• Title/Summary/Keyword: 분포의 변화

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Analysis of Threshold Voltage and Conduction Path for Ratio of Channel Length and Thickness of Asymmetric Double Gate MOSFET (비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 두께 비에 따른 문턱전압 및 전도중심 분석)

  • Jung, Hakkee;Jeong, Dongsu
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2015.05a
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    • pp.829-831
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    • 2015
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 문턱전압 및 전도중심의 변화를 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 전압에 의하여 전류흐름을 제어할 수 있어 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 채널길이가 감소하면 필연적으로 발생하는 문턱전압의 급격한 변화는 소자 특성에 커다란 영향을 미치고 있다. 특히 상하단의 게이트 전압, 상하단의 게이트 산화막 두께 그리고 도핑분포변화에 따라 발생하는 전도중심의 변화는 문턱전압을 결정하는 중요 요소가 된다. 해석학적으로 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식을 통하여 유도하였다. 다양한 채널길이 및 채널두께에 대하여 전도중심과 문턱전압을 계산한 결과, 채널길이와 채널두께의 비 등 구조적 파라미터뿐만이 아니라 도핑분포 및 게이트 전압 등에 따라 전도중심과 문턱전압은 크게 변화한다는 것을 알 수 있었다.

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개구 거리변화에 따른 압력용기 헤드의 응력분포 평가

  • 김강수;김태완;장문희
    • Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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    • 1998.05b
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    • pp.915-920
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    • 1998
  • 본 논문에서는 반구형 헤드(hemi-spherical head)를 가진 압력용기에 비방사형(non-radial) 노즐을 가공할 경우, 개구(opening) 간격이 반구형 헤드의 설계에 미치는 영향을 검토하기 위하여 개구 간격의 변화에 따른 응력분포변화를 분석하였다. ASME 코드는 NB-3222.4(d)의 설계 조건을 만족하는 압력 용기의 혜드에 노즐을 가공할 경우, NB-3338.2(d)에서 개구사이의 최소거리를 제시하고 있다. 본 논문에 서는 ASME 코드가 제시하고 있는 개구사이의 최소거리의 타당성과 설계상 이 요건을 만족하지 못하는 경우에 대하여 분석하고 검토하였다. 해석모델은 한국 표준형원자로의 가압기를 기본모델로하여 개구사이의 간격변화에 따른 응력변화를 검토하고, 설계시 고려하여야할 인자를 분석하였다.

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관악산지역 지하수 및 지표수 수질의 지구화학적 특성연구

  • 정현석;이상훈
    • Proceedings of the Korean Society of Soil and Groundwater Environment Conference
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    • 2003.09a
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    • pp.540-542
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    • 2003
  • 산을 관통하는 터널은 기존의 지하수위를 낮추어 지하수량 및 수질 변화와 함께 주변 식생에 영향을 미칠 수 있다. 본 연구는 서울시 내부 순환도로 건설에 따라 관악산을 관통할 예정인 터널 건설로 인한 지하수 환경변화를 이해하고자 한다. 즉, 현재 산출되는 지하수, 약수 및 지하수 화학특성을 파악하고 지하수 수문 자료와 연계하여 향 후 수질변화 가능성을 예측하고자 한다. 조사 지역에 분포하는 지하수는 지하수위가 대체로 최대 2m 정도에서 최대 20m를 넘지 않으며 일부 관정은 계절에 따라 수온 변화를 보여 지표수와 연계성을 시사한다. 전반적으로 중성에서 약산성을 띄며 이는 화강암과 화강 편마암으로 이루어진 이 지역의 지질특성에 기인한 것으로 생각된다. piper diagram에 도시하였을 경우 지표수는 지하수에 비하여 Na, K 에 비하여 Ca, Mg, Cl, SO$_4$가 우세한 반면 지하수와 약수의 경우 뚜렷한 특성 차이를 보이지 않으며 넓은 영역에 걸친 분포를 보인다.

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Ion Energy Analyzer를 이용한 자화된 ICP에서 기판 이온 에너지 분포 특성연구

  • Lee, U-Hyeon;Kim, Dong-Hyeon;Kim, Hyeok;Jeong, Jae-Cheol;Hwang, Gi-Ung
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.502-502
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    • 2012
  • 반도체 공정 중 플라즈마를 이용하는 식각 공정의 경우, 실제 식각률이나 profile의 특성은 RF Bias power에 의해 기판에 당겨지는 이온 선속에 의해 큰 영향을 받는다. 때문에 플라즈마 발생장치 내에서 기판에서의 이온에너지 분석이 중요해지고 있다. 이온에너지 분석을 위해 다양한 형태의 이온에너지 분석기가 나와있으나 기판 위에 얹혀있는 양상이었다. 이에 본 발표에서는 실제 기판 안에 이온에너지 분석기를 설치함으로써 실제 기판에서 wafer가 받는 이온들의 양상에 더 가깝게 접근했다. 이렇게 제작 된 이온에너지 분석기를 이용해 대면적 M-ICP(Magnetized-Induced Coupled Plasma)에서 아르곤 가스를 이용한 플라즈마에서 기판 이온 에너지 분포를 확인해 보았다. 압력의 변화, ICP Source power의 변화, 일정한 Source power에서 기판에 가해지는 Bias power의 변화에 대해 측정함으로써 각각의 조건 변화에 따른 이온들의 변화양상에 대한 이해를 할 수 있었다.

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시추공 내에서의 수리 상수 결정을 위한 시추공모형에서의 전기전도도검층 기법 적용

  • 김영화;임헌태
    • Proceedings of the KSEG Conference
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    • 2002.04a
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    • pp.155-160
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    • 2002
  • 지구물리검층기법을 이용하여 시추공 내에서 수리상수를 결정을 위한 예비연구의 하나로 모형시추공을 이용한 전기전도도 검층기법의 적용을 시도하였다. 실험은 모형 시추공 내에 전기전도도가 다른 지층수를 유입, 유출시키면서 공내수의 전기전도도 변화를 모니터링하는 방법으로 이루어졌다. 실험 결과, 전기전도도 분포의 변화 양상은 단위 시간당 유량과, 공내수와 지층수의 전기전도도 차, 밀도 차에 의하여 크게 영향받는 것으로 나타났으며 모형 시추공 내에서의 전기도도 변화는 매우 일정한 경향을 보였다. 모형 시추공 내에서의 전기도도 변화는 유량의 변화와 매우 좋은 상관이 얻어졌으며 이로부터 투수계수 유도를 위한 모델 방정식이 유도될 수 있었다. 전기전도도검층 기법은 시추공 내에서의 투수계수를 구하는데 있어서 매우 효과적일 방법이 될 수 있는 것으로 나타났다.

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한반도 동남부 연안해역의 저서성유공충 분포특성

  • 정규귀;김귀영;강소라
    • Proceedings of the Korean Society of Fisheries Technology Conference
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    • 2000.05a
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    • pp.211-212
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    • 2000
  • 유공충은 껍질(test)을 가지는 원생동물로 기수역(brackish) 내지는 해양에 널게 분포하고 있다. 대부분 석회질 혹은 사질(arenaceous)의 껍질로 구성되어 있으며, 해양퇴적물의 중요한 생물원 요소가 되고 있다(Matoba, 1975). 유공충은 서식환경에 따라 종조성을 달리하거나 종내변이(variety 혹은 ecophenotype)를 보이며 환경의 변화에 민감하게 반응한다. 본 연구에서는 한반도 동남부 연안해역의 내 대륙붕 니질대(nearshore mud belt) 및 영일만에 분포하는 저서성유공충의 분포특성을 파악하고 저질환경인자에 대한 반응 종을 탐색함으로써 연안환경에 서식하는 유공충의 환경지시자를 밝히고자 한다. (중략)

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Improved Correlation between Laser Hologram and Plasma Ion Flux (레이저홀로그램과 플라즈마 이온 플럭스간의 개선된 상관 관계)

  • Jeong, Jin-Su;Seo, Jun-Hyeon;Kim, Byeong-Hwan
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2015.05a
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    • pp.186-186
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    • 2015
  • 레이저 홀로그램에서 추출한 입자 데이터와 Langmuir probe로 측정한 이온 플럭스간의 개선된 상관관계를 보고한다. 레이저 홀로그램 센서 시스템을 이용하여 척 온도 변화에 따른 플라즈마 공간에서의 입자에너지 분포를 이미징하였다. 진공에너지분포를 뺀 에너지분포에 나타나는 두 종류의 분포에 관여하는 전체 입자수 분포는 이온플럭스 데이터와 전체 온도 범위에서 매우 유사한 경향성을 보였다.

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Measurement of POF Refractive Index Profile by using Phase-Shifting Moire Deflectometry (위상천이 모아레 간섭방법을 이용한 POF의 굴절률 분포 측정)

  • 우세윤;이현호;박승한
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2003.07a
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    • pp.274-275
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    • 2003
  • 광통신 분야의 연구 중 근거리 광통신 분야에 적용하기 위한 Plastic Optical Fiber(POF)에 관한 연구와 개발이 활발히 이루어지고 있다. POF의 광전송 특성을 결정짓는 요소 중 가장 중요한 특성이 바로 굴절률 분포이다. 이에 따라 그동안 다양한 형태의 POF 굴절률 측정 방법이 연구되어 왔다. 기존 Glass Optical Fiber의 굴절률 분포 측정 방법 중 가장 일반적이고 효과적인 방법 중 하나는 coherent 빛의 간섭을 이용한 transverse interferograms을 분석하는 방법으로 Fizeau 간섭계와 같은 간섭계를 이용하여 위상변화를 측정하고 측정한 위상을 tomography적인 해석방법을 통해 굴절률 분포를 계산하는 방법이다. (중략)

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Prediction for the Spatial Distribution of Occupational Employment by Applying Markov Chain Model (마르코프 체인 모형을 이용한 직종별 취업자의 공간적 분포 변화 예측)

  • Park, So Hyun;Lee, Keumsook
    • Journal of the Korean Geographical Society
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    • v.51 no.4
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    • pp.525-539
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    • 2016
  • This study attempts to predict the changes in the spatial distribution of occupational employment in Korea by applying Markov Chain Model. For the purpose we analyze the job-related migration pattern and estimate the transition probability with the last six years job-related migration data. By applying the Chapman-Kolmogorov equation based on the transition probability, we predict the changes in the spatial distribution of occupational employment for the next ten years. The result reveals that the employment of professional jobs is predicted to increase at every city and region except Seoul, while the employment of elementary labor jobs is predicted to increase slightly in Seoul. In particular, Gangwon-do and Chuncheongdo are predicted to increase in the employment of all occupational jobs.

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Analysis of Subthreshold Swing for Oxide Thickness and Doping Distribution in DGMOSFET (산화막두께 및 도핑분포에 대한 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙분석)

  • Jung, Hak-Kee
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.15 no.10
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    • pp.2217-2222
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    • 2011
  • In this paper, the relationship of potential and charge distribution in channel for double gate(DG) MOSFET has been derived from Poisson's equation using Gaussian function. The relationship of subthreshold swing and oxide thickness has been investigated according to variables of doping distribution using Gaussian function, i.e. projected range and standard projected deviation, The analytical potential distribution model has been derived from Poisson's equation, and subthreshold swing has been obtained from this model for the change of oxide thickness. The subthreshold swing has been defined as the derivative of gate voltage to drain current and is theoretically minimum of 60 mS/dec, and very important factor in digital application. Those results of this potential model are compared with those of numerical simulation to verify this model. As a result, since potential model presented in this paper is good agreement with numerical model, the relationship of subthreshold swing and oxide thickness have been analyzed according to the shape of doping distribution.