Simulation of Two-Dimensional Intervalley Scattering Rate in HEMT Device

HEMT 소자의 2차원 계곡간 산란율 시뮬레이션

In this paper the two-dimensional scattering rates were calculated in pseudomorphic Al/sub x//Ga/sub 1-x//As/Ga/sub y/In/sub l -y//As/GaAs heterostructure systems. The electronic states of the square quantum well were determined by the numerical self-consistent solution of Poisson's and Schrodinger's equations. The numerically obtained wave functions and energy levels were used to obtain the major two-dimensional scattering rates in this structure. Polar optical- and acoustic-phonon scattering, piezoelectric, ionized impurity and alloy scattering were considered for the first two sub-bands. The results were compared to the three-dimensional scattering rates also calculated in the same region.

본 논문은 Al/sub x//Ga/sub 1-x//As/Ga/sub y//In/sub l-y//As/GaAs 이종접합 소자의 2차원적 산란율을 해석하였다. 사각 양자 우물의 전자 준위는 슈뢰딩거와 포아송 방정식의 연계풀이에 의해 수치해석 적으로 해석하였다. 수치해석으로 얻어진 파동함수와 에너지 준위를 이용하여 이 구조에서 주요한 2차원 산란율들을 구하였다. 극성광학 포논, 음향 포논, 압전 산란, 이온화된 불순물 산란, 그리고 합금 산란이 첫 번째 두개의 하부 밴드에 대해 고려되었다. 또한 2차원에 대해 구하여진 이 결과는 같은 영역에서의 3차원 산란율과 비교하였다.