• 제목/요약/키워드: 비결정질

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Optically Addressed Spatial Light Modulators Using Smectic $C^*$ Liquid Crystal and Intrinsic Hydrogenerated Amorphous Silicon

  • 전형욱;손정영
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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    • pp.298-299
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    • 2000
  • 3차원 영상을 디스플레이하기 위한 반사형 광기록식 공간 광소자(Optically Addressed Spatial Light Modulator)를 연구하였다. 다시점 영상으로 표현되는 3차원 영상을 시분할 방식으로 디스플레이 하기 위해서는 고속의 프레임 구동이 가능한 디스플레이 소자가 있어야 하는데 본 연구에서는 Surface Stabilized Ferroelectric Liquid Crystal을 이용하여 그림 1과 같은 구조를 갖는 소자를 제작하였다.$^{(1)}$ 입력상이 입사되는 방향에 1.1 미리 미터 정도의 ITO 유리 기판이 있으며 투명 전극 다음에 약 2마이크론 정도의 비결정질 구조를 갖는 Si:H 감광층이 있다. 반사형 구조를 위해서 반사경으로 알루미늄 층을 10마이크론 X 10 마이크론 크기의 미소 패턴으로 화소화하였으며 강유전성 액정 결정을 Surface Stabilized화하기 위해서 배양막과 2 마이크론 이하의 Spacer를 두었다. 일반적인 액정 소자와 같이 다시 배양막과 유리 기판을 갖게 하였다. (중략)

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Synthesis of CuInSe2 Thin Film by Non-vacuum Precursor Coating and Oxidation Treatment

  • 이동욱;용기중
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.400-400
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    • 2011
  • 조성에 따른 밴드갭 조절이 용이하고 광흡수율이 결정질, 비결정질 실리콘보다 높으며 황동광 구조를 갖는 CuIn1-xGaxSe2 계 물질은 박막형 태양전지의 광흡수층으로 널리 쓰이고 있다. 기존 동시증발법, 스퍼터링법 등 진공 공정 기반 기술이 갖는 고비용 문제와 대면적화 필요성에 대한 대안으로 비진공 박막 증착법이 활발히 연구되고 있는 가운데, 본 연구에서는 닥터블 레이드 코팅법을 이용하여 상온 및 상압 환경에서 쉽게 전구체 박막을 코팅한 후 열처리함으로써 CuInSe2 박막을 얻을 수 있었다. 고분자로 이루어진 바인더(binder) 물질과 금속 아세테이트 (metal acetate)계 전구체를 용매에 용해시킨 후 이를 도포하고, 추가적인 산화 열처리 과정 (oxidation)을 통해 최근 문제가 되고 있는 잔류탄소층 문제를 해결할 수 있었다. XRD 분석 결과, 금속 전구체들은 산화 과정 통해 금속산화물로 변환되고, 이후 셀렌화(Selenization)과정에서 산소(Oxygen)가 셀레늄(Selenium)으로 치환되는 반응이 일어나는 것으로 관찰되었다. 또한 SEM 분석을 통해 잔류 탄소층이 존재하지 않으며 결정립 크기가 최대 수백nm 정도임을 확인하였다.

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회전 중 원심력에 의한 광디스크의 피로 파손 (Static fatigue failure of the rotating optical disc)

  • 황효균;김남웅;단병주;김종만;김외열;이진우
    • 대한기계학회:학술대회논문집
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    • 대한기계학회 2004년도 춘계학술대회
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    • pp.150-155
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    • 2004
  • The base material of optical disc is the amorphous polymer, polycarbonate. So crack growth on the rotating optical disc could happen by the static centrifugal force. This phenomenon is called static fatigue. Today's CD-R disc drive is being operated over 10,000 RPM. This is increasing the possibility of the disc fracture when operating. In this reason, new method to measure the static fatigue threshold quality and the way to calculate the threshold J-integral value and the safe crack length of the optical disc are studied. Finally the environmental effect to optical disc is also studied in this paper.

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졸-겔법에 의한$ Ta_2$$O_5$ 박막의 전기적 특성 (Electric properties of $ Ta_2$$O_5$ thin films by sol-gel method)

  • 유영각;이준웅
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제10권1호
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    • pp.61-67
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    • 1997
  • We have studied dielectric properties of sol-gel derived tantalum oxide thin films as the insulators. As the sample is annealed from 300.deg. C to 700.deg. C, it is found amorphous below 600.deg. C and crystalline over it. Dielectric constant is maximum(18.6) when Ta$_{2}$O$_{5}$ film was annealed at 400.deg. C. It is found that dielectric strength in Ta$_{2}$O$_{5}$ film annealed at 400.deg. C (1.5MV/cm) increases and then decreases over annealed at 500.deg. C. This phenomenon was attributed to pinhole effect and crystallization. The de conduction properties can be interpreted by Poole-Frenkel effect.ect.

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응력과 온도에 따른 아크릴(PMMA)의 크리프특성 (Creep Characteristic of the Polymethyl Methacrylate(PMMA) at Stresses and Temperatures)

  • 강석춘
    • 한국정밀공학회지
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    • 제28권12호
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    • pp.1403-1410
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    • 2011
  • Creep characteristic is an important failure mechanism when evaluating engineering materials that are soft material as polymers or used as mechanical elements at high temperatures. One of the popular thermo-elastic polymers, Polymethyl methacrylate(PMMA) which is used broadly for engineering polymer, as it has excellent mechanical and thermal properties compared to other polymers, was studied for creep characteristic at various level of stresses and temperatures. From the experimental results, the creep limit of PMMA at room temperature is 85 % of tensile strength. which is higher than that of PE (75%)at room temperature. Also the creep limits decreased to nil linearly as the temperatures increased, up to $120^{\circ}C$ of the melting point($267^{\circ}C$). Also the first and third stage among the three creep stages were non-existent nor were there any rupture failure which occurred for many metals at high temperatures.

양이온의 종류와 농도에 따른 황토와 점토광물의 분산과 응집 (Effect of Cation and Ionic Strength on Dispersion and Coagulation of Hwangto and Clay Minerals)

  • 박보경;김경민;김영인;염서연;이정우;형승우;황준호;김유미;공미혜;김정빈;노열
    • 한국광물학회지
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    • 제22권3호
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    • pp.249-259
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    • 2009
  • 본 연구는 황토와 황토에서 분리한 점토(clay fraction)를 이용하여 수용액 내 양이온의 종류와 농도에 따른 점토광물의 분산과 응집의 변화를 알아보고자 하였다. 본 연구를 위하여 사용한 황토는 전남 나주시 동강면 장동리 황토로 지표면으로 부터 90~130 cm 깊이에서 채취하였다. 황토와 황토에서 분리한 점토(< $2\;{\mu}m$) 그리고 이들 시료로부터 결정질 철과 비결정질 철을 제거한 황토와 점토시료를 이용하여 실험을 실시하였다. 이온의 종류와 농도에 따른 점토광물의 저면간격과 물리적 성질의 변화를 알아보기 위하여 4가지 양이온($Na^+$, $K^+$, $Mg^{2+}$, $Ca^{2+}$)과 이들 이온의 농도(0.001 M~1 M)를 변화시켰을 때 광물의 침강속도와 점토광물의 저면간격의 변화를 연구하였다. 장동리 황토의 주 구성광물은 석영이며, 황토로부터 분리한 점토는 카올리나이트, 일라이트, 버미큘라이트로 이루어져 있다. 장동리 황토의 비결정질 철과 결정질 철의 함량은 각각 16.3 mg/kg과 436 mg/kg으로 주로 결정질 철로 이루어져 있다. 이온농도가 다른 4가지 이온을 추가한 수용액에서 구성 입자의 크기가 작은 점토가 황토에 비하여 분산이 더 잘되었다. 황토광물을 코팅하고 있는 결정질 철과 비결정질 철을 제거하기 전과 제거한 후 광물의 분산실험 결과에서 철을 제거한 시료가 분산이 더 잘 일어났으며 이는 코팅된 철 산화물이 광물입자들의 분산을 방해하는 것으로 사료된다. 수용액 중 이온의 종류와 농도가 광물의 분산에 미치는 영향 실험결과에 따르면 첨가한 이온의 농도가 클수록 그리고 양이온 전하량이 클수록 침강속도가 빨랐다. X-선 회절 분석 결과에 따르면 카올리나이트와 일라이트는 양이온의 종류와 농도에 따른 저면 간격의 변화가 없었다. 하지만 버미큘라이트는 일반적으로 +2가 양이온을 첨가한 경우 저면간격이 $14.04\;{\AA}$으로 +1가 양이온의 $13.9\;{\AA}$보다 크게 나타났다. 이는 +2가 양이온들의 수화반경이 +1가 양이온보다 크기 때문으로 사료된다. 따라서 광물에 코팅된 철과 수용에 내의 이온의 종류와 농도가 광물의 분산 및 버미큘라이트와 같은 팽창성 점토광물의 저면간격에 영향을 줄 수 있음을 시사한다.

공동주택 벽체 반사율에 따른 PV창호시스템 발전효율 분석 (Analysis of Generating Efficiency in PV Window System consequent on Apartment House Wall Reflectivity)

  • 최두성;안준호;전흥찬;도진석
    • 한국태양에너지학회 논문집
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    • 제36권2호
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    • pp.31-39
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    • 2016
  • This study did quantitative comparative evaluation of changes in generation consequent on reflectivity of the protruding wall near the widow in case of application of PV window system to an apartment house. To be concrete, this study did comparative analysis of the generation of (B) through the process of composing Mock-up (A)comprising the protruding window near the window and Mock-up(B) free of nearby wall interference, and giving change to the reflectivity of the wall (Case_1~3). The analysis result showed that the difference in generation was slight in case solar radiation was less than 10,000Wh in all three conditions. On the contrary, in case solar radiation was more than 10,000 Wh, the generation as against Module(B), was analyzed to be 87~91% in Case_1(5% reflectivity), 18~60% in Case_2(85% reflectivity), and 16~71% in case_3(93% reflectivity), respectively.

극저온($150^{\circ}C$)에서 ICP-CVD로 증착한 Nanocrystalline-Si 박막 (Nanocrystalline-Si Thin Film Deposited by Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition (ICP-CVD) at $150^{\circ}C$)

  • 박상근;한상면;신광섭;한민구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.12-14
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    • 2005
  • Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition(ICP-CVD)를 이용하여 공정온도 $150^{\circ}C$에서 Nanocrystalline silicon (nc-Si) 박막을 증착하였다. 실험에서 헬륨(He)가스, 수소($H_2$)가스 그리고 헬륨(He)과 수소($H_2$)의 혼합가스로 희석한 사일렌($SiH_4$)을 반응가스로 이용하였다. 이 혼합가스는 3sccm의 사일렌($SiH_4$)에 헬륨(He)과 수소($H_2$)의 주입율을 20sccm에서부터 60sccm까지 변화시켜 조건을 달리하여 사용했다. 증착한 Nc-Si 박막을 X-ray diffraction (XRD)으로 분석하여 각각의 조건에 대한 Nc-Si 박막의 속성을 연구하였다. 헬륨(He) 또는 수소($H_2$) 혼합가스의 주입율이 커지면서 <111>과 <222>의 최고점(peak)이 더 높아졌으며 결정화 되지 않고 비결정질로 남아 있는 성장층(incubation layer)이 얇아졌다. 이 결과는 nc-Si를 증착할 때 사용한 수소($H_2$) 플라즈마와 헬륨(He) 플라즈마의 효과로 설명할 수 있다. 실험을 통해 ICP-CVD로 증착한 nc-Si 박막을 박막 전계효과트랜지스터 (TFT)에서 우수한 특성의 전자수송층(active layer)으로 사용할 수 있는 것을 확인하였다.

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삼기층중(三紀層中)에서 산출(産出)되는 산성백토(酸性白土)에 관(關)한 광물학적(鑛物學的) 조성(組成) 및 물리화학적(物理化學的) 성질(性質)에 관(關)하여 (Some Mineralogical and Physico-Chemical Properties of Fuller's Earths from Tertiary Sediments in South Korea)

  • 문희수
    • 자원환경지질
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    • 제16권3호
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    • pp.149-161
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    • 1983
  • 경상도(慶尙道) 지역(地域)의 삼기층중(三紀層中)에 배태(胚胎)되어진 산성백토(酸性白土)는 주(主)로 Ca-몽모리로나이트로 구성되며 이의 조성비(組成比)는 95%까지에 이른다. 이에 수반되는 광물(鑛物)은 크리스토발라이트, 석영(石英), 장석(長石), 삼정석광물(三井石鑛物) 및 비결정질(非結晶質)이 있다. 시차열분석(示差熱分析), 적외선 및 전자현미경에 의한 이들의 기본적인 특성(特性)을 기재하였고 물리적성질(物理的性質)을 섭성한계(涉性限界) 및 양이온교환능을 측정기재하였다. 이들 자원(資源)의 이용가능한 용도범위를 고찰하였다.

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a-Si 박막형 태양전지의 잔류응력 해석에 관한 연구 (A Study on the Residual Stress Analysis of a-Si Thin Film Solar Cell)

  • 허장욱;김동욱;최성대
    • 한국기계가공학회지
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    • 제12권2호
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    • pp.14-19
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    • 2013
  • The size and distribution of residual stresses and the effect of the minimum mesh size were investigated by the a-Si thin film solar cell. Attributed to the difference in coefficient of thermal expansion of the a-Si and Ag concentrated residual stresses at the joint interface of dissimilar materials. The ${\sigma}y$ and ${\tau}xy$ didn't appear in the central part, but ${\sigma}x$ existed. However, ${\sigma}x$, ${\sigma}y$ and ${\tau}xy$ appeared in the edge part and concentrated residual stresses at the interface between a-Si and Ag. Minimum mesh size gets smaller, the concentration of ${\sigma}y$ was significantly and existence area was reduced. As a result, the failure of thin film solar cells during the cutting process can be explained by the residual stresses.