• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.319.2-319.2
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• 2016

ZrN 코팅은 TiN과 특성이 유사한 옅은 금색의 질화 박막이나 내식성이 우수하여 의료용, 자동차 부품, 항공부품, 장식용으로 적용되고 있다. 스테인레스계 의료용 기구나 생활기구의 항균성 기능이 부여된 표면처리는 아직 널리 보급되고 있지 않아 장식성과 내부식성이 뛰어난ZrN 박막에 구리를 함유시킴으로서 항균성의 변화를 관찰하고자 하였다. 진공 아크 이온플레이팅 방법으로서 ZrN을 성장시키면서 스퍼터링법에 의하여 Cu를 함유시키는 방법으로 실험을 실시하였다. 기재는 SUS 304를 사용하였고, 공정온도 $400^{\circ}C$에서 질소분압 1-5 Pa, 아크전류 90 A의 조건에서 Cu 스퍼터링 타겟의 전류를 1-7A 까지 변화하여 구리함유 ZrN 박막을 합성하였다. 구리 함류량에 따른 XRD를 통한 결정구조분석과 SEM/EDX를 통한 성분변화분석을 실시하였다. 구리함유 박막에 대해서 시간에 따른 대장균을 성장을 분석하여 기재인 SUS304, ZrN, 구리 함유 ZrN에 대한 대장균 항균성을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.92-92
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• 2016

전기방전의 기본적인 특성을 가지고 있는 플라즈마를 이용하여 재료를 가공하는 증착, 식각, 표면처리 공정에 있어서 플라즈마 내의 전자 충돌 반응에 의한 이온, 라디칼의 생성과 재료 표면의 반응을 분석하는 도구로써 분압 측정은 일반적인 화학 조성 분석에 기원한 오랜 역사를 가지고 있다. 1 amu 정도의 분해능을 가지고 있고 크기가 30 cm 정도에 불과한 사중극자 질량 분석기는 적절한 질량 스캔 시간과 넓은 이온 전류 측정 범위를 가지므로 소형 차등 배기 시스템과 조합하면 1 mTorr 영역의 스퍼터링 시스템에서 1 Torr 영역의 PECVD/PEALD 시스템 진단에도 쉽게 적용이 가능하다. Inficon사의 CPM-300과 Pfeiffer사의 Prisma80을 이용한 플라즈마 식각 공정 분석 결과를 보면 동위원소까지 분석이 가능하다. 또한 전자충돌 이온화 에너지를 조절하여 m/q(질량전하비율)가 중첩되는 경우의 해석도 가능하다. 다중 오리피스를 갖는 compact design의 밸브 블록을 이용한 설계에서는 line-of-sight 입사가 불가능하여 이온 전류를 분석할 수 없다는 단점이 있으나 표준 가스를 이용한 정량화 등의 큰 장점들이 있다. 최근 이루어진 연구의 내용으로는 유도 결합 플라즈마 장치에서 전도성 메쉬를 이용한 라디칼 거동 관찰을 위해서 두 대의 CPM-300을 메쉬 전 후에 설치하여 라디칼의 양 변화를 전류 프로브와 같이 사용하여 조사하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.14 no.2
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• pp.69-77
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• 2005

Pumping performance of large cryosorption pumps of different types installed on the 60 $m^3$ test stand for developing and testing ion sources and beam line components of the NBI system was investigated. Hydrogen adsorption and desorption characteristics of the cryosorption panels were analyzed using the temporal change of the hydrogen spectrum obtained with short introduction of the hydrogen gas as cooling the panel, and simulations on the mutual influence between related parameters were also carried out.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.28 no.6
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• pp.429-436
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• 1991

Silicon carbide has been grown by a chemical vapor deposition (CVD) technique using CH3SiCl3 and H2 gaseous mixture onto a graphite substrate. Based on the thermodynamic equilibrium studies and the suggestion that the deposition rate of SiC is controlled by surface reaction theoretical kinetic equation for CVD of silicon carbide has been proposed. The proposed theoretical kinetic equation for CVD of silicon carbide agreed well with the experimental results for the variation of the deposition rate as a function of the partial pressure of reactant gases. The Vikers microhardness of the SiC layer was about 3000∼3400 kg/$\textrm{mm}^2$ at room temperature.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.9 no.3
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• pp.248-255
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• 2000

Penning type sputtering system which has two opposed targets was implemented and the physical characteristics of the deposited carbon nitride films were investigated. When argon ratio was reduced and nitrogen ratio was increased in the sputtering gas mixture, Fe was less sputtered. The grain size of grown carbon nitride films was distributed from $150{\AA}$ to $250{\AA}$. As nitrogen partial pressure increases, growth rate and nitrogen incorporation in the film increases.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.212-212
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• 2013

$SiO_2$ 박막은 절연막 및 보호막 소재로 다양하게 사용되고 있다. 본 연구에서는 $HMDSO/O_2$ PECVD를 이용하여 $SiO_2$ Roll-to-Roll 증착 공정을 연구하였다. 약 300 mm급 선형 플라즈마 소스를 이용하여, PET 기판 상에 $SiO_2$ 박막을 연속 증착하였으며, $HMDSO/O_2$ 분압에 따른 증착 박막의 특성을 FT-IR, XPS, AFM을 통해 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1997.05a
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• pp.380-385
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• 1997

일체형원자로에서 일차측 압력은 질소와 증기의 분압에 따라 스스로 작동하는 자기가압기에 의해 일정하게 유지된다. 1차계통내 용해된 질소의 양과 압력변화의 폭을 최소화시키기 위해 가압기를 냉각시킬 필요성이 있으며 이를 위해 습식단열재(wet thermal insulation)와 냉각튜브(cooling tube)가 설치되었다. 본 연구에서는 자기가압기 작동에 중요한 역할을 하는 습식단열재의 기본적인 열전달 특성과 설계시 고려해야 할 사항을 분석하였다 전산유체코드를 사용해 단열재내치 온도 및 유동 분포를 계산하였고 기존의 실험으로부터 얻어진 열전달상관식을 이용해 단면충의 개수에 대한 민감도 계산, 돌출지점을 통한 열전도, 열전달 계수의 오차가 설계변수에 미치는 영향 등을 분석하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.40-45
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• 1995

직경 2인치의 YBa2Cu3O7-y 타겟을 사용하여 높은 스퍼터링 기체 압력 하에서 off-axis DC-마그네트론 스퍼터링 방법으로 MgO(100) 단결정 기판 위에 YBa2Cu3O7-y 박막을 c축 방향으로 in-냐셔 성장시킬 때 기판의 접지 여부와 인가전류의 양이 박막 성장에 미치는 여향을 연구하였다. 그 결과 접지 여부는 박막의 초전도 변환온도, 전기수송 특성, 결정 구조적 특성에는 영향을 거의 주지 않는 반면 표면상태에는 상당한 영향을 미치며, 인가전류의 양은 초전도 특성에 많은 영향을 미침을 발견하였다. 기판온도 $670^{\circ}C$, 스퍼터링 기체압력 300mTorr, 아르곤 대 산소 분압비 5:1의 조건에서 인가전류의 최적량은 300-500 mA이었으며 평균 박막 성장속도는 $0.11-0.14AA$/s로 매우 낮았다. 기판의 접지 효과와 낮은 성장속도의 원인에 대해 고찰해 본다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.09a
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• pp.61-63
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• 2008

We established a system to evaluate the ratio error and phase angle error of electronic voltage transformer using high voltage capacitance bridge and standard capacitors. The uncertainty of evaluation system is about 0.005% in ratio error and 1.5 min in phase angel error.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.18 no.4
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• pp.41-48
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• 2004

In this paper, a PFC(Power Factor Correction) electronic ballast with constant voltage-fed is proposed. The proposed PFC electronic ballast is combined of a high-efficiency boost converter and a conventional half bridge inverter. It is proved that the ripple of input-current and the input-current's harmonic of the proposed PFC electronic ballast are reduced using the voltage divider and soft-switching technique. It is demonstrated that simulation results for fluorescent lamp correspond with theoretical analysis.