is expected that occupational diseases against silicon dust can be reduced if the harmfulness of silicon oxide dust at construction sites is derived and improvement measures are actively applied at the site.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.43-43
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• 2013

붕화질소(hexagonal Boron Nitride, h-BN)위의 그래핀은 산화규소(SiO2) 위에 전사된 그래핀에 비해서 월등한 전기적 특성을 갖는다. 따라서 전자소자의 산업적 응용을 위한 대면적화를 위하여, 그래핀을 붕화질소위에 화학증기증착(CVD) 방법을 통해 직성장시키고, 그 전기적 성질이 산화규소 및 suspended된 그래핀에 비해서 훨씬 더 이상적임을 원자 수준의 공간해상도에서 초고진공 저온 주사형 터널링 현미경(scanning tunneling microscope, STM)을 통해 입증하였다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.39 no.7
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• pp.693-698
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• 2002

Reaction-Bonded Silicon Carbide (RBSC) Ceramics were fabricated which satisfies the maximum packing density of silicon carbide skeleton in the green compacts. Such a high packing density induced incomplete infiltration during reaction-sintering; forms linear void around the interface of large alpha silicon carbide powders. During reaction-sintering, the limited extraction and entrapped gas induced by residue oxide was considered to be a reason of linear void formation. In order to improve infiltration behavior in the highly packed preform, the pre-treatment methods for residue oxide removal were proposed.

• Composites Research
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• v.13 no.2
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• pp.22-29
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• 2000

Although C/C composites have excellent mechanical properties at high temperature, the disadvantage of oxidation in air restricts their applications. Thus a lot of investments have been studied to improve this drawback. In this study, SiC used as a thermal protective coating material possesses almost the same expansion coefficient compared to that of carbon, so SiC was coated on 4D C/C composites by Pack-Cementation process. For SiC-coated C/C composites, optical microscopy observations were performed to estimate the conversion mechanism involved and air oxidation tests were also performed to evaluate the improvement of oxidation resistance. Afterwards the optimum conditions of coating process were estimated from the results of several analysis and tests.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.12 no.4
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• pp.37-42
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• 1975

철(II)이온을 안정화 하기위하여, 2산화 규소와, 구상, 입방체상 및 침상의 서로 다른형태의 산화 제2철로부터 규산철을 합성하였다. 메타놀증기로 포화시킨 질소까스를 튜브로에 도입시켜 얻은 환원성 분위기속에서, 114$0^{\circ}C$에서 11$65^{\circ}C$의 온도범위에서, 가스유속을 0.13 및 0.25l/min. 로서, 환원시간 4-150분동안 교상반응을 진행하였다. 반응생성의 동태를 오르자트 가스분석으로 검토하였으며, 생성물의 확인은 X-선 회절시험 및 감량정량에 의하였으며, 결과는 다음과 같다. 1 : 1.1의 몰비로 혼합한 산화제2철과 2산화 규소의 경우, 가스유속이 0.13l/min일 때, 규산철 합성반응시간은 구상, 입방체상 및 침상산화철에 있어서 각기 8-27분, 10-16분 및 6-7분으로 구상의 경우가 범위가 가장 넓었다. 또한, 반응속도는 산화제2철의 표면적의 평방근에 비례하였고 반응시간의 평방근에 역비례하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.70.2-70.2
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• 2010

고순도 금속규소는 반도체, 태양전지 및 규소화 화합물 등의 원료로 사용되어왔으며, 최근 태양전지 시장 확대로 인해 고순도 금속규소의 수요가 증가하고 있다. 그러나 전량 수입 중인 고순도 금속규소의 수급 안정성과 품질 균일성 등이 문제가 되고 있어, 고순도 생산 공정 및 생산 에너지를 절감 공정에 관한 연구 개발이 필요한 실정이다. 이에 본 연구에서는 금속규소의 원료인 규석(SiO2)과 카본(C)의 환원반응을 온도와 압력별로 살펴보고, 평형 상태의 금속규소수율 조건을 알아보았다. 그리고 아크로 내부 위치에 따른 산화/환원 반응식을 고찰하여 주요 반응식의 깁스 자유 에너지를 비교 분석 하였다. 본 해석을 통한 실험용 아크로 제작과 기초실험을 통해 금속 규소 생산 수율 및 순도를 평가하였으며, 생산된 실리콘의 최대 순도는 약 99.8%로 측정되었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.S1
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• pp.157-161
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• 1995

산화규소 증착 시 도입된 염소 기체는 저온부에서 수소기 감소에 효과적이었고, 증악 속도의 증가가 관찰되었다. 고온부에서는 증착속도가 감소하였고 막의 거칠기와 다공성이 증가 하였으며, 막내의 염소 잔존량이 감소함과 동시에 막은 불균일한 양론비를 나타내었다. 계면의 미결합은 모든 온도 범위에서 감소하였지만 염소 첨가량의 증가는 오히려 미결합을 증가 시키는 경향을 나타내었다. 계면의 미결합은 모든 온도 범위에서 감소하였지만 염소 첨가량의 증가는 오히려 미결합을 증가 시키는 경향을 나타내었다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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• v.19 no.4
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• pp.1033-1040
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• 1995

To simulate strength reliability and durability of ceramic parts under gas turbine application environments, particle impact damage behaviors in silicon carbide oxidized at 1673 K and 1523 K for 200 hours in atmosphere were investigated. The long-term oxidation produced a slight increase in the static fracture strength. Particle impact caused a spalling of oxide layer. The patterns of spalling and damage induced were dependent upon the property and impact velocity of the particle. Especially, the difference in spalling behaviors induced could be explained by introducing the formation mechanism of lateral crack and elastic-plastic deformation behavior at impact sit. At the low impact velocity regions, the oxidized SiC showed a little increase in the residual strength due to the cushion effect of oxide layer, as compared with the as-received SiC without oxide layer.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.6
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• pp.709-709
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• 1995

원거리 플라즈마 화학증착법을 이용하여 저온에서 이산화규소박막을 제조하였다. 본 연구 에서는 공정변수인 기판의 온도, 반응기체의 조성 및 분압과 플라즈마 전력에 따른 산화막의 재료적인 물성을 평가하였다. XPS결과에서 산화막은 양론비(O/Si=2)보다 약간 적어 실리콘이 많이 함유된 막으로 나타났다. 이 경우 굴절율과 ESR분석에 의해 미결합된 실리콘의 양이 증가함을 알 수 있었다. SIMS분석에 의해 미량의 질소성분이 계면에 존재하는 것과 실리콘 미결함을 관찰하였다. FT-IR로부터 막내 수소량을 정량화하였으며 결합각 분포는 200℃이상에서 열산화막과 비슷한 값을 얻었다. 하지만 열산화막에 비해 높은 식각율을 보여 계면 스트레스에 의해 막내의 결합력이 약해진 것으로 생각된다.