• 대한소아치과학회지
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• 제40권2호
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• pp.89-97
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• 2013

연구의 목적은 인체 안정성이 입증된 고분자제제인 폴리비닐알코올(PVA, polyvinyl alcohol)로 얇은 박막을 제조하고 불화나트륨(NaF)을 첨가하여 불소를 함유한 고분자 접착 테이프(NaF-PVA)를 개발하여 피실험자의 구강 내에 도포 후 잔류하는 불소농도를 측정하였다. 이를 통해 제제 도포 전후의 타액 내 불소농도를 분석하여 불소를 함유한 고분자 접착 테이프의 치아우식증 예방효과를 간접적으로 평가하였다. 불소겔(60seconds taste$^{(R)}$, Group 1), 불소바니쉬(FluoroDose$^{(R)}$ varnish, Group 2)와 불소를 함유한 고분자 접착 테이프(NaF-PVA, Tiral product, Group 3)를 각각 15명씩 상악 치아 12개의 순면에 도포 후, 1시간, 3시간, 6시간, 12시간, 24시간, 48시간 후 비자극성 타액 내 불소농도를 불소이온전극을 이용하여 측정하였다. 도포 후 3시간까지 세 군 모두 불소제제 도포 전 농도보다 유의하게 높은 불소농도를 보였으며 3군의 경우 도포 후 6시간에서도 불소제제 도포 전 농도보다 유의하게 높은 불소농도를 보였다(p < 0.05). 도포 후 6시간에서 3군은 1군과 2군보다 유의하게 높은 불소농도를 보였고 (p < 0.05), 1군과 2군 사이의 유의한 차이는 없었다(p > 0.05).

• 대한소아치과학회지
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• 제36권3호
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• pp.367-376
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• 2009

본 임상연구는 상아질지각과민증을 치료하기 위한 여러 가지 방법 중 효과적인 방법의 하나로 알려져 있는 불소(NaF)를 이용하여 불소테이프(SCMC-T-5)를 개발, 제조하고, 이를 이용하여 상아질 지각과민 치료 효과를 기존의 불소바니쉬(Cavity $Shield^{TM}$)와 비교, 평가하였다. 상아질 지각과민증이 있는 건강한 20대 남녀 22명(88개 치아)이 본 임상연구에 참가하였으며, 각각 11명씩 불소테이프를 부착시킨 실험군과 불소바니쉬를 도포한 대조군으로 분류하였다. 불소 제제는 제조사의 지시에 따라 적용되었으며, 불소 제제 도포 전, 도포 3일후, 1주일 후, 4주일 후 대상치아에 압축공기와 얼음막대를 이용하여 자극을 가한 뒤 visual analog scale(VAS)을 이용하여 통증 정도를 표시하도록 하였다. 실험군에서 VAS scores는 초기에 38.636(air), 62.273(ice), 3일 후 30.273(air), 49.545(ice), 1주일 후 28.182(air), 40.000(ice), 4주일 후 26.364(air), 37.727(ice)이었으며, 초기 VAS socres에 비해 모든 VAS scores는 통계학적으로 유의성 있게 감소되었다. 대조군에서 VAS scores는 초기에 42.274(air), 65.909(ice), 3일 후 34.091(air), 55.909(ice), 1주일 후 28.636(air), 40.909(ice), 4주일 후 27.727(air), 31.364(ice)이었으며, 3일 후에 시행된 압축공기에 의한 자극검사를 제외한 모든 VAS scores는 초기 VAS socres와 비교했을 때 통계학적으로 유의성 있게 감소되었다. 본 임상연구에 사용된 불소테이프와 불소바니쉬는 상아질 지각과민증을 효과적으로 감소시켰고, 두 약제간의 치료효과의 차이는 없었다.

• 대한소아치과학회지
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• 제39권2호
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• pp.129-138
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• 2012

본 연구의 목적은 법랑질 표면 미세경도의 측정과 주사전자현미경 관찰을 통해 본 교실에서 개발한 2.26%의 불소를 함유한 폴리비닐알코올 테잎 (F-PVA tape)의 법랑질 탈회 억제 효과를 평가하기 위한 것이다. 60개의 법랑질 표본을 각 군당 15개 씩, 임의로 대조군, F-PVA tape 군, 불소바니쉬 군, CPP-ACFP 군으로 나누고, 각각의 재광화 제재를 도포한 후 pH-cycling 과정 거쳤다. 표본의 표면 미세경도를 측정하고 표면 미세경도 소실량을 계산하였다. 주사전자현미경 관찰을 위해, 각 군에서 5개의 표본을 추출하고 형태학적 특징을 분석하였고 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. pH-cycling 후, F-PVA tape 군과 불소바니쉬 군의 법랑질 표면 미세경도 값은 CPP-ACFP 군과 비교 시 유의하게 높았으며, F-PVA tape 군과 불소바니쉬 군 사이에는 유의한 차이가 없었다. 2. 주사전자현미경 관찰 시, F-PVA tape 군과 불소바니쉬 군에서는 법랑질 표면에 형성된 수많은 구형 및 난원형의 결정 입자들이 관찰되었으며, 결정 입자의 밀도는 대조군 및 CPP-ACFP 군에서 보다 높았다. F-PVA tape은 법랑질의 탈회를 억제하는데 효과적이며, 그 효과는 불소바니쉬와 견줄만하고, CPP-ACFP 보다 우수하다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.151-151
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• 1999

금속-산화막-반도체(MOS) 소자를 이용하는 집적회로의 발전은 게이트 금속의 규격 감소를 필요로 한다. 규격감소에 따른 저항 증가가 중요한 문제점으로 대두되었으며, 그동안 여러 연구자들에 의하여 금속 게이트에 관련된 연구가 진행되어 왔다. 특히 저항이 낮으며 녹는점이 매우 높은 내화성금속(refractory metal)인 텅스텐(tungsten, W)이 차세대 MOS 소자의 유력한 대체 게이트 금속으로 제안되었다. 텅스텐은 스퍼터링(sputtering)과 화학기상 증착(CVD) 방식을 이용하여 성장시킬 수 있다. 스퍼터링에 의한 텅스텐 증착은 산화막과의 접착성은 우수한 반면에 증착과정 동안에 게이트 산화막(SiO2)에 손상을 주어 게이트 산화막의 특성을 열화시킬 수 있다. 반면, 화학기상 증차에 의한 텅스텐 성장은 스퍼터링보다 증착막의 저항이 상대적으로 낮으나 산화막과의 접착성이 좋지 않은 문제를 해결하여야 한다. 본 연구에서는 감압 화학기상 증착(LPCVD)방식을 이용하여 텅스텐 게이트 금속을 100~150$\AA$ 두께의 게이트 산화막(SiO2 또는 N2O 질화막)위에 증착하여 물리 및 전기적 특성을 분석하였다. 물리적 분석을 위하여 XRD, SEM 및 저항등이 증착 조건에 따라서 측정되었으며, 텅스텐 게이트로 구성된 MOS 캐패시터를 제작하여 절연 파괴 강도, 전하 포획 메커니즘 등과 같은 전기적 특성 분석을 실시하였다. 특히 텅스텐의 접착성을 증착조건의 변화에 따라서 분석하였다. 텅스텐 박막의 SiO2와의 접착성은 스카치 테이프 테스트를 실시하여 조사되었고, 증착시의 기판의 온도에 민감하게 반응하는 것을 알 수 있었다. 또한, 40$0^{\circ}C$ 이상에서 안정한 것을 볼 수 있었다. 텅스텐 박막은 $\alpha$ 및 $\beta$-W 구조를 가질 수 있으나 본 연구에서 성장된 텅스텐은 $\alpha$-W 구조를 가지는 것을 XRD 측정으로 확인하였다. 성장된 텅스텐 박막의 저항은 구조에 따라서 변화되는 것으로 알려져 있다. 증착조건에 따른 저항의 변화는 SiH4 대 WF6의 가스비, 증착온도에 따라서 변화하였다. 특히 온도가 40$0^{\circ}C$ 이상, SiH4/WF6의 비가 0.2일 경우 텅스텐을 증착시킨 후에 열처리를 거치지 않은 경우에도 기존에 발표된 저항률인 10$\mu$$\Omega$.cm 대의 값을 얻을 수 있었다. 본 연구를 통하여 산화막과의 접착성 문제를 해결하고 낮은 저항을 얻을 수 있었으나, 텅스텐 박막의 성장과정에 의한 게이트 산화막의 열화는 심각학 문제를 야기하였다. 즉, LPCVD 과정에서 발생한 불소 또는 불소 화합물이 게이트의 산화막에 결함을 발생시킴을 확인하였다. 향후, 불소에 의한 게이트 산화막의 열화를 최소화시킬 수 있는 공정 조건의 최저고하 또는 대체게이트 산화막이 적용될 경우, 개발된 연구 결과를 산업체로 이전할 수 있는 가능성이 높을 것을 기대된다.