Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.37
no.10
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pp.879-886
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2013
This study aims to provide helpful suggestions for understanding the effect of high EGR on DME HCCI combustion. This study determined which between oxygen partial pressure and oxygen concentration was the main factor affecting the LTHR heating ratio. Furthermore, EGR and the supercharging effect were investigated. To define the parameters for the EGR ratio and supercharging pressure, a numerical analysis of the chemical reaction was conducted under the following conditions: (1) variation of EGR ratio, oxygen concentration, and oxygen content; (2) variation of oxygen partial pressure while the oxygen concentration was almost constant; and (3) variation of oxygen concentration while oxygen partial pressure was constant with EGR and supercharging. The results show that an increase in EGR reduces the combustion duration. On the other hand, an increase in boost pressure increases the combustion duration. Finally, the EGR and boost pressure affect the amount of increase in LTHR.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.475-475
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2013
Cuprous oxide ($Cu_2O$)는 밴드갭이 2.17 eV p-type 산화물 반도체로써 태양에너지 변환기, photocatalysis (광촉매작용), 센서, 스위칭 메모리 등 응용이 다양한 재료이다. 산화물 반도체의 기본 특성은 나노/마이크로 범위 안에서 재료의 표면형태, 크기, 구조와 형상 공간방향등에 크게 영향을 받는다. 그렇기 때문에 원하는 $Cu_2O$ 특성을 얻기 위해서 성장 거동을 아는 것은 매우 중요하다. RF 마그네트론 스퍼터법으로 rod 성장 사례는 잘 알려지지 않았다. 그래서 RF 마그네트론 스퍼터법 $Cu_2O$ rod 형성 실험을 통하여 $Cu_2O$ 형성과 성장 거동을 알아보았다. RF 마그네트론 스퍼터법으로 $Cu_2O$ rod를 glass 기판 위에 Cu metal target을 이용하여 형성시켰다. $Cu_2O$ rod 합성을 위해 기판온도 및 산소분압 O2/(Ar+O2)=3%, 5%, 7% 증착시간 등을 변화시켜 실험하였다. 성장된 rod의 분석은 XRD, SEM으로 확인하였다. 성장 거동은 증착온도와 증착시간에 차이를 보였다. 증착온도 $550^{\circ}C$에서 rod가 생성되는 것을 관찰하였다. 증착시간이 길어질수록 rod 길이가 길어지고 일정 시간이 지나면 rod의 길이 성장보다는 두께(폭)가 성장하는 것을 확인하였다. 증착온도 $550^{\circ}C$ 그리고 산소분압 3%, 5%, 7% 조건에서 rod 합성 실험을 하였을 때 3%, 5% 조건에서 rod의 성장을 확인하였다. 이때 3%, 5% 산소분압에 따라 rod의 모양이 변화하였다. 하지만 7% 조건에서는 rod가 성장하지 않았다. 이유는 3%, 5%에서는 Cu metal peak을 확인하였지만, 7% 조건에서는 Cu metal peak이 없었다. 이로부터 Cu metal이 $Cu_2O$ rod 생성에 영향을 미치는 중요한 요소임을 예상할 수 있었다.
Kim, Se-Yun;Seong, Sang-Yun;Chu, Man;Jo, Gwang-Min;U, Jin-Gyu;Lee, Jun-Hyeong;Kim, Jeong-Ju;Heo, Yeong-U
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.256-256
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2010
투명전극부터 디스플레이 산업에 이르기까지 광범위하게 응용되어지고 있고 개발되어지고 있는 투명전도산화물(TCO)은 ZnO, In2O3, SnO2 등을 기본으로 하는 n-type 재료가 대부분이다. 그러나 투명전도 산화물을 이용한 light emitting diode(LED), 투명한 태양전지, p-형 TFT와 같은 투명전자소자의 개발을 위해서는 p-type 소재가 필수적이다. p-type TCO 소재는 비교적 연구 개발 실적이 매우 부진한 실정이었다. 1997년 넓은 밴드갭을 가지는 ABO2(delafossite) 산화물이 p-type으로서 안정적이라는 것을 보고함에 따라 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재 ABO2 형태를 가진 Delafossite구조 산화물이 가장 유망한 p-type 투명전도체 소재로 거론되고 있다. Delafossite 구조가 p-type 투명전도체에 적합한 결정구조인 이유는 밴드갭이 넓고 공유결합에 유리하기 때문이다. Delafossite구조는 상온에서 2종류의 polytype(상온에서 Rhombohedaral구조와 hexagonal 구조)이 존재하며 이들은 각각 3R 및 2H의 결정 구조를 가지고 있다. ABO2의 delafossite구조에서 Cu+의 배열은 c-축을 따라 Cu-O-Cr-O-Cu의 연속적인 층 구조로서 2차원연결로 보여 진다. 보고된 Cu- base delafossite구조를 가지는 재료들은 CuAlO2, CuGaO2, CuInO2 등 여러가지가 있다. 본 연구에서는 PLD를 이용하여 c-plane 사파이어 기판위에 성장된 delafossite구조인 CuCrO2박막의 특성을 알아보았다. p-type 특성을 위하여 CuCrO2에 Zn를 첨가하였으며 그에 따른 구조적 전기적 특성을 조사하였다. 성장온도와 산소분압을 $500{\sim}700^{\circ}C$, 0~10mTorr로 변화시켜 특성을 연구하였다. 성장온도 $700^{\circ}C$, 산소분압 10mTorr에서 c-plane 사파이어 기판위에 c-축 배향의 에피성장된 CuCrO2:Zn 박막을 얻을 수 있었다. Mg를 도핑함에 따른 p-type 특성보다 현저히 떨어지는 것을 확인하였다. 또한 동일한 조건임에도 특정한 이차상의 존재를 통해 도핑된 Zn의 위치를 추측할 수 있었다. 온도와 분압에 따른 결정성과 표면상태를 SEM을 통해서 확인하였다.
$Pd/SiO_2-Al_2O_3$ catalysts were prepared for the synthesis of pyridine and ${\beta}$-picoline from acrolein and ammonia. The activity of these catalysts decreased considerably by the formation of deposits on catalyst surface during the reaction. TPR study showed that the deposits were formed by the condensation polymerization of acrolein and ammonia. The conversion and production rate of pyridine and ${\beta}$-picoline decreased with the partial pressure of acrolein. The amount of deposits and the regeneration temperature of spent catalysts increased with the partial pressure of acrolein but they were independent of the concentration of ammonia.
Gasification characteristics and gas produced from a sewage sludge char were analyzed by using a thermobalance reactor, which is used for a reaction kinetic analysis by measuring weight change of materials at a desired temperature. Gasification reaction rate increased with increasing temperature and steam partial pressure due to the promotion of gasification reaction. Three models of gas-solid reaction were applied to the reaction kinetics analysis and modified volumetric reaction model was an appropriated model for the steam gasification of the sewage sludge char. Apparent activation energy and pre-exponential factors were evaluated as 155.5 kJ/mol and $14,087s^{-1}atm^{-1}$, respectively. The order of reaction on steam partial pressure was 0.68. Gas analysis was performed at $900^{\circ}C$ and hydrogen concentration was highest in the gas concentrations, which increased with increasing the steam partial pressure. Hydrogen concentration increased the most and hydrogen concentration in the produced gas was 2-4 times higher than that of carbon monoxide due to the gasification and water gas shift reaction.
Effect of deposition conditions on the magnetic properties of SmCo/Cr prepared by a RF magnetron sputtering method was studied. We obtained the maximum coercivity of 3.2 kOe in the sample of Cr(50 nm)/SmCo(40 nm, 50W, 20 mT)/Cr(150 nm, 100 W, 30 mT). The coercivity of the SmCo/Cr depends largely on the roughness of the Cr underlayer and the composition of SmCo. The roughness of the Cr underlayer increased with increasing the Ar pressure and thickness, and promoted the isolation of SmCo grains which resulted in an enhanced coercivity. The composition of the SmCo was changed with RF power and Ar pressure due to the mass difference between Sm and Co and the resputtering phenomena. The maximum coercivity was obtained in the composition of about 20 at.% Sm. The mechanism of magnetization reversal of the present SmCo films changed from domain wall motion to domain rotation as the RF power and the Ar pressure increase. This was though to be due to the defects, such as the roughness of Cr surface, porous column boundaries etc., which inhibit domain wall movement.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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