사냑 고리 광섬유 간섭계의 특성을 이용하여 FBG의 반사특성을 투과특성으로 전환하는 고효율의 파장 선택 필터를 제안하고 수식적으로 분석 및 구현하였다. 제안된 대역 투과 필터는 사냑 고리 간섭계 구조에 FBG를 삽입하여 구현하였다. 고효율의 가변형 파장 선택 필터는 편광조절기에 의해 FBG 브래그 파장영역이외의 영역은 사냑 효과로 광의 세기를 가변적으로 투과하도록 조절하였고, 브래그 파장영역에서는 마이켈슨 간섭효과로 20 dB 이상의 소멸비를 갖는 광 투과를 얻었다.
공간 광변조기(spatial light modulator)는 빛의 진폭, 위상 혹은 편광 상태를 공간적으로 변조하는 소자이다. 2차원적인 화소 배열을 갖는 공간 광 변조기는, 전자 소자들이 지니지 않는, 정보를 고속으로 병렬 처리할 수 있는 기능에 힘입어, 광상관기, 광컴퓨터, 프로젝션 TV, 빔 프로젝트, 홀로그래피 메모리의 핵심 소자로 지난 50년간 활발히 연구되어, 액정 공간 광 변조기, 자기 광학 공간 광 변조기$^{(1)(2)}$ 등이 개발되었다. 이 중에서 자기광학 공간 괌 변조기는 화소의 스위칭 스피드가 빠르고, 견고하고, 내방사능성을 가질 뿐만 아니라, 비휘발성이라는 장점을 가지고 있어, 주로 우주항공용의 Miniature Ruggedized Optical Correlator(MROC)$^{(3)}$ 에 사용되어 왔다. 본 논문에서는 새로운 개념의 공간 광 변조기인 자성 포토닉 결정을 이용한 자기 광학 공간 광 변조기(MPC-MOSLM)의 제조에 관하여 논하고자 한다 (중략)
본 실험에서는 수 MW/$ extrm{cm}^2$ 의 매우 낮은 영역의 세기에서 순수한 GaAs의 bulk에 대하여 실험한 결과 비선형 흡수가 나타남을 관찰 하였으며, 더불어 자유전하 흡수 계수를 여러 가지 세기의 빛에서 측정한 결과 자유전하 흡수 단면적이 빛의 세기에 따라 변화하는 것을 관찰하였다.$^{(1)}$ GaAs의 굴절률이 3.6으로 매우 커서 Fabry-Perot 효과가 나타나므로 시료의 한쪽 면을 SiN로 무반사 코팅을 하여 실험 하였다. GaAs의 표면은 쉽게 레이저 빛에 의해 손상을 입는 것을 고려하여 같은 자리에서 여러 번의 실험을 하여 같은 결과가 나오는 것을 확인하여 실험 결과를 얻었다. 사용된 레이저는 Nd:YAG 레이저로서 1.064 $mu extrm{m}$의 파장에서 7 나노초의 펄스를 방출한다. 빛의 세기는 편광기와 half wave plate를 이용하여 변화 시켰다. (중략)
본 연구에서는 Cholestery1 bipheny1 ester계열 화합물을 합성하여 편광현미경이 부착된 hot-stage와 시차열분석기로 물성을 조사하였다. 이 계열 화합물들은 모두 콜레스테릭 액정상을 나타내며, 알콕시 사슬 3번부터 스메틱상이 형성됨을 보여 준다. 또한, 일반적인 콜레스테릭 액정화합물에 비해 높은 상전이 온도를 보유하고 있으며, 넓은 온도 범위에 걸쳐 액정상을 나타낸다.
지난 수년간 인터넷 보급에 따른 급격한 통신량 증가에 따른 요구는 차세대 통신 기술인 WDM을 구축하게 되었고 이에 따라 WDM 라우팅 기술과 스위칭 기술이 절실히 필요로 하게 되었다. WDM에 있어서 다른 경로나 목적지로 신호를 보내기 위해서는 신호의 파장이 변환 되어야 하므로 신호의 파장변환은 라우팅에 있어 핵심적인 기술 중 하나로 인식되어지고 있다 현재 사용되어지고 있는 전광 파장 변환기는 주로 SOA (Semiconductor Optical Amplifier)의 비선형 특성인 XGM, XPM, FWM등을 이용한 것으로서 편광 민감성, ASE에 의한 SNR 감소, 신호크기 변형과 높은 가격으로 인해 안정적인 파장변환기로 쓰기에는 다소 무리가 있다. (중략)
기하학적 위상렌즈를 활용한 광시야각 홀로그램 합성을 위한 시스템을 제안하고 설계하여 제작하였다. 광시야각 홀로그램은 실시간 홀로그램 영상을 녹화하는 과정에서 동시에 물체의 다른 파면을 기록할 수 있기 때문에 물체의 3 차원 정보를 일련의 알고리즘을 통해 데이터화 시키는 과정을 가능하게 한다. 본 논문에서는 기하학적 위상렌즈와 편광 이미지 센서를 결합해 비간섭성 광원의 홀로그램을 기록할 수 있는 자가 간섭 디지털 홀로그래피 시스템을 이용하여 관찰하고자 하는 물체의 파면을 다각도에서 기록하는 광시야각 홀로그램 촬영 시스템을 개발하였다.
고정성 교정장치 주변에 발생되는 백색반점은 임상적으로 쉽게 눈에 띄는 문제점을 가지고 있으므로 잔치제거 후 심니적으로 만족스럽지 못한 결과를 야기하는데, 이는 곧 교정치료의 실패를 의미한다. 이미 많은 연구를 통해 고정성 교정장치가 구강내 세균환경을 변화시켜 세균집단의 증식을 용이하게 함으로써 고정성 장치 부착 후, 법랑질 탈회의 발생빈도가 증가된다는 사실이 보고 되어 왔으며 장기간이 소요되는 교정치료의 특성으로 인해 발생되는 브라켓 또는 교정용 밴드 주변의 법랑질 탈회나 치아우식증을 예방 또는 억제시키기 위한 연구가 함께 진행되어 왔다. 이는 환자에 대한 구강위생 교육이나 치아관리 노력에도 불구하고 발생될 수 있는데 이를 예방하기 위한 방법의 하나로 불소가 유리되는 교정용 전색제를 사용할 수 있다. 본 연구는 불소가 유리되는 광중합형 및 자가중합형 교정용 전색제의 치아우식 예방 및 진행억제효과를 규명하기 위해 다음과 같이 각각 7개의 편광현미경군(A군-G군)과 주사전자현미경군(A'군-G'군)으로 분류하였고 [1. A & A'군 STPP 인공우식용액에 담그지 않은 정상치아군, 2. B & B'군 : STPP 인공우식용액에 담그고 $37^{\circ}C$의 항온용기 에 72시간 보관한 비처치군,3. C & C'군 : STPP 인공우식용액에 담그고 $37^{\circ}C$ 의 항온용기에 72시간 보관한 자가중합형 교정용 전색제군, 4. D &D'군 : STPP 인공우식용액에 담그고 $37^{\circ}C$의 항온용기에 72시간 보관한 광중합형 교정용 전색제군, 5. E & E'군 표면에 아무처리 없이 STPP 인공우식용액에 담그고 $37^{\circ}C$의 항온용기에 72시간 보관한 후, 이를 다시 아무런 처치없이 STPP 인공우식용액에 담그고 $37^{\circ}C$의 항온용기에 72시간 보관한 비처치군, 6. F & F'군 : 표면에 아무런 처치없이 STPP 인공우식용액에 담그고 $37^{\circ}C$의 항온용기에 72시간 보관한 후, 자가중합형 교정용 전색제를 도포하고 이를 다시 STPP 인공우식용액에 담그고 $37^{\circ}C$의 항온용기에 72시간 보관한 자가중합형 교정용 전색제, 7. G & G'군 :표면에 아무런 처치없이 STPP 인공우식용액에 담그고 $37^{\circ}C$ 의 항온용기에 72시간 보관한 후, 광중합형 교정용 전색제를 도포하고 이를 다시 STPP 인공우식용액에 담그고 $37^{\circ}C$ 의 항온용기에 72시간 보관한 광중합형 교정용 전색제군], 이들을 편광현미경과 주사전자현미경을 이용해 조직의 변성 여부를 검색하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 편광현미경적 연구에서 인공우식병 소의 깊이는 $A군(5.08{\mu}m),\;B군(47.82{\mu}m,\;C군(8.42{\mu}m),\;D군(7.20{\mu}m),\;E군(85.41{\mu}m),\;F군(60.38{\mu}m),\;G군(60.13{\mu}m)$,이었다. 2. 인공우식 병소의 깊이에 있어서, B군은 A군,C군,D군과 비교하여 통계학적으로 유의성 있는 차이를 보였고(p<0.05), E군은 F군,G군과 비교하여 통계학적으로 유의성 있는 차이를 보였다(p<0.05). 3. 광중합형 및 자가중합형 교정용 전색제는 법랑질탈회 예방효과가 있었다. 4. 광중합형 및 자가중합형 교정용 전색제는 법랑질탈회 진행억제효과가 있었다. 5. 광중합형 및 자가중합형 교정용 전색제 표본에 대한 주사전자현미경적 연구에서 인공우식용액의 시간 경과에 따른 영향은 없었다. 6. 광중합형 교정용 전색제 표본과 자가중합형 교정용 전색제 표본 사이의 차이는 편광현미경과 주사전자현미경으로 구별할 수 없었다.
III-V 족 화합물 반도체 물질인 $InAs_xP_{1-x}$는 다양한 광전자 소자와 빠른 속도의 전자 소자로써의 사용 가능성으로 각광받고 있다. 이러한 $InAs_xP_{1-x}$를 소자 제작에 이용하기 위해서는 임의의 As 함량에 따른 InAsP 물질의 정확한 광학적 특성 분석이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 1.5~6.0 eV 에너지 구간에서 $InAs_xP_{1-x}$ ($0{\leq}{\times}{\leq}1$) 화합물의 임의의 As 함량에 따른 유전함수를 보고하고자 한다. MBE (molecular beam epitaxy)를 이용하여 InP 기판 위에 성장시킨 $InAs_xP_{1-x}$ (x = 0.000, 0.13, 0.40, 0.60, 0.80, 1.000) 박막을 타원편광분석법을 이용하여 측정하였고, 이 때 화학적 에칭을 통해 산화막 층을 제거하여 순수한 유전함수 ${\varepsilon}$을 얻을 수 있었다. 측정된 유전함수 분석은 parametric 모델을 이용하였으며, parametric 모델은 Gaussian-broadened polynomial들의 합으로서 반도체 물질의 유전함수를 정확히 기술하는 분석법이다. Parametric 모델을 통해 얻어진 각각의 변수들을 As 조성비 x에 대한 다항식으로 피팅하였고, 그 결과 임의의 조성비에 대한 $InAs_xP_{1-x}$ ($0{\leq}{times}{\leq}1$)의 유전함수를 얻어낼 수 있었다. 본 연구 결과는 물질의 실시간 성장 모니터링이나 다층구조 분석, 광소자의 제작 등에 유용한 정보로 이용될 수 있을 것이다.
Parametric semiconductor model을 이용하여 $In_{\chi}Ga_{1-\ch}As \;(0\leq\chi\leq1)$ 화합물 반도체 박막의 유전함수를 얻었다. Parametric model은 Gaussian-broadened polynomial들의 합으로 임계점에 대한 모델 유전 함수를 묘사하여 InGaAs 화합물의 광학 상수들을 재현할 수 있는 parameterized 함수를 제공하였다. 이러한 parametric 모델을 통하여 임의의 성분비 $\chi$에 대한 파라미터 값들을 얻었고, 이렇게 얻어진 파라미터들로부터 $In_{\chi}Ga_{1-\ch}As \;(0\leq\chi\leq1)$ 화합물 박막의 임의의 성분비에 대한 유전 함수를 얻을 수 있었다.
장거리 광통신 시스템을 설계하기 위해서는 광섬유의 종류, 광증폭기의 종류, 광증폭기 사이의 거리, 색분산 및 편광모드분산 보상의 방법, 광신호의 세기 등에 대한 결정을 해주어야 한다. 이러한 결정을 하기 위해서는 이러한 시스템의 조건들을 바꾸었을 때에 그 광통신 시스템의 성능을 예측할 수 있어야 한다. 본 논문에서는 광통신 시스템을 설계하였을 때에 그 광통신 시스템의 최대 전송거리를 도출하는 방법에 대해 연구하였다. 또한, 최대 전송거리를 얻기 위한 최적의 광신호 세기를 도출하는 방법에 대해서도 연구하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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