Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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1998.05b
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pp.124-129
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1998
고온고압 수화학 분위기를 모사한 조건에서 피로균열성장 거동에 관한 연구를 수행하였다. 고온고압분위기 모사를 위해 Load machaine, Autoclave, Water loop, 균열측정장치(Reversing DCPD) 그리고 전기화학변수 측정장치 등을 설치하였다. 우선 공기분위기 및 상온수화학 분위기에서의 시험을 통해 안정성을 확인하였으며, 안정한 조건에서 고온수화학분위기에서 실험을 수행하였다. 수화학 분위기에서 용존산소에 상관없이 취성파면이 관찰되었다. 용존산소의 양이 적을 경우(10ppb이하) 발견된 취성파면의 양은 연성파면에 비해 훨씬 적었으며, 용존산소가 높을 경우(8000ppb) 취성파면의 양이 많이 발견되었다. 산소포화된 고온수화학 분위기 피로시험결과는 피로균열성장이 주로 취성파면에 의해 이루어졌으며, 균열성장속도 또한 크게 증가하였다.
본 고의 내용은 가공부의 분위기를 제어하고 가공장치 전체를 벨자(챔버)로 씌워 밀폐하고 그 안에서 가공하는 새로운 벨자형의 폴리싱 장치에 관한 것이다. 필자들이 고안, 시작한 밀폐 벨자형 폴리싱 장치는 벨자내에 각종 가스를 투입함과 동시에 일정 압력 하에서 또는 벨자내를 감압(진공)함으로서 가공부 전체의 분위기를 일정 조건으로 제어하는 것이 가능하다. 이 장치를 적용하여 다양한 가공환경 분위기 하에서 SiC와 사파이어 등의 어려운 가공 재료를 포함하는 각종 기능성 재료의 가공을 시험한 가공 특성을 소개함과 동시에 가공 메커니즘에 대해서 고찰하기로 한다. 한편, 본 원고의 번역에는 (주)그린광학의 김동균 부장이 도움을 주셨다.
Kim, Yoo-Taek;Ryu, Yu-Gwang;Jang, Chang-Sub;Lee, Ki-Gang;Kang, Seung-Gu;Kim, Jung-Hwan
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.19
no.6
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pp.318-323
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2009
The lightweight aggregates made of bottom ash (70 wt%) and dredged soil (30 wt%) were prepared to investigate the property differences at various sintering atmospheres. The green aggregates were sintered at $1150^{\circ}C$ and $1200^{\circ}C$ with oxidized, neutralized and reduced atmospheres. The aggregates sintered with oxidized atmosphere showed a clear border between shell and black core area. However, the aggregates sintered with a reduced atmosphere showed only black core area in the entire cross-section of the aggregates. The black core area of the aggregates sintered with a neutralized atmosphere increased with increasing $N_2$ gas flow rates. It was determined that the sintering atmosphere was similar to that of rotary kiln when the CO gas flow was 100 cc/min to make a reduced atmosphere in tube furnace. The water absorption rates of both aggregates from tube furnace with reduced atmosphere and rotary kiln were very similar to each other.
해수 중에 있는 구조용강에 음극방식을 실시했을 때의 피로균열진전 특성을 공기 중에서와 비교 하면서 정리하였으며 또한 몇 가지 영향인자들의 역할에 대해서도 기술하였다. 그러나, 이러한 특성들은 아직까지 그 정확한 메커니즘이 규명되지 못하고 있으며, 특히 균열선단에서의 소성 거동이 부식분위기나 수소분위기에서 어떻게 변화하는가 하는 문제에 대해서는 앞으로도 많은 연구가 이루어져야 할 것이다. 응력조건과 부식조건이 동시에 적용될 때, 재료의 거동을 직접 적으로 해석하기 어려운 경우가 많으며, 따라서 관련되는 많은 영향인자들의 역할에 대한 상세한 정보들이 요구되고 있으며, 또한 관련 정보들을 유기적으로 결합시키는 이론적인 근거를 마련 해야 할 필요가 있다.
The effects of atmosphere on the creep rupture properties of Ni-base superalloy Ren6 80 were investigated. Creep rupture tests were performed at $760^{\circ}C$, 657MPa and 982%, 157MPa under Ar gas atmospheres. Creep rupture mode and rupture properties (rupture life and elongation) were similar in two different atmospheres under the condition of $760^{\circ}C$, 657MPa. However, the results at $982^{\circ}C$, 157MPa showed different creep rupture mode and life between air and Ar gas atmospheres. In air, it was shown that creep cracks were initiated at surface-exposed grain boundaries and propagated along grain boundaries. In Ar gas atmosphere, the cracks were initiated at inner grain boundaries and coalesced to surface cracks which cause cup-and-cone type fracture. Due to protective oxide layer formation, air test showed longer rupture life than Ar test.
Sputtering 방법을 통해 Si기판 위에 Ti와 TiN박막을 증착하고 저압 반응관내에서 Cu*hfac)(TMVS)를 precursor로 사용 MOCVD Cu박막을 증착하여 Cu/TiN/Ti/Si구조의 다층박막을 제조하였고 이에 대한 열처리 방식 및 분위기 변화 등을 통해 열처리 조건에 따른 Cu 박막의 특성 변화에 대해 조사하였다. 열처리 방식으로는 Cu박막을 형성한 후 공기 중에 노출이 없이 바로 열처리하여 Cu산화물 형성을 억제할 수 있는 in-situ열처리 방식이 유리하고, 열처리 분위기로는 Cu 박막의 표면이나 결정립계 내에 존재하는 Cu 산화물을 환원시켜 줄 수 있는 H$_{2}$(10%)/Ar분위기가 표면평탄화, 결정립 크기 증가 및 비저항 감소측면에서 우수한 특성의 Cu박막을 얻을 수 있음을 확인하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2015.05a
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pp.73-74
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2015
본 연구에서는 상호간의 고용도가 없는 Mo, Cu 재료의 합금화가 용이하도록 기계적 합금화법(Mechanical Alloying)을 이용하여 Mo-Cu 합금분말을 제조하였고, 준안정상태의 구조의 유지가 가능한 방전 플라즈마 소결법(Spark Plasma Sintering)을 이용하여 합금타겟을 제작하였다. Mo-Cu 박막을 제작하기 위해서 합금타겟을 이용하였고 스퍼터링 공정을 진행하여 박막을 제작하였다. 그 결과 Mo-10wt%Cu 단일타겟을 이용하여 제작한 박막의 경우 Ar : N 분위기에서 27.7GPa 로 가장 높은 경도값을 가지는 것을 확인하였다. 또한 Mo-5wt%Cu 단일타겟을 이용하여 Ar : N 분위기에서 제작한 박막은 건식조건에서의 마찰계수값이 0.69 로 가장 낮은 것을 확인할 수 있었으며 윤활조건(GF4)에서는 Mo-10wt%Cu 단일타겟을 이용하여 Ar : N 분위기에서 제작한 박막이 0.56 으로 가장 낮았다.
용융탄산염 연료전지용 anode의 creep 현상을 개선하기 위해 $Ni-5wt.\%Al$ green sheet를 사용하여 다양한 소결조건을 적용, $Al_2O_3$를 형성시킨 전극을 제조하고 그 $Al_2O_3$의 형태에 따른 creep 특성에 대해 연구하였다. 소결은 각각 환원분위기, 완전산화-환원분위기, 부분 산화-환원분위기의 서로 다른 분위기에서 진행하였는데, 부분산화-환원분위기로 소결한 경우 Ni-Al 고용체 네트워크를 깨드리지 않고 $A1_2O_3$를 미세한 입자형태로 분산시킬 수 있었다. 그리고, 상기의 방법으로 제조된 anode를 $650^{\circ}C$에서 100psi로 가압하면서 creep test를 실시한 결과 약 $2.3\%$의 변형율을 나타내었다.
석탄가스화 복합발전의 집진 공정에 사용하기 위한 금속제 safety filter의 재질 선정을 위하여 황화수소 가스 분위기에서 합금강의 부식 특성을 규명하였다. 사용 합금강은 SUS 310, SUS 316, Inconel 600과 Hastelloy X이다. 전기로 내에 설치된 지름 50mm의 qualtz 튜브 반응기에서 부식실험이 행하여졌다. 40$0^{\circ}C$부터 $700^{\circ}C$까지의 등은 조건에서 실험이 행하여졌고, 분위기 가스의 영향을 보기 위하여 H$_2$S 가스를 함유한 $N_2$(dry), $N_2$(saturation), $CO_2$(dry), 그리고 석탄가스 분위기에서 실험하였다. 부식 생성물을 파악하기 위하여 X-ray 회절기와 주사전자현미경 분석이 함께 이루어졌다. 1.7% H$_2$S, $600^{\circ}C$ 이하 온도 조건에서는 니켈계 내식강 중 Hastelloy X와 철계 내식강 중 SUS 310 등 고크롬 합금강이 IGCC 용 필터 소재 금속으로서 높은 내부식성을 나타내었다. 0.3%~4.99% 황화수소 농도 범위에서 황화수소 농도 변화에 따라서 SUS 310의 경우 3~237mg/d$m^2$.day, Inconel 600의 경우 4~660mg/d$m^2$.day로 부식속도는 크게 증가되었다. 50$0^{\circ}C$, 석탄가스 분위기에서 부식속도는 SUS 310은 45mg/d$m^2$.day, SUS 316은 110mg/d$m^2$.day, Inconel 600은 576mg/d$m^2$.day, 그리고 Hastelloy X 는 140mg/d$m^2$.day로서 합금강 시편 중 SUS 310 합금강이 가장 우수한 내식성을 나타내었다. 부식 표면에는 황화니켈, 황화철 피막이 형성되었다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.31
no.2
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pp.73-77
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2021
Ga-doped ZnO thin films by RF magnetron sputtering process were synthesized according to the deposition conditions of O2 and Ar atmosphere gases, and rapid heat treatment (RTA) was performed at 600℃ in an N2 atmosphere. The thickness of the deposited ZnO : Ga thin film was measured, the crystal phase was investigated by XRD pattern analysis, and the microstructure of the thin film was observed by FE-SEM and AFM images. The intensity of the (002) plane of the X-ray diffraction pattern showed a significant difference depending on the deposition conditions of the thin films formed by O2 and Ar atmosphere gas types. In the case of a single thin f ilm doped with Ga under O2 conditions, a strong diffraction peak was observed. Under O2 and Ar conditions, in the case of a multilayer thin film with Ga doping, only a peak on the (002) plane with a somewhat weak intensity was shown. In the FE-SEM image, it was observed that the grain size of the surface of the thin film slightly increased as the thickness increased. In the case of a multilayer thin film with Ga doping under O2 and Ar atmosphere conditions, the specific resistance was 6.4 × 10-4 Ω·cm. In the case of a single thin film with Ga doping under O2 atmosphere conditions, the resistance of the thin film decreased. The resistance decreased as the thickness of the Ga-doped ZnO thin film increased to 2 ㎛, showing relatively a low specific resistance of 1.0 × 10-3 Ω·cm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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