Parametric model for the dielectric function of InGaAs alloy films

We Performed the modeling of the dielectric functions of InGaAs by using the parametric semiconductor model. Parametric model describes the analytic dielectric function as the summation of several energy-bounded Gaussian-broadened polynomials and provides a reasonably well parameterized function which can accurately reproduce the optical constants of InGaAs materials. We obtained the values of fitting parameters of an arbitrary composition $\chi$ through the parametric model. And then, from these parameters we could obtain the unknown dielectric functions of InGaAs alloy films ($0\leq\chi\leq1$).

Parametric model을 이용한 InGaAs 박막의 유전함수 연구

Parametric semiconductor model을 이용하여 $In_{\chi}Ga_{1-\ch}As \;(0\leq\chi\leq1)$ 화합물 반도체 박막의 유전함수를 얻었다. Parametric model은 Gaussian-broadened polynomial들의 합으로 임계점에 대한 모델 유전 함수를 묘사하여 InGaAs 화합물의 광학 상수들을 재현할 수 있는 parameterized 함수를 제공하였다. 이러한 parametric 모델을 통하여 임의의 성분비 $\chi$에 대한 파라미터 값들을 얻었고, 이렇게 얻어진 파라미터들로부터 $In_{\chi}Ga_{1-\ch}As \;(0\leq\chi\leq1)$ 화합물 박막의 임의의 성분비에 대한 유전 함수를 얻을 수 있었다.