• 한국가금학회지
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• 제13권2호
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• pp.173-178
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• 1986

산란종계의 능력개량을 위해 산란수와 란중의 종합개념의 형질인 산란량을 계산하고 이를 선발에 이용하기 위한 기초자료로 산란기간의 산란량에 대한 유전분석을 실시한 결과 다음과 같은 성적을 보였다. 1. 계통의 능력 평균치를 조사한 바, 초산일령은 143.24일이었으며, 초산일령부터 60주령 까지의 산란수는 222.44개, 같은 기간중의 평균란중과 산란량은 각각 54.31g과 12.065.19g으로 나타났다. 2. 부, 모, 전자매 분산성분을 이용한 유전력 추정치에서 초산일령은 0.404-0.570으로 나타났고 60주령까지의 산란수는 0.132-0.346, 란중과 산란량은 각각 0.378-0.413과 0.204-0.270으로 나타나 산란량의 유전력 추정치는 란중보다는 산란수와 가까운 것으로 나타났다. 3. 초산일령과 유전상관에 있어서 산란수는 -0.280, 란중은 0.524로 나타나 산란수와 란중간의 부의 상관에 의한 이들 형질의 동시개량의 어려움을 보여 주었으나 산란량과는 0.130으로 나타나 산란량의 육종에의 이용 가능성을 추측케 하였다. 또한 산란량과 산란수와는 0.711, 란중과는 0.431의 상관계수가 나타나 산란수에 더 큰 영향을 받는 형질임을 보여 주었다. 4. 단기선발면을 고려하여 각 산란기간과 전체기간과의 유전상관을 분석한 결과 산란량의 경우 산란수와 비슷한 양상을 보여 산란수의 단기검정과 유사한 결과를 얻을 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국어업기술학회:학술대회논문집
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• 한국어업기술학회 2000년도 추계수산관련학회 공동학술대회발표요지집
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• pp.287-287
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• 2000

전북 식도 연안 정치망에서 1996년 6월에서 11월 사이 월별로 채집된 멸치 유어 이석의 일륜과 그 폭을 광학현미경과 주사전자현미경으로 관찰하여 산란기를 추정하고, 일일 성장률을 역추산하여 산란기에 따른 일일 성장률을 비교 분석하였다. 시상면 (sagittal plane)을 지나는 이석에는 부화 성장 정지선(hatch check)이 형성되었고, 그 외부를 둘러싼 난황 자어기에 형성된 것으로 추정되는 평균 4개의 불분명한 미세성장선이 관찰되었으며, 난황흡수성장정지선(yolk-absorption mark)이후에는 비교적 명확한 일륜이 형성되었다. (중략)

• 전자공학회지
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• 제13권4호
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• pp.32-39
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• 1986

• 전자공학회지
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• 제28권10호
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• pp.102.1-102
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• 2001

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제33권6호
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• pp.10-19
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• 2020

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.7-12
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• 1990

상이한 유전율의 유전체실린더로 완전 도체스트립이 둘러 싸여 있을 때 도체스트립에 의한 산란현상을 해석하였다. 보조전자계를 도입하여 가역정리를 적용함으로서 미지전계에 대한 적분방정식이 유도되며 이는 적절한 경계조건에 의하여 등가행렬방정식으로 변형된다. 이 행렬방정식으로 부터 미지계수의 역행렬을 구함으로서 산란전자계가 결정된다. 본 논문에서 얻어진 결과는 특수한 경우로서 실린더의 유전율을 같게 했을때 기존의 연구결과와 잘일치한다.

• 한국통신학회논문지
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• 제12권6호
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• pp.571-579
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• 1987

전자장 이론에서 적분 방정식은 산란 문제에 적용할 수 있다. 산란체 표면에서 전류 분포를 얻어 방사 전력, 산란장 등 산란체의 여러 특성을 얻을 있다. 본 논문에서는 다각주 표면의 전류 분포를 2차원 단면에서 적분 방정식으로 유도하였다. 수치해석으로는 펄스 함수를 기저 함수로 한 모멘트법을 이용하고 적분식은 외삽법을 사용하였다. 이는 cpu time을 매우 감소시킬 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제5권4호
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• pp.292-300
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• 1996

비정질 고체시료에 입사한 이온의 산란과 탄성충돌에 의한 시료원자의 산란을 몬테칼로 방법으로 전산모사 프로그램을 개발하였다. 핵산란은 Kalbitzer와 Oetzmann이 실험적인 검증을 통하여 보정한 만유산란 단면적식을 사용하고, 전자적인 에너지 손실은 Lindhard-Scharff와 Bethe의 공식들을 내삽법으로 적용하였다. 그외의 공식들은 최근에 이르기까지 대부분의 전산모사 프로그램에서 일반적으로 사용하는 방법을 적용하였다. 이온들의 산란형태 및 산란 비거리 등의 결과가 기존의 TRIM과 PIBER 프로그램 결과뿐만 아니라 이미 보고된 실험치와 잘 일치함을 보여 주었다. 또한 프로그램의 사용자 편의를 위하여 Graphic User Interface 방식을 사용하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제5권4호
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• pp.336-339
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• 2004

본 논문은 Al/sub x//Ga/sub 1-x//As/Ga/sub y//In/sub l-y//As/GaAs 이종접합 소자의 2차원적 산란율을 해석하였다. 사각 양자 우물의 전자 준위는 슈뢰딩거와 포아송 방정식의 연계풀이에 의해 수치해석 적으로 해석하였다. 수치해석으로 얻어진 파동함수와 에너지 준위를 이용하여 이 구조에서 주요한 2차원 산란율들을 구하였다. 극성광학 포논, 음향 포논, 압전 산란, 이온화된 불순물 산란, 그리고 합금 산란이 첫 번째 두개의 하부 밴드에 대해 고려되었다. 또한 2차원에 대해 구하여진 이 결과는 같은 영역에서의 3차원 산란율과 비교하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권7호
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• pp.1-7
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• 1989

가장자리로 부터 역비례로 저항률이 변하는 반평면에 H분극 평면파가 입사되는 경우, 산란파를 Kontorovich-Lebedev 변환을 이용해서 정확한 적분식으로 얻었으며, 이로부터 모든 각도에서 쓸 수 있는 균일 근사식 및 계산된 산란파를 광선적(光線的)으로 해석할 수 있도록 해주는 비균일 근사식도 구했다. 저항율의 상수 여러 값에 대하여 가장자리 회절 패턴을 보였다. 결과들은 물리적으로 타당함을 알 수 있었다.