• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.71-72
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• 2009

칼코게나이드(chalcogenide)계 비정질 반도체는 그들의 독특한 광학적, 전기적 특성 때문에 활발한 연구가 진행되고 있다. 비정질 Se는 유연한 원자구조로 인해 가장 먼저 광학적으로 상용화되었으며, 응용성이 매우 큰 반도체 재료중 하나로 Ge-Se와 같이 Se를 기본으로 한 칼코게나이드 유리 반도체가 주목받고 있다. 따라서 본 연구에서는 비정질 칼코게나이드 $Ge_xSe_{100-x}$(x=25,95) 조성에 대한 광학적 특성을 연구 하였다. 시료는 5N의 순도를 갖는 Ge, Se 물질을 준비하고 조성비에 맞추어서 석영관에 진공 봉입한 후 용융 혼합하여 $Ge_{25}Se_{75}$와 $Ge_{95}Se_5$조성의 두 가지 비정질 벌크를 제작하였다. 열증착 방법으로 유리 기판위에 박막을 제작하였고 UV-vis-NIR spectrophotometer를 사용하여 투과도를 측정하였다. 측정한 스펙트럼을 이용하여 Swanpoel method로 굴절률을 계산하고 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.141-142
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• 2008

다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 만들기 위해 가장 많이 사용되는 제작방법은 비정질 실리콘을 기판에 형성한 뒤 결정화 시키는 방법이다. 고온에서 장시간 열처리하는 고상 결정화(SPC)와 레이저를 이용한 결정화(ELA)가 자주 사용되어진다. 그러나 SPC의 경우는 고온에서 장시간 열처리하기 때문에 유리 기판이 변형될 수 있고 ELA의 경우 장비가격이 비싸고 표면일 불균일하다는 문제점이 있다. 본 연구에서는 이 문제를 해결하기 위해서 화학 기상 증착법(저온 공정)을 이용하여 비정질 실리콘 박막을 증착 시키고, 이를 금속 촉매를 이용하여 금속 유도 결정화 방법(MIC)으로 결정화 시키는 공정을 이용하였다. 유리 기판 상부에 버퍼 층을 형성한 후 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD)을 이용하여 비정질 실리콘을 증착하고 Ni-solution을 이용하여 얇게 Ni 코팅하고 그 시료를 약 $650^{\circ}C$의 Rapid Thermal Annealing(RTA) 공정을 이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화 시키는 연구를 진행하였다. Ni 코팅시간은 20분, RTA 공정은 5시간의 진행시간을 거쳐야 최적의 결정화 정도를 만들어낸다.

• 기계와재료
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• v.14 no.3 s.53
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• pp.75-84
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• 2002

• 기계와재료
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• v.11 no.4 s.42
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• pp.97-102
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• 1999

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2004.06a
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• pp.196-197
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• 2004

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2000.09a
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• pp.502-503
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• 2000

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.2
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• pp.147-151
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• 1993

PECVD에 의해 Burried gate 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 제작하여 포화 전압 대 전류 특성에 대하여 새로운 해석을 하였고 해석 결과는 실험적으로 증명되었다. 본 연구의 결과 실험된 전달특성과 출력특성을 모델화 하였는데 이 모델식은 I$_{D}$와 V$_{G}$의 실험결과에서 얻어지는 3가지 함수를 기본으로 모델화 되었다. 포화 드레인 전류는 V$_{G}$가 증가할수록 증가되었고 디바이스의 포화는 드레인 전압이 커질수록 증가되었으며 문턱전압은 감소됨을 보였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.02a
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• pp.260-261
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• 2001

일반적으로 상업화된 타원계는 회전 검광자(회전 편광자), 혹은 위상변조방식이 주를 이루고 있다. 회전 검광자나 위상변조방식의 타원계는 모터를 회전시키거나 위상을 변조시키는 방법에 의존하므로 하나의 타원상수쌍 ( ,Ψ)를 얻는데 수십 $\mu\textrm{s}$ - 수십 ms의 측정시간을 필요로 한다. 그러나, 예를 들어 상변화형 광기록매체인 Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$(GST)와 같이 수십 ns 시간간격으로 비정질상과 결정상이 변화하면서 정보 데이터를 저장하거나 소거하게 되는 경우 비정질상에서 결정상으로 바뀌는 과정의 결정화과정을 측정하고 분석하기 위해서는 수 ns로 측정할 수 있는 장비가 필요하다. (중략)

• Progress in Medical Physics
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• v.19 no.4
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• pp.219-226
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• 2008

In this study, we have conducted characterization of imaging performance for a flat panel digital X-ray detector using amorphous Selenium and a-Si TFT which was developed by the authors. The procedures for characterization were in concordance with internationally recommended standards such as IEC (international electrotechnical commission). The measures used for imaging performance characterization include response characteristic, modulation transfer function (MTF), detective quantum efficiency (DQE), noise power spectrum (NPS), and quantum limited performance. The measured DQEs at lowest and highest spatial frequencies were 40% and 25% respectively, which was superior to that of commercial products by overseas vendor. The MTF values were significantly superior to that of CR and indirect type DRs. The quantum limited performance showed the detector was limited by quantum noise at the entrance exposure level below 0.023 mR, which is sufficiently low for general X-ray examination.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.18 no.1
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• pp.45-52
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• 2005

The recent development and advances in 2 dimensional solid-state NMR, particularly, triple quantum (3Q) MAS NMR yield much improved resolution compared with conventional 1 dimensional MAS NMR, allowing us to study the distributions of cations and anions in the non-crystalline silicate glasses and melts. Here, we present the recent progress made by 3QMAS NMR spectra of silicate glasses quenched from melts at pressures up to 10 GPa in a multi-anvil apparatus, revealing previously unknown details of structures of covalent oxide glasses and melts at high pressure.