• 대한전자공학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.41-45
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• 1984

양질의 에피택셜 층을 성장시키기 위해서는, 에피택셜 층을 성장시키기 직전에 HCl 가스를 사용하여 실리콘 기판을 에칭하는 과정이 거의 언제나 포함된다. 본 논문에서는, 대기압[1 기압]과 감압[0.1기압]에서 HCl 가스 농도와 에칭 온도의 변화에 따른 에칭속도 및 에치-피트 생성에 관하여 조사하였다. 그 결과, 대기압 공정과 감압 공정 모두 에칭 속도는 HCI 가스 농도의 2승[X ]에 비례하였으며, 명목상 활성화 에너지는 0∼11 Kcal/mole인 것으로 나타났다. 이러한 결과로부터, 감압 공정에서 HCl 가스에 의해 실리콘이 에칭되는 것은 대기압 공정에서와 같이 다음과 같은 반응에 의해 일어난다고 예측된다; Si + 2HCl ↔SiCl2 + H2.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.256-256
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• 2010

최근 반도체 공정을 위한 증착이나 식각장비에 있어서 웨이퍼 크기의 증가는 새로운 연구 분야를 발생시켰다. 웨이퍼의 크기가 200 mm에서 300 mm, 450 mm로 커지지만, 같은 특성 혹은 더 좋은 특성을 필요로 하는 플라즈마를 이용하는 진공장비의 기하적 구조는 비례적으로 증가하지 않는다. 이런 이유로 450 mm의 웨이퍼 공정용 장비의 제작에 있어서 진공 부품과 플라즈마 발생 소스는 더 이상 시행착오로 실험하기에는 막대한 돈과 시간, 인력의 투자가 필요하기 때문에 불가능하게 되었다. 이런 시행착오를 줄이기 위함의 일환으로 본 연구에서는 450 mm 웨이퍼 공정용 장비의 챔버 구성에 따른 플라즈마 균일도를 수치 모델링으로 예측했다. 챔버를 구성함에 있어서 baffle의 형상과 위치, 배기 manifold에 따른 유동분포, 플라즈마 균일도를 위한 안테나의 구조 등 중요한 요소들이 많이 존재하지만, 일단 전체적인 챔버의 종횡비가 결정되어야 가능한 일들이다. 첫째, 기판홀더와 챔버 벽면 간의 거리, 기판홀더와 배기구까지의 거리, 기판과 소스와의 거리가 인입되는 가스 분포와 플라즈마 균일도에 가장 큰 영향을 끼칠 것으로 판단된다. 즉, 위의 세 가지 챔버 내부 구조물의 크기 비에 따라 기판 바로 위에서의 플라즈마 균일도가 가장 좋은 디자인을 최적화하는 것이 본 계산의 목적이다. 기판 표면에서의 플라즈마 밀도 균일도는 기판홀더와 벽면과의 거리, 기판과 소스와의 거리가 멀수록, 기판홀더와 배기구와의 거리가 짧을수록 좋아졌으며, 그림과 같이 안테나의 디자인이 4 turn으로 1층인 경우, 두 turn의 안테나만 사용하여 기판표면에서 20~30%의 플라즈마 균일도를 4.7%까지 낮출 수 있었다

• 전자통신동향분석
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• 제5권4호
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• pp.134-144
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• 1990

칩의 다품종소량생산 경향과 대규모화 영향에 비례하여, 칩 전체 설계공정 중에서 자동화문제에 가장 민감한 레이아웃 설계에 있어서도 복잡도 및 난이도가 증가하고 있다. 따라서 레이아웃 설계에서는 다루어야 할 대량의 설계 데이터를 고속, 효율적으로 관리 처리하기 위한 고도의 자동설계기법이 절실히 요구되고 있는 실정이다. 본고에서는 이러한 칩 개발과제를 배경으로 하여 먼저 VLSI의 레이아웃 설계의 개요를 고찰하고, 설계에 있어서의 주 문제인 배치 및 배선에 대한 기본적인 설계기법, 각기법의 차이점, 그리고 연구현황에 대하여 기술하고 있다.

• 유변학
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• 제1권1호
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• pp.46-53
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• 1989

유한요소법을 이용하여 애뉼라다이 팽창현상을 수치 해석학적으로 분석하였다. 이보 고는 계속적인 연구의 일부로써 비탄성 비뉴토니안 유체인 지수법칙형의 유체에 대한 모사 이다. 이지수법칙형의 유체는 간단하나 고분자 공정 연구에 많이 쓰이는 구성식으로써, 분석 결과는 환형압축체의 두께는 지수법칙 지수에 비례하여 증가하였다. 높은 전단응력 감소유 체의 경우 두께는 증가하지 않고 감소하였다. 비등온 유체 및 여러 다른 형태의 압출형에 대한 수치해석 결과도 예시하였다.

• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 1998년도 가을 학술발표회논문집
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• pp.461-464
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• 1998

막의 면적에 비례되는 막분리 공정의 생산성은 넓은 표면적을 갖는 중공사막의 이용으로 가능해지므로 중공사막에 관한 연구가 활발하게 진행되어 해수의 담수화, 가정용수의 정화 등은 이미 실용화되었다. 해수의 담수화에 이용되는 역삼투(RO)막은 고압 하에서 무기이온의 제거, 가정용수의 정화에 이용되는 UF막은 저압 하에서 분자량이 비교적 큰 이물질의 분리에 사용되는 점이 다르다. 최근에는 해수에서 우라늄을 회수하기 위한 연구를 진행되고 있다. (중략)

• 전자통신동향분석
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• 제10권1호통권35호
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• pp.59-68
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• 1995

다른 산업공정에서 사용하는 제어기보다 더 빠르고 정밀한 위치 제어가 필요한 선형 DC모터 제어기에 비례 제어와 퍼지 제어의 모의 실험을 통하여 위치응답특성을 비교하고 위치 제어계에 대한 퍼지제어알고리즘의 적용 가능성을 기술하였다.

• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 1992년도 추계 총회 및 학술발표회
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• pp.9-9
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• 1992

막 반응기(membrane reactor)는 365 nm 의 파장을 갖는 UV를 담체튜브 및 코팅막에 조사시켜 막 표면에서 유기물의 산화반응이 일어날수 있도록 고안하였으며 일차적으로 formic acid의 산화효율을 측정하였다. 코팅된 담체는 코팅하지 않은 담체에 비해 flux가 상당히 저하하는 반면에 formic acid의 산화효율은 이에 비례하여 증가하였다. 또한 본 실험의 결과로부터 수처리공정에서 문제시되는 난분해성 유기물질의 산화분해처리에 대한 광촉매 막의 응용성을 제시하고자 한다.

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 2004년도 추계종합학술대회 논문 초록집
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• pp.434-434
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• 2004

• 융합신호처리학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.81-86
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• 2006

본 논문에서는 새로운 개념의 공정 검출 회로를 제안하였다. 제안된 공정 검출 회로는 장채널 트랜지스터와 최소의 배선폭을 갖는 단채널 트랜지스터 사이의 공정변수의 차이를 비교한다. 이 회로는 공정 변이에 따라 발생하는 캐리어 이동도의 차이를 이용하여 이에 비례하는 차동 전류를 생성해 낸다. 이 방법에서는 고 이득 연산증폭기를 사용한 궤환 회로를 구현함으로써 두 개의 트랜지스터의 드레인 전압이 같아지도록 유지한다. 또한, 본 논문은 제안한 자기-바이어스 슈퍼 MOS 복합회로를 이용하여 고 이득 자기-바이어스 rail-to-rail 연산증폭기를 설계하는 새로운 방법을 소개한다. 설계된 연산증폭기의 이득은 단상의 $0.2V{\sim}1.6V$ 공통모드 범위에서 100dB 이상으로 측정되었다 최종적으로, 제안한 공정 검출 회로는 차동 VCO 회로에 직접 적용하였으며, 설계된 VCO 회로를 통해서 공정 검출 회로가 공정 코너들을 성공적으로 보상하고 광범위한 동작 영역에서 안정된 동작을 수행함을 확인할 수 있었다.

• 한국지하수토양환경학회:학술대회논문집
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• 한국지하수토양환경학회 2002년도 총회 및 춘계학술발표회
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• pp.233-236
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• 2002

다양한 산업활동에 의하여 발생하는 6가 크롬 (Cr(Ⅵ))은 대표적인 토양 및 지하수 오염물질이다. Cr(Ⅵ)은 3가크롬(Cr(III))로의 환원에 의한 침전반응으로 이동성이 저하된다고 알려져 있다. 본 연구에서는 기존의 고형화/안정화 공정에 환원.분해 반응을 추가한 2가철 기반 분해성 고형화/안정화(Degradative Solidification/Stabilization)공정에 의한 Cr(Ⅵ) 처리 특성을 고찰하였다. 회분식 실험결과 cemen/Fe(II) system내에 Cr(Ⅵ)은 환원반응 뿐만 아니라 cement에 의한 침전에 의해서도 제거됨이 밝혀졌다. Cr(Ⅵ)의 제거속도는 Fe(II)의 반응당량에 비례하는 것으로 보여진 반면, cement/solution ratio에 따른 Cr(Ⅵ) 제거동역학의 차이는 그다지 크지 않았다