• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.02a
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• pp.234-235
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• 2001

최근의 극초단 펄스의 개발의 대부분은 주로 고체 이득매질을 이용하여 근적외선 영역에서 이루어지고 있다 그러나 가시광선인 500～700 nm 파장대역에서는 특성이 좋은 고체 이득매질의 개발이 이루어지지 않아, 가시광선 영역의 극초단 펄스의 개발에 대한 연구는 최근에는 거의 이루어지지 않고 있다. 현재로서 가능한 방법은 티타늄 사파이어 레이저를 이용하여 극초단 펄스를 발생시키고, 이를 CPA(Chirped Pulse Amplification)방법으로 증폭한 다음에 이의 제2고조파 펄스를 얻고, 이를 다시 광파라메트릭 방법으로 가시광선 파장영역의 극초단 펄스를 얻는 방법이 있는데, 이는 대규모의 설비 및 장치를 필요로 한다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2008.07a
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• pp.233-234
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• 2008

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.101-102
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• 2007

ZnO에 Li과 Al이 codoping된 박막을 magnetron spuuter을 이용하여 사파이어 기판 위에 성장하였다. 성장시킨 박막에 대한 구조적, 전기적, 광학적 특성들을 관찰 하였으며, 증착 분위기 조절에 따라서 에피텍셜한 박막을 얻을 수 있었다. $LiAlO_2$ 도핑농도가 증가함에에 따라 전기적으로는 부도체에 가까운 특성을 나타내면서, 광학 밴드갭 에너지가 증가하는 현상을 관찰할 수 있었다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.106-107
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• 2000

현재 많이 사용되고 있는 펨토초 레이저는 일반적으로 수 nJ의 펄스 에너지를 가지고 반복률 100MHz의 수백 kW의 첨두 출력을 가지고 있다. 이러한 레이저에서는 짧은 레이저 펄스폭에 높은 첨두 세기를 가지고 있음에도 불구하고 높은 반복률을 가지기 때문에 평균 출력이 높다는 단점을 가지고 있다. 이를 해결하기 위해 공진기 덤핑을$^{(1-2)}$ 사용할 수 있지만 이 또한 복잡한 기술을 요하기 때문에 별 도움이 되지 못한다. 그래서 레이저 공진기로부터 직접 낮은 반복률과 높은 첨두 출력의 빔을 얻기위해 공진기의 길이를 길게하는 방법을 사용하게 되었다$^{(3)}$ . (중략)

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2010.11a
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• pp.19-20
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• 2010

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2010.11a
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• pp.113-114
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• 2010

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2011.06a
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• pp.233-234
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• 2011

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.09a
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• pp.59-62
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• 2005

백색 LED 램프를 제조하는 공정에서 램프간의 전기적 개방상태의 절연상태를 유지하기 위해 사파이어 기판 위에 성장된 GaN 계 반도체 에피박막층을 제거하기 위해 유도 결합형 플라즈마 식각 공정을 이용하였다. 4 미크론의 두께를 갖는 GaN 층을 식각하는데 있어 식각 방지 마스킹 물질로 포토레지스트, $SiO_2,\;Si_{3}N_4$ 및 $Al_{2}O_3$를 시험하였다. 동일한 전력 및 가스유량상태에서 $Al_{2}O_3$만 에피층을 보호할 수 있음을 확인하였다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.29 no.12
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• pp.1285-1289
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• 2012

This study has been focused on application of ELID lapping process for mirror-surface machining of sapphire wafer. Sapphire wafer is a superior material with optic properties of high performance as light transmission, thermal conductivity, hardness and so on. High effective surface machining technology is necessary to use sapphire as various usages. The interval ELID lapping process has been set up for lapping of the sapphire material. According to the ELID lapping experimental results, it shows that 12.5 kg of load for lapping is most pertinent to ELID lapping. the surface of sapphire can be eliminated by metal bonded wheel with micron abrasives and the surface roughness of 60 nmRa can be gotten using grinding wheel of 2,000 mesh in 4.5 um, depth of cut. In this study, the chemical experiments after ELID grinding also has been conducted to check chemical reaction between workpiece and grinding wheel on ELID grinding process. It shows that the chemical reaction has not happened as the results of the chemical experiments.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.30 no.5
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• pp.183-188
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• 2020

Lead zinc niobate (PZN)-added lead zirconate titanate (PZT) thick films with thickness of 5~10 ㎛ were fabricated on silicon and sapphire substrates using aerosol deposition method. The contents of PZN were varied from 0 %, 20 % and to 40 %. The PZN-added PZT film showed poorer electrical properties than pure PZT film when the films were coated on silicon substrate and annealed at 700℃. On the other hand, the PZN-added PZT film showed higher remanent polarization and dielectric constant values than pure PZT film when the films were coated on sapphire and annealed at 900℃. The ferroelectric and dielectric characteristics of 20 % PZN-added PZT films annealed at 900℃ were compared with the result values obtained from bulk ceramic specimen with same composition sintered at 1200℃. As annealing temperature increased, dielectric constant increased. These came from enhanced crystallization and grain growth by post heat treatment.