• Title/Summary/Keyword: 불소 테이프

Search Result 4, Processing Time 0.021 seconds

EVALUATION OF FLUORIDE-RELEASING CAPACITY FROM POLYVINYL ALCOHOL POLYMER TAPE SUPPLEMENTED WITH NAF IN ORAL CAVITY (폴리비닐알코올 기반 고분자 불소 함유 테이프의 구강 내 불소 유리 성능 평가)

  • Lee, Ka-Young;Lee, Sang-Ho;Lee, Nan-Young
    • Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
    • /
    • v.40 no.2
    • /
    • pp.89-97
    • /
    • 2013
  • The purpose of this study is to investigate fluoride release in the oral cavity from polymer adhesive tape which is NaF coated PVA. 45 healthy adults were divided into 3 groups by the type of topical fluoride applied: 60seconds taste$^{(R)}$ APF gel (group 1), FluoroDose$^{(R)}$ varnish (group 2) and NaF-PVA (group 3). Topical fluoride was applied to the facial surface of maxillary 12 teeth and unstimulated whole saliva was collected to measure fluoride release after 1, 3, 6, 12, 24, and 48 hours. Fluoride-sensitive electrode was used for measuring the fluoride concentration in the saliva samples. All three groups showed significantly higher value for fluoride concentration than the baseline after 1 and 3 hours (p < 0.05). After 6 hours, group 3 showed significantly higher fluoride concentration than the baseline (p < 0.05) and also showed significantly higher value for fluoride concentration than group 1 and group 2. Between group 1 and group 2, however, there was no significant difference statistically with respect to fluoride concentration value (p > 0.05).

THE THERAPEUTIC EFFECT OF FLUORIDE-CONTAINING ADHESIVE TAPE ON DENTIN HYPERSENSITIVITY (불소함유 접착 테이프의 상아질 지각과민증 치료효과)

  • Jang, Hyang-Gil;Lee, Nan-Young;Lee, Sang-Ho
    • Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
    • /
    • v.36 no.3
    • /
    • pp.367-376
    • /
    • 2009
  • In this clinical research, the fluoride tape(SCMC-T-5) using fluoride(NaF) was developed and manufactured and the treatment effect of the fluoride tape in dentin hypersensitivity patients was evaluated and compared with the effect of existing fluoride varnish($CavityShield^{TM}$). Twenty two healthy adult patients(88 teeth) having dentin hypersensitivity participated in this clinical research and they were divided into two groups. The fluoride product was applied according to the manufacturer's instruction and the level of pain in the tooth after giving irritation using compressed air and ice stick was measured just after the application, after 3 days, after a week and after 4 weeks each using visual analog scale(VAS). In the experimental group, compared with the early VAS scores, all other VAS scores showed the significant decreases statistically. In the control group, all VAS scores except the VAS score of 34.091(air) measured 3 days after(using the irritation examination by the compressed air) showed the significant decreases statistically when compared with the early VAS scores. The fluoride tape and fluoride varnish used in this clinical research were able to treat the dentin hypersensitivity effectively.

  • PDF

IN VITRO EVALUATION OF EXPERIMENTAL FLUORIDE TAPE IN INHIBITION OF ENAMEL DEMINERALIZATION (불소 테이프의 법랑질 탈회 억제 효과에 관한 실험적 평가)

  • Kim, Min-Jung;Lee, Sang-Ho;Lee, Nan-Young;Park, Seung-Hyo
    • Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
    • /
    • v.39 no.2
    • /
    • pp.129-138
    • /
    • 2012
  • The aim of this in vitro study was to evaluate the effectiveness of experimental 2.26% fluoride-polyvinyl alcohol (F-PVA) tape in inhibition of enamel demineralization using enamel surface microhardness (SMH) analysis and scanning electron microscopy (SEM) examination. Enamel specimens (n=60) randomly assigned to four groups: control group, F-PVA tape group, fluoride varinish (F-varnish) group, casein phosphopeptide-amorphous calcium phosphate (CPP-ACFP) group. After topical application, pH-cycling was processed. Then, SMH was measured and the percentage loss of surface microhardness (%SML) was calculated. For the SEM examination, five sample specimens in each group were treated and the morphologic character was evaluated. After pH-cycling, the SMH values of the enamel specimens of F-PVA tape and F-varnish group were significantly higher than that of CPP-ACFP group, there was no significant difference between F-PVA tape and Fvarnish group. With SEM examination, enamel surfaces in the F-PVA tape group and F-varnish group showed numerous spherical and ovoid crystals formed on the enamel surface were also observed. The density of crystals was higher than that of both control group and CPP-ACFP group. F-PVA tape is effective in inhibition of enamel demineralization. Also, F-PVA tape's inhibition of enamel demineralization is comparable to that of F-vanish and greater than that of CPP-ACFP.

LPCVD로 성장된 텅스텐 게이트의 물리.전기적 특성 분석

  • 노관종;윤선필;황성민;노용한
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 1999.07a
    • /
    • pp.151-151
    • /
    • 1999
  • 금속-산화막-반도체(MOS) 소자를 이용하는 집적회로의 발전은 게이트 금속의 규격 감소를 필요로 한다. 규격감소에 따른 저항 증가가 중요한 문제점으로 대두되었으며, 그동안 여러 연구자들에 의하여 금속 게이트에 관련된 연구가 진행되어 왔다. 특히 저항이 낮으며 녹는점이 매우 높은 내화성금속(refractory metal)인 텅스텐(tungsten, W)이 차세대 MOS 소자의 유력한 대체 게이트 금속으로 제안되었다. 텅스텐은 스퍼터링(sputtering)과 화학기상 증착(CVD) 방식을 이용하여 성장시킬 수 있다. 스퍼터링에 의한 텅스텐 증착은 산화막과의 접착성은 우수한 반면에 증착과정 동안에 게이트 산화막(SiO2)에 손상을 주어 게이트 산화막의 특성을 열화시킬 수 있다. 반면, 화학기상 증차에 의한 텅스텐 성장은 스퍼터링보다 증착막의 저항이 상대적으로 낮으나 산화막과의 접착성이 좋지 않은 문제를 해결하여야 한다. 본 연구에서는 감압 화학기상 증착(LPCVD)방식을 이용하여 텅스텐 게이트 금속을 100~150$\AA$ 두께의 게이트 산화막(SiO2 또는 N2O 질화막)위에 증착하여 물리 및 전기적 특성을 분석하였다. 물리적 분석을 위하여 XRD, SEM 및 저항등이 증착 조건에 따라서 측정되었으며, 텅스텐 게이트로 구성된 MOS 캐패시터를 제작하여 절연 파괴 강도, 전하 포획 메커니즘 등과 같은 전기적 특성 분석을 실시하였다. 특히 텅스텐의 접착성을 증착조건의 변화에 따라서 분석하였다. 텅스텐 박막의 SiO2와의 접착성은 스카치 테이프 테스트를 실시하여 조사되었고, 증착시의 기판의 온도에 민감하게 반응하는 것을 알 수 있었다. 또한, 40$0^{\circ}C$ 이상에서 안정한 것을 볼 수 있었다. 텅스텐 박막은 $\alpha$$\beta$-W 구조를 가질 수 있으나 본 연구에서 성장된 텅스텐은 $\alpha$-W 구조를 가지는 것을 XRD 측정으로 확인하였다. 성장된 텅스텐 박막의 저항은 구조에 따라서 변화되는 것으로 알려져 있다. 증착조건에 따른 저항의 변화는 SiH4 대 WF6의 가스비, 증착온도에 따라서 변화하였다. 특히 온도가 40$0^{\circ}C$ 이상, SiH4/WF6의 비가 0.2일 경우 텅스텐을 증착시킨 후에 열처리를 거치지 않은 경우에도 기존에 발표된 저항률인 10$\mu$$\Omega$.cm 대의 값을 얻을 수 있었다. 본 연구를 통하여 산화막과의 접착성 문제를 해결하고 낮은 저항을 얻을 수 있었으나, 텅스텐 박막의 성장과정에 의한 게이트 산화막의 열화는 심각학 문제를 야기하였다. 즉, LPCVD 과정에서 발생한 불소 또는 불소 화합물이 게이트의 산화막에 결함을 발생시킴을 확인하였다. 향후, 불소에 의한 게이트 산화막의 열화를 최소화시킬 수 있는 공정 조건의 최저고하 또는 대체게이트 산화막이 적용될 경우, 개발된 연구 결과를 산업체로 이전할 수 있는 가능성이 높을 것을 기대된다.

  • PDF