• Title/Summary/Keyword: 비메모리

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국내 비메모리 반도체 '전성시대'

  • Kim, Jong-Yul
    • 정보화사회
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    • s.179
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    • pp.20-23
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    • 2006
  • 벤처들을 위한 국내 비메모리 반도체 시장이 전성기를 구가하고 있다. 과거에는 메모리에 국한된 반도체만 개발해 해외 비메모리 반도체 업체들에 의해 '폄하' 당하기도 했지만, 지금은 그들과 어깨를 나란히 할 만큼 기술력을 과시하고 있다. 이는 한국이 휴대폰 빛 DMB 시장에서 발군의 실력을 발휘하고 있기 때문이다. 국내 시장을 등에 없고 세계무대로 진출할 발판을 만든 것.

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국내 비메모리 반도체의 나아갈 방향

  • Kim, Hak-Geun
    • 정보화사회
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    • s.181
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    • pp.4-5
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    • 2006
  • '무리한' 컨버전스(융복합화) 시도 역시 짚고 넘어갈 대목이다. 경쟁력을 강화하기 위해 컨버전스를 시도하는 건 일견 당연해 보이지만, 자사 강점을 제대로 살리지 못한 '결합'이 결국 국내 비메모리 업체들의 경쟁력 약화를 야기한다는 지적도 새겨들어야 할 대목이 아닐까 싶다.

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Non-memory technology and it's business strategy (비메모리 반도체 기술과 사업전개 방향)

  • 김석기
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.8 no.2
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    • pp.237-241
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    • 1995
  • 반도체 사업의 영역을 어떻게 분류하느냐에 따라 다르겠으나, 우리나라가 메모리 분야에서는 세계의 선진회사와 어깨를 나란히 한다는 점에서 메모리분야와 비메모리분야를 분류해 보고, 특히 비메모리분야의 기술동향과 이 분야에서의 우리나라 반도체 업체들의 사업전개 방향에 대해 방향을 제시해 보고자 한다. 메모리는 국내업체가 세계시장의 30%이상을 공급하고 있고, 256메가디램등 메모리분야에서 최첨단 제품의 개발이 속속 발표되고 있다. 반면에 그의 반도체 (비메모리분야)의 경우는 세계시장의 수 퍼센트도 공급하지 못하는 실정으로 반도체의 75% 가량을 차지하는 이 시장의 진입을 위해 장단기 계획을 수립하여 적극적으로 추진해야 할 것이다. 이 논문에서는 반도체 기술의 현재 상황을 국내외로 비교검토하고 우리나라와 기업의 발전방향을 제시해 보고자 한다.

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전력 반도체소자의 어제와 내일 - 전력전자 기술

  • 최연익
    • 전기의세계
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    • v.46 no.2
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    • pp.13-22
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    • 1997
  • 최근 메모리 산업의 침체로 인하여 비메모리 분야의 관심이 높아지고 있다. 비메모리 분야 하면 주로 ASIC(Application Specific IC)이 떠오르지만, 대부분이 소량 다품종의 디지탈 시스템이기 때문에 사업이 쉽지 않다. 새로이 개발되어 각광을 받고 있는 전력 MOS, IGBT, MCT 등은 작은 패턴의 셀이 칩 내부에서 병렬 연결되어 있기 때문에 메모리 제조공정과 유사하다. 전력반도체 기술을 선도하고 있는 일본, 미국, 유럽의 기업체도 국내의 메모리 생산기술이 세계적인 수준이라고 찬사를 보내고 있다. 따라서 메모리 기억용량이 증가하면 새로운 생산공정이 구축되고, 이때 밀려나게 된 장비를 전력소자 제작에 사용할 수 있다면, 감가 상각된 장비의 재활용을 통한 원가절감 등 여러가지 면에서 도움이 될 수 있으리라 사료된다.

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Implementation of Memory controller for Punctuality Guarantee from Memory-Free Inspection Equipment using DDR2 SDRAM (DDR2 SDRAM을 이용한 비메모리 검사장비에서 정시성을 보장하기 위한 메모리 컨트롤러 구현)

  • Jeon, Min-Ho;Shin, Hyun-Jun;Kang, Chul-Gyu;Oh, Chang-Heon
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.136-139
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    • 2011
  • The conventional semiconductor equipment has adopted SRAM module as the test pattern memory, which has a simple design and does not require refreshing. However, SRAM has its disadvantages as it takes up more space as its capacity becomes larger, making it difficult to meet the requirements of large memories and compact size. if DRAM is adopted as the semiconductor inspection equipment, it takes up less space and costs less than SRAM. However, DRAM is also disadvantageous because it requires the memory cell refresh, which is not suitable for the semiconductor examination equipments that require correct timing. Therefore, In this paper, we will proposed an algorithm for punctuality guarantee of memory-free inspection equipment using DDR2 SDRAM. And we will produced memory controller using punctuality guarantee algorithm.

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SoC/IP Development Trends of Korean Fabless (국내 팹리스 업체의 SoC/IP 개발 동향)

  • Kim, J.H.;Cha, J.J.;Jang, I.S.;Park, J.H.;Yoon, B.J.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.22 no.5
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    • pp.78-85
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    • 2007
  • 최근 핸드폰 및 정보통신기기가 급속도로 발전함에 따라 그 핵심 부품이라 할 수 있는 비메모리 반도체의 발전이 최대 관심사로 떠오르고 있다. 비메모리 반도체를 대표하는 SoC의 발전은 한 국가의 정보통신 발전 및 국가 경제에 지대한 영향을 미친다고 볼 수 있다. 삼성전자로 대표되는 메모리 위주의 우리나라 반도체 산업도 지난 몇 년간 SoC를 개발하는 국내 팹리스 업체들에 의해 많이 발전하였다. 그럼에도 불구하고, 세계적으로 블루오션 시장으로 각광 받고 있는 SoC의 필수 요소인 IP 시장의 경우, 현재 국내에서는 불모지나 다름 없다. 이에, 본 고에서는 세계 IP 시장의 현 상황을 분석해 보고 국내 팹리스 업체의 SoC 개발 현황과 IP의 활용도를 알아보도록 한다. 또한, 국내 IP 시장의 활성화를 위한 정부 지원 프로그램을 알아보고, 개발 및 시장 활성화를 위한 방안을 찾아보고자 한다.

Portfolio-얼랑시스템(주) 박원구대표

  • Korea Venture Business Association
    • Venture DIGEST
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    • s.115
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    • pp.8-10
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    • 2008
  • 얼랑시스템(대표 박원구,www.erlang.co.kr)은 초고속 통신용 비메모리 반도체칩(ASIC) 설계업체로서 교환기, 네트워크 보안장비의 핵심 칩과 보드를 설계.제조한다. 여기서 개발한 교환기용 칩과 보드는 LG전자에 납품되어 최종 교환기로 완성된 후 KT, 데이콤, SK텔레콤, KTF등에 판매된다. 모범적인 상생경영을 통해 LG전자에 장영실상을 안겨준 장비인 MSR40의 핵심 비메모리칩을 개발한 얼랑시스템. 수요자 맞춤 설계로 시장의 어려움을 타개하고 세계 1위를 향해 발전하는 얼랑시스템의 박원구 대표를 만나본다.

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Optimizing the Cobalt Deposition Condition using the Experiment Design

  • Cheong, Seonghwee;Song, Ohsung
    • Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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    • 2002.12a
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    • pp.184-185
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    • 2002
  • 최신 강자성 메모리 공정과 실리콘 비메모리 공정에서 Co, Ni, Fe 등 천이금속 계열의 증착 조건이 소자의 특성 향상 및 신뢰성 향상을 위하여 중요성이 점점 중요해 지고 있다. 강자성 메모리(MRAM)의 출현과 함께 Co, Ni, Fe 등의 수십 $\AA$ 두께를 전체 기판에 대해 균일하게 증착할 요구가 생겼다. MRAM에 요구되는 자기저항특성은 이러한 박막의 수 $\AA$ 두께 변화에 급격히 변화할 수 있으므로[1,2] 원하는 두께로 균일하게 증착 할 수 있는 기술의 확보가 필요하다[3]. (중략)

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