• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.308-308
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• 2011

6.48 ${\AA}$의 격자 상수를 갖는 InSb 물질은 0.17 eV의 낮은 에너지 밴드갭과 78,000 cm2/Vs의 전자 이동도를 갖는 물질로서 고속의 자성 센서소자, 장파장의 광 검출기 그리고 고속 전자소자 등의 분야에서 많은 주목을 받고 있다. 그러나, 전기적 특성이 우수한 InSb 물질을 소자로 구현하는데 있어서 큰 어려움이 있다. InSb와 격자 크기가 잘 맞으면서 절연이 우수한 기판의 부재가 가장 큰 문제가 되는 부분이다. 즉, 격자 부정합을 최소화하며 동시에 절연기판을 사용함으로써 소자의 특성을 잘 살려야 하는 것이다. 이러한 이유로 인하여 InSb 기반의 소자가 널리 사용되지 못하고 있는 것이다. 현재 범용으로 사용하고 있는 기판은 격자 부정합이 14%인 GaAs, 11%의 InP 그리고 18%의 Si 등이 있다. 이번 발표에서는 GaAs 기판 위에 격자 부정합을 최소화하여 InSb 박막을 최적화 시켜 성장하는 방법에 대해서 소개하고자 한다. InSb 박막 성장하는데 있어 논문으로 보고된 여러 가지 방법들이 있다. 기판과의 격자 부정합을 줄이기 위하여 저온-고온 (L-T)의 의한 메타몰픽(metamorphic) buffer 층을 성장 후 InSb 박막을 성장하는 방법[1] 그리고 단계별 buffer를 성장하는 방법[2] 등을 통해서 많은 진보가 있었다. 하지만, 우리는 GaAs 기판 위에 AlSb 박막을 성장 하면서 동시에 In과 Al의 양을 서서히 변화시키는 grading 기술을 사용하였다. 즉, 물질 각각의 격자상수를 고려하여 GaAs (기판)-AlSb-InAlSb-InSb로 변화를 주어 격자 부정합이 최소가 되도록 하여 만들어진 buffer 위에 InSb 층이 만들어 지도록 하여 GaAs 기판 위에 InSb 박막을 성장 할 수 있었다. grading 기술을 이용하여 만들어진 buffer 위에 성장된 0.3 um의 InSb 박막 층은 상온에서 전자 이동도가 약 38,000 cm2/Vs에 이르는 것을 확인하였다. InSb 박막의 두께가 약 1 um 되어야 30,000 cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 얻을 수 있다고 많은 논문을 통해서 보고 되고 있으나 우리는 단지 0.3 um의 InSb 박막두께에서 이와 같은 전기적인 특성을 확인하였기에 이상과 같이 보고 하고자 한다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권2호
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• pp.96-113
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• 1996

고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층 내에 존재하는 부정합 전위는 웨이퍼 가장자리에서 발생됨을 알았으며, 이 층을 도핑되지 않은 영역으로 둘러쌓음으로써 부정합 전위가 억제된 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층을 형성할 수 있었다. 이를 이용하여 부정합 전위가 없는 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘 멤브레인을 제작하였으며, 이 멤브레인의 표면 거칠기 및 파괴 강도 그리고 잔류 인장 응력을 각각 20$\AA$ 1.39${\times}10^{10}dyn/cm^{2}$ 그리고 2.7${\times}10^{9}dyn/cm^{2}$로 측정되었다. 반면에 부정합 전위를 포함하는 기존 멤브레인은 각각 500$\AA$ 8.27${\times}10^{9}dyn/cm^{2}$ 그리고 9.3${\times}10^{8}dyn/cm^{2}$로 측정되었으며, 두 멤브레인의 이러한 차이는 부정합 전위에서 기인함을 알았다. 측정된 두 멤브레인의 Young's 모듈러스는 1.45${\times}10^{12}dyn/cm^{2}$로 동일하게 나타났다. 또, 도핑 농도 1.3${\times}10^{12}dyn/cm^{3}$에 대한 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘의 유효 격자 상수 및 기존 멤브레인의 평면적 격자 상수 그리고 기존 멤브레인 내의 부정합 전위의 밀도는 각각 5.424$\AA$ 5.426$\AA$ 그리고 2.3${\times}10^{4}$/cm 로 추출되었으며, 붕소가 도핑된 실리콘의 부정합 계수는 1.04${\times}10^{23}$/atom으로 추출되었다. 한편 별도의 추가적인 공정없이 일반적인 에피 성장법을 사용하여 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층 위에 부정합 전위가 없는 에피 실리콘을 성장시켰으며, 이 에피 실리콘의 결정성은 매우 양호한 것으로 밝혀졌다. 또 부정합 전위가 없는 에피 실리콘에 n+/p 게이트 다이오드를 제작하고 그 전압-전류 특성을 측정한 결과 5V의 역 바이어스에서 0.6nA/$cm^{2}$의 작은 누설 전류값을 나타내었다.

• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제16권4호
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• pp.84-92
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• 2005

본 논문은 CDN(Coupling/Decoupling Network)을 이용한 전자파 전도 내성 시험의 측정 불확도를 연구하였다. 측정 불확도의 영향 인자를 추출하여 인자별 불확도를 산출하였다. 측정 불확도 인자는 인가 레벨 교정시 반복 측정, $150\sim50\Omega$ 아답터의 삽입 손실, 신호 발생기의 정확도, 파워미터의 정확도, 전력 증폭기의 하모닉, 전력 증폭기와 CDN의 부정합, CDN과 파워미터 사이의 부정합에 의한 불확도를 고려하였다. 불확도 산출 결과 확장 불확도는 95% 신뢰 구간에서 1.17 dB(k=)를 가지며, 정보기기의 경우 시험 전압 3 V에서 ${\pm}0.42V$의 오차 범위를 가지는 것을 알 수 있었다. 또한 시험기기간의 부정합에 의한 불확도가 불확도 인자에서 가장 큰 영향을 미치는 것을 알 수 있었으며, 전자파 전도 내성 시험의 경우 임피던스 매칭이 가장 중요한 것으로 나타났다.

• 한국태양에너지학회 논문집
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• 제31권3호
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• pp.17-22
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• 2011

Techniques for mismatch loss minimization to increase the PV system efficiency are under development recently. In this paper, a method to make diagnosis of PV module mismatch is presented, which uses a concept of operating point factor. The method is based on the fact that the ratio of the incremental conductance of a PV module to instantaneous conductance is 1 when the module is operating at its maximum power point. The variations of module voltage and current are taking place by the maximum power point tracker in the power conditioning units of PV system. The effectiveness of the method is verified through an application to a real PV system.

• 한국태양에너지학회 논문집
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• 제32권3호
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• pp.26-32
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• 2012

A current compensation method to reduce the mismatch loss in PV systems is proposed as a way to increase the power generation efficiency. A dc-dc converter is used to supply currents to irregular modules in a PV string and is powered from the string output. The converter's voltage conversion ratio is adjusted so that all the modules in the string are operated at the maximum power point. The power rating and size of the converter can be reduced since only the current difference between the regular and irregular module may be supplied. The compensated string shows very little voltage mismatch compared to other regular strings. The validity of the proposed method is verified through a simulation and experiments in a prototype PV system.

• 대한소아치과학회지
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• 제28권2호
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• pp.323-328
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• 2001

전치부 개교합은 상 하악 전치부가 폐구 시 절단 기능에 필수적인 수직피개가 결여되어 있는 상태를 말한다. 일반적인 원인으로는 손가락 빨기, 혀 내밀기, 유아성 연하, 비호흡 부전, 골격성장의 이상 또는 이들이 복합적으로 작용되어 나타날 수 있으며, 어떤 종류의 부정교합과도 함께 나타날 수 있다. 전치부 개교합을 위한 치료 방법은 다양하지만, Rolf Fr$\"{a}$nkel에 의해 고안된 Fr$\"{a}$nkel appliance(FR-4)는 골격성 I급 혹은 II급 부정교합과 함께 나타난 개교합의 치료에 특히 효과적인 것으로 알려져 있다. 서양인에서는 골격성 II급 부정교합이 높은 빈도로 나타나고, 개교합도 이와 함께 나타나는 경우가 많다. 그러나 동양인에서는 골격성 III급 부정교합의 빈도가 높고, 개교합 또한 이와 같은 골격형태와 함께 나타나는 경우가 흔히 있다. 이러한 문제점을 갖는 환자에 있어서 전통적인 FR-4의 사용이 개교합의 교정에 도움이 되었을지라도, 골격성 III급 부정교합을 악화시키는 것으로 나타났다. 두 가지 문제점을 동시에 교정하기 위하여, labial bow를 하악 전치부에, labial pads를 상악 전치부에 위치시킨 modified FR-4를 고안하게 되었다. 다음의 임상례는 전치부 개교합을 동반한 골격성 III급 부정교합을 보이는 환자를 대상으로, 전통적인 FR-4와 modified FR-4를 이용하여 치료한 결과를 비교한 것이다. 첫 번째 임상례는 전통적인 FR-4를 사용한 경우로서, 전치부 개교합은 개선되었으나 골격성 III급 부정교합의 형태가 심해졌다. 그러나 두 번째와 세 번째 임상례에서는 modified FR-4를 사용한 결과, 전치부 개교합과 III급 부정교합이 동시에 개선된 것으로 나타났다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.170-171
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• 2010

The power loss due to PV module mismatch in PV array system is analyzed and a mismatch compensation method is proposed. A dc-dc converter is used to compensate for series mismatch caused by a low current module in a string. The converter is controlled to maximize the array power output. The proposed compensation method was verified by PSpice simulation.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.208-209
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• 2003

고밀도 광집적회로의 광도파로는 단일모드 광섬유와 굴절률의 차이 및 코어 크기에 의해 모드 부정합 문제가 존재한다. 본 논문은 이러한 모드 부정합 문제를 해결할 수 있는 모드 크기 변환기를 설계 하고 3-D Beam Propagation Method (BPM)을 이용하여 분석하였다. 모드 크기 변환기술에는 마이크로 렌즈, 테이퍼 광섬유, 렌즈화 광섬유가 사용되고 있으나 이는 패키징 가격이 높으며 광섬유와의 정렬 문제가 존재하므로, 집적된 실리콘 기판위에 제작하는 모드 크기 변환기에 대한 연구가 다각도에서 시도되고 있다. (중략)

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권5호
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• pp.37-42
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• 2012

기존의 전류 스티어링 전하 펌프의 타이밍 부정합 감소를 위한 새로운 전하 펌프를 제안한다. 기존의 전류 스티어링 전하 펌프는 UP, DOWN 신호의 입력단에 NMOS를 사용하여 서로 다른 지연단 수를 갖게 된다. 제안한 전하 펌프에서는 DOWN 신호의 입력단에 PMOS를 사용함으로써 UP, DOWN 신호의 지연단 수를 동등하게 한다. 기존의 전류 스티어링 전하 펌프를 최적화하여 시뮬레이션한 결과 턴온과 턴오프에 대하여 지연시간의 차이는 각각 14ns, 6ns 이다. 반면에 제안한 전하 펌프는 타이밍 부정합이 향상되어 턴온과 턴오프에 대하여 지연시간의 차이는 각각 6ns, 5ns 이다. 타이밍 부정합의 감소로 인하여 기준 스퍼는 -26dBc에서 -39dBc로 줄어들었다. 제안하는 전하 펌프는 CMOS $0.18{\mu}m$ 공정을 사용하여 설계하였다. 측정 결과 전하 펌프 출력 전압 범위 0.3~1.5V에서 최대 1.5%의 전류 부정합을 보인다.

• 전자공학회논문지
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• 제49권9호
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• pp.145-154
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• 2012

본 논문에서는 새로운 해석을 통해서 RFIC에서 사용하는 범용 I/Q 부정합 보상기를 사용하여 다중 접합 기반 수신기에서 I 채널과 Q 채널 정보 신호를 생성할 수 있음을 증명한다. 이 증명으로 다중 접합 기반 수신기를 기존의 RFIC 기반 시스템에 추가적인 디지털 신호 처리 기능 없이 집적할 수 있다. 이 논문에서는 다중 접합기의 I/Q 재생성 파라미터의 정확도와 I/Q 부정합 사이의 관계를 분석하고, 추정 결과와 모의 실험 결과가 거의 일치함을 보인다.