• 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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• 제4권1호
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• pp.1-4
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• 2015

본 논문에서는 주어진 채널이 변형될 때, 아미노산들의 유효한 사이드 체인 배치(side chain conformation)를 찾는 알고리즘을 제시한다. 제안된 알고리즘은 아미노산의 유연성에 근거하여 사이드 체인 유연성을 가진 단백질 분자를 구현하고, 채널 변화에 영향을 주는 인접 아미노산(adjacent amino acid)을 추출한다. 인접 아미노산과 이웃(neighbor) 아미노산의 충돌 검사를 수행하여 유효하지 않은 사이드 체인 배치를 제거한 후, 회전각 조합 트리(rotation angle combination Tree)를 구성하여 사이드 체인 배치 중 유효한 것들만을 추출한다.

• Journal of Ginseng Research
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• 제24권1호
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• pp.18-22
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• 2000

앞의 연구에서 우리는 진세노사이드가 신경세포에 존재하는 high-threshold voltage-dependent $Ca^{2+}$ channel을 억제한다는 것을 발표하였다. 그러나, 이러한 연구는 진세노사이드가 여러 칼슘 채널subtypes중 어느 특정 칼슘 채널만을 선택적으로 조절한다는 것을 보여주지는 않았다. 따라서 이 연구에서 우리는 여러 칼슘 채널subtypes에 선택적으로 작용하는 약물 혹은 toxins을 이용하여 진세노사이드가 어느 종류의 칼슘 채널 subtypes를 억제하는가를 bovine chromaffin cell을 이용하여 연구하였다. 사용한 물질은nimodipine(L-type 칼슘 채널 길항제), $\omega$-conotoxin GVIA (N-type $Ca^{2+}$ channel 길항제), $\omega$-agatoxin IVA(P-type 칼슘 채널 길항제)이었다. 연구 결과 진세노사이드는 bovine chromaffin 세포에 존재하는 high-threshold 칼슘 current을 투여 농도별로 억제하였다. $IC_{50}$/은 약 120 $\mu$g/ml인 것으로 나타났다. nimodipine은 진세노사이드에 의한 칼슘 currents억제 작용에 영향을 미치지 않은 것으로 나타났다. 그러나, $\omega$-conotoxin GVIA, $\omega$-agatoxin IVA 및 nimodipine+$\omega$-conotoxin GVIA+$\omega$-agatoxin IVA을 처리한 세포에서는 진세노사이드에 의한 칼슘 currents억제 작용이 현저하게 줄어 들었다. 이러한 연구 결과들은 진세노사이드가 L-type 칼슘 채널은 억제하지 않고, 주로 N-, p-, 및 Q-type칼슘 채널을 억제한다는 것을 보여주고 있다

• 정보보호학회지
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• 제15권2호
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• pp.54-62
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• 2005

기존의 신용카드 등이 최근에는 암호 기능을 갖춘 스마트카드로 대체되고 있다 그러나 스마트카드의 제한적인 연산기능으로 인하여 탑재되는 암호 알고리즘을 고속화하여 탑재해야 하는데, 이렇게 고속화된 암호 알고리즘은 사이드 채널 공격(Side Channel analysis)에 취약점을 갖는다. 암호 알고리즘의 동작 중에 시간차, 전자파, 전력 등 부가적으로 얻어지는 정보를 분석하는 사이드 채널 공격은 이론적으로 안전성이 증명된 알고리즘에서도 구현상의 문제로 인하여 공격이 가능하기 때문에 그 위험성이 매우 높다. 본 고에서는 2003년 신규 정보보호제품 평가대상으로 확대된 스마트 카드의 안전성 평가방안에 대하여 설명하고 스마트카드 상에서 공격 가능한 사이드 채널 공격을 타이밍 공격, 오류삽입 공격, 단순/차분 전력분석 공격으로 나누어 기술하고 이러한 공격에 대한 대응기법을 소개한다.

• 정보보호학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.59-68
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• 2006

스마트카드에 내재된 암호 알고리즘이 이론적으로 안전하더라도 실제 구현 환경에 따라 사이드 채널 공격에 취약하다는 사실이 근래에 알려졌다. 본 논문에서는 스마트카드에 구현된 암호 알고리즘의 안전성을 분석할 수 있는 툴을 직접 개발하여 현재 상용 중인 칩을 탑재한 스마트카드에 사이드 채널 공격 중 가장 강력한 공격 방법으로 알려진 전력분석공격과 오류주입공격을 적용하여 안전성 분석을 하였다. 전력분석공격은 대칭키 암호 시스템에 적용하기 쉬운 차분전력분석 공격을 SEED와 ARIA에 대해서 적용하였고, 오류주입공격은 스마트카드의 동작 클럭과 전원을 차단하는 방법으로 CRT기반의 RSA에 적용하였다. 공격 결과 대상 대응책이 없는 경우의 전력분석공격은 가능하지만 오류주입공격은 칩 내부에 사전 방어대책이 마련되어 있어 사이드 채널 공격에 안전했다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.106-106
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• 2003

반도체 소자의 고집적화에 따라 채널길이와 배선선 폭은 점차 줄어들고, 이에 따라 단채널효과, 소스/드레인에서의 기생저항 증가 및 게이트에서의 RC 시간지연 증가 등의 문제가 야기되었다. 이를 해결하기 위하여 자기정렬 실리사이드화(SADS) 공정을 통해 TiSi2, CoSi2 같은 금속 실리사이드를 접촉 및 게이트 전극으로 사용하려는 노력이 진행되고 있다. 그런데 TiSi2는 면저항의 선폭의존성 때문에, 그리고 CoSi2는 실리사이드 형성시 과도한 Si소모로 인해 차세대 MOSFET소자에 적용하기에는 한계가 있다. 반면, NiSi는 이러한 문제점을 나타내지 않고 저온 공정이 가능한 재료이다. 그러나, NiSi는 실리사이드 형성시 NiSi/Si 계면의 산화와 거침성(roughness) 때문에 높은 누설 전류와 면저항값, 그리고 열적 불안정성을 나타낸다. 한편, 초고집적 소자의 배선재료로는 비저항이 낮고 electro- 및 stress-migration에 대한 저항성이 높은 Cu가 사용될 전망이다. 그러나, Cu는 Si, SiO2, 실리사이드로 확산·반응하여 소자의 열적, 전기적, 기계적 특성을 저하시킨다. 따라서 Cu를 배선재료로 사용하기 위해서는 확산방지막이 필요하며, 확산방지재료로는 Ti, TiN, Ta, TaN 등이 많이 연구되고 있다.

• 한국유체기계학회 논문집
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• 제6권2호
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• pp.29-33
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• 2003

The periphery pump (or regenerative pump) has been generally applied in the automotive fuel pump due to their low specific speed (high heads and small flow rate) with stable performance curves. In this study, the performance prediction of side channel type periphery pumps has been developed. The prediction of the circulatory flow rate is based on the consideration of the centrifugal force field in the side-channel and in the impeller vane grooves. For the determination of performance curve (head-flow rate), momentum exchange theory is used. The effects of various geometric parameters and loss coefficients used in the performance prediction method on the head and efficiency are discussed, and the results were compared with experimental data.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2002년도 학술대회지
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• pp.581-584
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• 2002

The periphery pump(or regenerative pump) has been generally applied in the automotive fuel pump due to their low specific speed(high heads and small flow rate) with stable performance curves. In this study, the performance prediction of side channel type periphery pumps has been developed. The prediction of the circulatory flow rate is based on the consideration of the centrifugal force field in the side-channel and in the impeller vane grooves. For the determination of performance curve(head-flow rate), momentum exchange theory is used. The effects of various geometric parameters and loss coefficients used in the performance prediction method on the head and efficiency are discussed and the results were compared with experimental data.

• 유체기계공업학회:학술대회논문집
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• 유체기계공업학회 2005년도 연구개발 발표회 논문집
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• pp.378-383
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• 2005

The performances of side channel type regenerative blowers were evaluated by the blower performance test, 1-D performance prediction and CFD. The performance prediction method was modified using the results of the performance test and CFD and applied to the design of the new regenerative blowers. The major geometric parameters such as channel height, channel area and expansion angle were decided from the performance prediction method for the improved models and the predicted results were compared with CFD and experimental data. Both of the modified models showed improved efficiency at the operating condition. Especially, model3 could be possible to reduce operating rotating speed, that is benefit to noise performance, because of the high head performance at the design point. The CFD results showed that the performance of the regenerative blower was influenced by the secondary circulatory flow in the channel.

• 전자공학회논문지
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• 제51권3호
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• pp.177-184
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• 2014

화학기상증착의 텅스텐 실리사이드 듀얼 폴리 게이트 구조에서 플로린이 게이트 산화막에 미치는 영향을 전기적 물리적 측정 방법을 사용하여 연구하였다. 플로린을 많이 함유한 텅스텐 실리사이드 NMOS 트랜지스터에서 채널길이가 감소함에 따라 게이트 산화막 두께는 감소하여 트랜지스터의 롤업(roll-off) 특성이 심화된다. 이는 게이트 재 산화막 열처리 공정에 의해 수직방향으로의 플로린 확산과 더불어 수평방향인 게이트 측면 산화막으로의 플로린 확산에 기인한다. 채널길이가 짧아질수록 플로린의 측면방향 확산거리가 작아져 수평방향 플로린 확산이 증가하고 그 결과 게이트 산화막의 두께는 감소하게 된다. 반면에 PMOS 트랜지스터에서는 P형 폴리를 만들기 위한 높은 농도의 붕소가 플로린의 게이트 산화막으로의 확산을 억제하여 채널길이에 따른 산화막 두께 변화 특성이 보이지 않는다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제6회(2017년)
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• pp.398-403
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• 2017

본 연구에서는 gate-all-around(GAA) 수직 나노선 Field-Effect Transistor(FET)의 소스/드레인 반도체/실리사이드 접합에 존재하는 Schottky 장벽이 트랜지스터의 DC특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. Non-Equilibrium Green's Function와 Poisson 방정식 기반의 시뮬레이터를 사용하여, Schottky 장벽의 위치와 높이, 그리고 채널 단면적의 크기에 따른 전류-전압 특성 곡선과 에너지 밴드 다이어그램을 통해 분석을 수행하였다. 그 결과, 드레인 단의 Schottky 장벽은 드레인 전압에 의해 장벽의 높이가 낮아져 전류에 주는 영향이 작지만, 소스 단의 Schottky 장벽은 드레인 전압과 게이트 전압으로 제어가 불가능하여 외부에서 소스 단으로 들어오는 캐리어의 이동을 방해하여 큰 DC성능 저하를 일으킨다. 채널 단면적 크기에 따른 DC특성 분석 결과로는 동작상태의 전류밀도는 채널의 폭이 5 nm 일 때까지는 유지되고, 2 nm가 되면 그 크기가 매우 작아지지만, 채널 단면적은 Schottky 장벽에 영향을 끼치지 못하였다. 본 논문의 분석 결과로 향후 7 nm technology node 에 적용될 GAA 수직 나노선 FET의 소자 구조 설계에 도움이 되고자 한다.