• 한국항해항만학회지
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• 제30권5호
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• pp.389-396
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• 2006

최근의 항만 환경에서는 분리된 선석의 통합이 활발히 진행되고 있으며, 통합의 필요성도 높아지고 있다. 그러므로, 기존의 게이트들의 활용이 컨테이너터미널에서의 차량의 체재시간 감소와 차량 통행량 분산 측면에서 검토되어야 한다. 본 연구는 통합게이트와 분리게이트의 운영효과를 분석하였다. 본 연구는 두개의 개별 선석 통합시 게이트 운영의 효율성이 높은 분리게이트시스템을 제안한다.

• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 2005년도 추계학술대회 논문집
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• pp.125-131
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• 2005

게이트 운영은 수출 컨테이너를 위한 시작점이면서 수입 컨테이너의 종착점으로 컨테이너의 확인과 통제가 필요한 중요한 시설물이다. 본 연구의 목적은 컨테이너터미널 내부의 차량 통행량을 분산시키면서 차량의 체재시간을 감소시키기 위한 분리게이트 설계방안을 제안하는 것이다. 대량의 컨테이너가 단기간에 하역되기 때문에 많은 차량이 일시에 게이트를 통과해야 한다. 본 연구는 두개의 개별 선석의 통합을 고려한 게이트 운영을 위한 효과적인 설계로서 분리 게인트시스템을 제안한다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2004년도 가을 학술발표논문집 Vol.31 No.2 (3)
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• pp.343-345
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• 2004

오늘날 공장 자동화에 이용되는 필드버스 네트워크는 설러 가지가 있으며 이들은 각각의 미디어 접근 방식과 프로토콜을 사용하고 있다. 서로 다른 종류의 네트워크는 완전히 분리되어 있기 때문에 네트워크 관리자는 이를 관리하는데 많은 어려움을 겪고 있다. 본 논문에서는 이러한 이기종의 필드버스 네트워크를 통합할 수 있는 통합 필드버스 게이트웨이를 설계하였다. 통합 필드버스 게이트웨이는 이더넷 프로토콜을 이용하여 다른 네트워크로 데이터를 전달할 수 있고 프로토콜간의 변환을 수행하여 분리된 네트워크를 통합하고 통합된 환경으로 제어 및 모니터링을 가능하게 한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1343-1345
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• 2001

본 논문은 스냅백을 효과적으로 제거하고 순방향 전압 강하를 줄이는 새로운 구조의 분리된 이중 게이트 SOI SA-LIGBT를 제안하였다. 제안된 소자는 분리된 단락 애노드와 플로팅 오믹 접합의 적용을 통해 스냅백이 성공적으로 제거되었고, 순방향전압강하는 전류밀도가 100A/$cm^2$일 때 기존의 SA-LIGBT에 비교해서 2V 감소된다. 또한 턴-오프 특성도 분리된 단락 애노드를 적용하였기 때문에 SA-LIGBT보다 개선되었다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2005년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.615-617
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• 2005

오늘날 공장 자동화에 이용되는 필드버스 네트워크는 여러 가지가 있으며 이들은 각각의 미디어 접근 방식과 프로토콜을 사용하고 있다. 이러한 필드버스 네트워크는 완전히 분리되어 있기 때문에 네트워크 관리자는 이를 관리하는데 많은 어려움을 겪고 있다. 본 논문에서는 이기종의 필드버스 네트워크를 통합할 수 있는 필드버스 프로토콜 변환 게이트웨이를 설계하였다. 필드버스 프로토콜 변환 게이트웨이는 프로토콜 변환을 하여 다른 종류의 네트워크로 데이터를 전달할 수 있고 분리된 네트워크를 통합하고 통합된 환경으로 제어 및 모니터링을 가능하게 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.95-95
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• 2008

본 연구에서는 SiGe p-MOSFET을 제작하여 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성을 측정하였다. Si 기판위에 성장한 $Si_{0.88}Ge_{0.12}$으로 제작된 SiGe p-MOSFET의 채널은 게이트 산화막과 20nm 정도의 Si Spacer 층으로 분리되어 있다. 게이트 산화막은 열산화에 의해 70$\AA$으로 성장되었고, 게이트 폭은 $25{\mu}m$, 게이트와 소스/드레인 사이의 거리는 2.5때로 제작되었다. 제작된 SiGe p-MOSFET은 빠른 동작 특성, 선형성, 저주파 노이즈 특성이 우수하였다. 제작된 SiGe p-MOSFET의 ESD 에 대한 소자의 신뢰성과 내성을 연구하기 위하여 SiGe P-MOSFET에 ESD를 lkV에서 8kV까지 lkV 간격으로 가한 후, SiGe P-MOSFET의 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성 변화를 분석 비교하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.43-43
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• 2009

Organic TFT(OTFT)에서 중요시되는 게이트 절연막을 개선 하고자 본 연구에서는 게이트 절연막에 대한 전기적 분석을 하였다.OTFT의 절연막으로 널리 연구되고 있는 PVP를 포함한 다른 2개의 polymer, PMMA, PVA에 OTS 코팅을 하였다. MIM구조의, OTS 코팅이 되지 않은 각 polymer가 증착된 그룹과 OTS 코팅을 한 polymer그룹에 대하여 전기적 및 표면특성을 비교 분석하였다. 그 결과, 모든 polymer의 표면특성이 향상되었으나, 전기적인 특성에 대한 향상 정도는 polymer 마다 차이를 보였다. 특히, PMMA는 OTS와 정확성이 좋지 않아 증착된 절연막 전체가 분리가 되어 전기적 특성에 대해서는 불안정한 결과를 보였으며, OTS가 코팅된 다른 폴리머, PVP, PVA에서는 표면특성의 향상과 더불어 향상된 전기적 특성을 얻을 수 있었다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2019년도 춘계학술발표대회
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• pp.296-298
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• 2019

개방과 협력의 시대로 불리는 현재, 학문분야의 융합과 소통은 이미 오래전부터 강조되었던 가치다. 그러나 현실적으로 오랜 세월 전문 영역의 틀로써 명확히 분리되어왔던 학자들이 다른 영역의 연구자들과 자유롭게 협업 및 교류하는 상황은 쉽게 일어나기 어렵다. 이러한 문제에 대한 해결책으로서 본 연구는 온라인 네트워크 플랫폼에 주목하였다. 특히 학문 전 분야의 전문 연구자들을 연결하는 세계적인 플랫폼인 리서치게이트의 사례를 통해 사용자 동인을 확인해보고자 하였다. 이를 위해 본 연구에서는 국내 리서치게이트 이용자들에 대한 사용성 평가 설문 및 FGI를 계획하였다. 본 연구의 결과는 국내 연구자들을 중심으로 한 전문연구자 정보 네트워크 플랫폼 개발 방향에 대해 현실적인 시사점을 제시할 것으로 기대한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권7호
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• pp.1361-1373
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• 2001

3계층 클라이언트/서버 시스템에 일반적인 방화벽을 설치하면 어플리케이션의 서버와 방화벽의 프락시 기능이 중복되어 전송속도 저하 철상이 야기된다. 따라서, 본 논문에서는 어플리케이션 서버의 프락시 기능을 정의하고 네트워크 인터페이스 카드를 어플리케이션에 추가로 장착하여 듀얼-홈드 게이트웨이를 구성하고, 어플리케이션을 보호하기 위하여 외부망과 내부망으로 분리하는 스크린드 라우터를 설치하여 스크린드 서브넷 게이트웨이를 구성하는 침입차단 시스템을 제안하였다. 본 논문에서 제안된 시스템은 3계층 클라이언트/서버 시스템에 방화벽을 설치하는 것보다 네트워크의 통신량 분산에 효과적이며, 중복된 기능을 하지 않기 때문에 고속전송이 가능하다. 또한, 방화벽 구입에 대한 비용 효과도 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제6권1호
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• pp.99-102
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• 2002

다결정 실리콘층 아래의, 게이트 산화막이라고 불리는 높은 온도에서 형성된 산화막에서 핀홀이 관찰되었으며 그 메카니즘이 분석되었다. 다결정 실리콘층 아래의 산화막은 다른 다결정 실리콘층의 플라즈마 에칭 과정 동안에 파괴되어진다. 두 개의 다결정 실리콘층은 CVD증착에 의해 만들어진 0.8$\mu\textrm{m}$의 두꺼운 산화막에 의해 분리되어 있다. 파괴된 산화막들이 아크가 발생한 부분을 중심으로 흩어져 있으며 아크가 발생한 부분에서 생성된 극도로 강한 전계가 게이트 산화막을 파괴 시켰다고 가정된다. 아크가 발생한 부분은 Alignment key에서 관찰되었고 그리고 이것이 발견된 웨이퍼는 낮은 수율을 보여주었다. 아크가 발생한 부분이 칩의 내부가 아니더라도 게이트 산화막의 파괴에 의해 칩이 정상적으로 동작하지 않았다.