• Title/Summary/Keyword: 부식 전류

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Growth Kinetics and Electronic Properties of Passive Film of Nickel in Borate Buffer Solution (Borate 완충용액에서 니켈 산화피막의 생성 과정과 전기적 성질)

  • Kim, Younkyoo
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.58 no.1
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    • pp.9-16
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    • 2014
  • In a borate buffer solution, the growth kinetics and the electronic properties of passive film on nickel were investigated, using the potentiodynamic method, chronoamperometry, and single- or multi-frequency electrochemical impedance spectroscopy. The oxide film formed during the passivation process of nickel has showed the electronic properties of p-type semiconductor, which follow from the Mott-Schottky equation. It was found out that the passive film ($Ni(OH)_2$) of Ni formed in the low electrode potential changes to NiO and NiO(OH) while the electrode potential increases.

The Effect of Dispersant in Slurry on Ru CMP behavior (Slurry내 분산 안정제가 Ru CMP 거동에 미치는 영향)

  • Cho, Byung-Gwun;Kim, In-Kwon;Park, Jin-Goo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.06a
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    • pp.112-112
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    • 2008
  • 최근 Ruthenium (Ru) 은 높은 화학적 안정성, 누설전류에 대한 높은 저항성, 저유전체와의 높은 안정성 등과 같은 특성으로 인해 금속층-유전막-금속층 캐패시터의 하부전극으로 각광받고 있다. 또한 Cu와의 우수한 Adhesion 특성으로 인해 Cu 배선에서의 Cu 확산 방지막으로도 주목받고 있다. 그러나 이렇게 형성된 Ru 하부전극의 각 캐패시터간의 분리와 평탄화를 위해서는 CMP 공정이 도입이 필요하다. 이러한 CMP 공정에 공급되는 Slurry 에는 부식액, pH 적정제, 연마입자 등이 첨가되는데 이때 연마입자가 응집하여 Slurry의 분산 안전성 저하에 영향을 줄수 있다. 이로 인해 응집된 Slurry는 Scratch와 Delamination 과 같은 표면 결함을 유발할 수 있으며, Slurry의 저장 안정성을 저하시켜 Slurry의 물리적 화학적 특성을 변화시킬 수 있다. 그리하여 본 연구에서는 Ru CMP Slurry에서의 Surfactant와 같은 분산 안정제에 따른 Surface tension, Zeta potential, Particle size, Sedimentation의 분석을 통해 Slurry 안정성에 대한 영향을 살펴보았다. 그 결과 pH9 조건의 31ppm Dispersant 농도에서 50%이상의 Sedimentation 상승효과를 얻을 수 있었다. 또한 선택된 Surfactant가 첨가된 Ru CMP Slurry를 제조하여 Ru wafer의 Static etch rate, Passivation film thickness 와 Wettability를 비교해 보았다. 그리고 CMP 공정을 실시하여 Ru의 Removal rate와 TEOS에대한 Selectivity를 측정해 보았다.

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Growth Kinetics and Electronic Properties of Passive Film of Cobalt in Borate Buffer Solution (Borate 완충용액에서 코발트 산화피막의 생성 과정과 전기적 성질)

  • Park, Hyunsung;Kim, Younkyoo
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.61 no.6
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    • pp.320-327
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    • 2017
  • In a borate buffer solution, the growth kinetics and the electronic properties of passive film on cobalt were investigated, using the potentiodynamic method, chronoamperometry, and single-frequency electrochemical impedance spectroscopy. It was found out that the unstable passive film ($Co(OH)_2$) and CoO of Co formed in the low electrode potential changes to $Co_3O_4$ and CoOOH while the electrode potential increases. And the composition of the passive films was varied against the applied potential and oxidation time. The oxide film formed during the passivation process of cobalt has showed the electronic properties of p-type semiconductor, which follow from the Mott-Schottky equation.

The Effect of Additives in post Ru CMP Cleaning (Post Ru CMP Cleaning에서의 첨가제에 따른 영향)

  • Cho, Byung-Gwun;Kim, In-Kwon;Kim, Tae-Gon;Park, Jin-Goo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.06a
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    • pp.557-557
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    • 2007
  • 최근 Ruthenium (Ru)은 높은 화학적 안정성, 누설전류에 대한 높은 저항성, 저유전체와의 높은 안정성 등과 같은 특성으로 인해 캐패시터의 하부전극으로 각광받고 있다. 이렇게 형성된 Ru 하부전극은 각 캐패시터간의 분리와 평탄화를 위해 CMP 공정이 도입되게 되었다. 이러한 CMP 공정후에는 화학적 또는 물리적 상호작용에 의해 웨이퍼 표면에 오염물이 발생할 수 있다. CMP 공정중에 공급되는 슬러리에는 부식액, pH 적정제, 연마입자등이 첨가되는데 이때 사용된 연마입자는 CMP 공정후 입자오염을 유발할 수 있다. 그러므로, CMP 공정후에는 이러한 오염으로 인해 cleaning 공정이 반드시 필요하게 되었다. 하지만, Post Ru CMP cleaning에 대한 연구는 아직 미비한 상태이다. 그리하여 본 연구에서는 post Ru CMP cleaning에 대한 연구와 cleaning solution 그리고 첨가제에 따른 영향을 살펴보았다.

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Effect of additives on the stability of Ru CMP slurry (첨가제가 Ru CMP slurry의 안정화에 미치는 영향)

  • Cho, Byung-Gwun;Kim, In-Kwon;Kang, Bong-Kyun;Park, Jin-Goo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.50-50
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    • 2007
  • 최근 DRAM 소자 내에서 Ruthenium (Ru) 은 높은 화학적 안정성, 누설전류에 대한 높은 저항성, 고유전체와의 높은 안정성등과 같은 특성으로 인해 금속층-유전막(insulator)-금속층 캐패시터에 대한 하부전극으로 각광받고 있다. 일반적으로 Ru은 화학적으로 매우 안정하여 습식 식각으로 제거하기 어려우며, 이로인해 건식 식각을 이용하여 Ru을 제거하는 것이 널리 통용되고 있다. 하지만 칵 캐패시터의 분리를 위해 Ru을 건식 식각할 경우, 유독한 $Ru0_4$ 가스가 발생할 수 있으며 Ru 하부전극의 탈균일한 표면과 몰드 산화막의 손실을 유발할 수 있다. 이로인해 각 캐패시터간의 분리와 평탄화를 위해 CMP 공정이 도입되게 되었다. 이러한 CMP 공정에 공급되는 슬러리에는 부식액, pH 적정제, 연마입자등이 첨가되는데 이때 연마입자가 응집하여 슬러리의 분산 안정성 저하에 영향을 줄 수 있다. 그리하여 본 연구에서는 Ru CMP Slurry에서의 surfactant와 같은 첨가제에 따른 zeta potential, particle size, sedimentation의 분석을 통해 slurry 안정성에 대란 영향을 살펴보았다. 또한 선택된 surfactant가 첨가된 Ru CMP Slurry를 제조하여 Ru의 removal rate와 TEOS에 대한 selectivity를 측정해 보았다.

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Effects of Chloride Concentration and Applied Current Density on Stray Current Corrosion Characteristics of 6061-T6 Al Alloy for Electric Vehicle Battery Housing (전기자동차 배터리 하우징용 6061-T6 알루미늄합금의 전식 특성에 미치는 염화물농도 및 인가전류밀도의 영향)

  • Shin, Dong-Ho;Kim, Seong-Jong
    • Corrosion Science and Technology
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    • v.21 no.5
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    • pp.348-359
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    • 2022
  • Interest in electric vehicle is on the rise due to global eco-friendly policies. To improve the efficiency of electric vehicles, it is essential to reduce weights of components. Since electric vehicles have various electronic equipment, the research on stray current corrosion is required. In this research, a galvanostatic corrosion experiment was performed on 6061-T6 Al alloy for electric vehicle battery housing using chloride concentration and applied current density as variables in a solution simulating an acid rain environment. As a result of the experiment, when chloride concentration and applied current density were increased, corrosion damage became larger. In particular, pitting damage was dominant at an applied current density of 0.1 mA/cm2. Pitting damage over the entire surface was found at a current density of 1.0 mA/cm2. In conclusion, chloride concentration had a relatively large effect on localized corrosion. The applied current density had a great effect on uniform corrosion. However, in the case of applied current density, localized corrosion was also greatly affected by interaction with chloride.

Food Preferences and Nutrient Intakes of College Students in Kangwon Province (강원도 지역 대학생들의 음식 기호도 및 영양 섭취 실태 조사연구)

  • 최영심;유양자;김종군;남상명;정명은;정차권
    • Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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    • v.30 no.1
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    • pp.175-182
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    • 2001
  • The main focus of this study was set to help college students in Kangwon province to improve and correct dietary habits and to maintain healthy life. The nutritional status and food preference of college students were examined from May to July, 1999. The collection of the research data has been made on the basis of questionnaries for 184 college students residing in Kangwon province. Statistical analysis of the data was performed using SAS package program for descriptive frequency and statistical significance. The meal skipping ratio of the subjects were 2% and for the reasons of meal skipping 45% responded "lack of time". As for main dishes, cooked rice turned out to be the most preferred by the subjects and the second and third favored by female students were bread and noodle respectively. Most preferred side-dishes were meat soup, kimchi, laver Kui,squid Bockeum, fried squid, beef Chon, squid Chorim, soy Namul, Dubuk Changachi and squid Muchim. Less preferred side-dishes include radish soup, white kimchi, mugwort fry, liver Bockeum, liver sheon and egg plant Kui. No one-plate food was disliked by the subjects. Male liked Manndukuk and female liked cuttle fish rice. The intakes of nutrient except for energy, iron and calcium for female students were the same or above the Recommended Dietary Allowances (RDA) for Koreans.

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Dry etch of Ta thin film on MTJ stack in inductively coupled plasma (ICP를 이용한 MTJ stack 위의 Ta 박막의 식각 특성 연구)

  • Kim, Dong-Pyo;Woo, Jong-Chang;Kim, Chang-Il
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.06a
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    • pp.29-29
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    • 2009
  • 현재 고집적 비휘발성 메모리 소자로는 MRAM (Magnetic Random Access Memory)과 PRAM (Phase Magnetic Random Access Memory)이 활발하게 미국과 일본, 한국 등에서 다양한 연구가 진행되어 오고 있다. 이 중에서 MRAM은 DRAM과 비슷한 10 ns의 빠른 읽기/쓰기 속도와 비휘발성 특성을 가지고 있으며, 전하를 저장할 커패시터가 필요 없고, 두 개의 자성충에 약 10 mA 정도의 전류를 가하면 그때 발생하는 약 10 Oe의 자장을 개개의 비트를 write하고, read 시에는 각 비트의 자기저항을 측정함으로써 데이터를 저장하고 읽을 있으므로, 고집적화가 가능성하다 [1]. 현재 우수한 박막 재료가 개발 되었으나, 고집적 MRAM 소자의 양산에는 해결 하여야 하는 문제점이 있다. 특히 다층 박막으로 구성되어 있으므로 식각 공정의 개발이 필수적이다. 지금까지 MRAM 재료의 식각은 주로 Ion milling, ICP, ECR등의 플라즈마 장치를 되었고, 식각 가스로는 할로겐 기체와 금속카보닐 형성을 위한 Co/$NH_3$$Ch_3OH$ 기체가 이용되고 있다. 그러나 할로겐 계열의 기체를 사용할 경우, 식각 부산물들의 높은 끓는점 때문에 식각 부산물이 박막의 표면에서 열적 탈착에 의하여 제거되지 않기 때문에 높은 에너지를 가지는 이온의 도움에 의한 식각이 필요하다. 또한 Cl 계열의 기체를 사용할 경우, 식각 공정 후, 시료가 대기에 노출되면 대기 중의 수분과 식각 부산물이 결합하여 부식 현상이 발생하게 된다. 그러므로 이를 방지하기 위한 추가 공정이 요구된다. 최근에는 부식 현상이 없고, MTJ 상부에 사용되는 Ta 또는 Ti Hard mask와의 높은 선택비를 가지는 $CH_3OH$ 또는 CO/$NH_3$가 사용되고 있다. 하부 박막에 따른 식각 특성에 연구와 다층의 박막의 식각 공정에 발생에 관한 발표는 거의 없다. MRAM을 양산에 적용하기 위하여서는 Main etch 공정에서 빠른 식각 공정이 필요하고, Over etch 공정에서 하부박막에 대한 높은 선택비가 요구된다. 그러므로 본 논문에서는 식각 변수에 따른 플라즈마 측정과 표면 반응을 비교하여 각 공정의 식각 메커니즘을 규명하고, Main Etch 공정에서는 $Cl_2$/Ar 또는 $BCl_3$/Ar 가스를 이용하여 식각 실험을 수행하고, Over etch 공정에는 낮은 Ta 박막 식각 속도를 가지는 $Ch_4/O_2$/Ar 또는 $Ch_3OH$/Ar 가스를 이용하고자 한다. 플라즈마 내의 식각종과 Ta 박막과의 반응을 XPS와 AES를 이용하여 분석하고, 식각 공정 변수에 따른 식각 속도, 식각 선택비와 식각 프로파일 변화를 SEM을 이용하여 관찰한다.

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Improvement of Anti-Corrosion Characteristics for Light Metal in Surface Modification with Sulfuric Acid Solution Condition (경금속 표면개질 시 황산 수용액 조건에 따른 내식성 개선 효과)

  • Lee, Seung-Jun;Han, Min-Su;Kim, Seong-Jong
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • v.39 no.3
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    • pp.223-229
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    • 2015
  • Surface modification is a technology to form a new surface layer and overcome the intrinsic properties of the base material by applying thermal energy or stress onto the surface of the material. The purpose of this technique is to achieve anti-corrosion, beautiful appearance, wear resistance, insulation and conductance for base materials. Surface modification techniques may include plating, chemical conversion treatment, painting, lining and surface hardening. Among which, a surface modification process using electrolytes has been investigated for a long time in connection with research on its industrial application. The technology is highly favoured by various fields because it provides not only high productivity and cost reduction opportunities, but also application availability for components with complex geometry. In this study, an electrochemical experiment was performed on the surface of 5083-O Al alloy to determine an optimal electrolyte temperature, which produces surface with excellent corrosion resistance under marine environment than the initial surface. The experiment result, the modified surface presented a significantly lower corrosion current density with increasing electrolyte temperature, except for $5^{\circ}C$ of electrolyte temperature at which premature pores was created.

Degradation of a nano-thick Au/Pt bilayered catalytic layer with an electrolyte in dye sensitized solar cells (염료감응태양전지의 Au/Pt 이중 촉매층의 전해질과의 반응에 따른 열화)

  • Noh, Yunyoung;Song, Ohsung
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.15 no.6
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    • pp.4013-4018
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    • 2014
  • A 0.45 $cm^2$ DSSC device with a glass/FTO/blocking layer/$TiO_2$/N719(dye)/electrolyte/50 nm-Pt/50 nm-Au/FTO/glass was prepared to examine the stability of the Au/Pt bilayered counter electrode (CE) with electrolyte and the energy conversion efficiency (ECE) of dye-sensitized solar cells (DSSCs). For comparison, a 100 nm-thick Pt only CE DSSC was also prepared using the same method. The photovoltaic properties, such as the short circuit current density ($J_{sc}$), open circuit voltage ($V_{oc}$), fill factor (FF), and ECE, were checked using a solar simulator and potentiostat with time after assembling the DSSC. The microstructure of the Au/Pt bilayer was examined by optical microscopy after 0~25 minutes. The ECE of the Pt only CE-employed DSSC was 4.60 %, which did not show time dependence. On the other hand, for the Au/Pt CE DSSC, the ECEs after 0, 5 and 15 minutes were 5.28 %, 3.64 % and 2.09 %, respectively. The corrosion areas of the Au/Pt CE determined by optical microscopy after 0, 5, and 25 minutes were 0, 21.92 and 34.06 %. These results confirmed that the ECE and catalytic activity of Au/Pt CE decreased drastically with time. Therefore, a Au/Pt CE-employed DSSC may be superior to the Pt only CE-employed one immediately after integration of the device, but it would degrade drastically with time.