• Applied Microscopy
• /
• 제31권2호
• /
• pp.157-165
• /
• 2001

정상 성인 고환의 버팀세포(Sertoli cell)는 비분열세포이며, 정세관(seminiferous tubule)단면에서 비교적 불분명하게 관찰되고, 정세관 세포 성분의 $10\sim15%$를 차지하고 있다. 전자현미경적으로 버팅 세포는 특징적인 핵소체와 원형질막 및 세포질 소기관을 갖고 있다. 원형질막은 사춘기에 발달한 두 종류 즉 버팅세포와 버팀세포 및 버팅세포와 생식세포 사이의 세포연접을 가지고 있다. 그러나 태이에서 버팅세포의 정확한 미세구조에 대한 기술은 드물다. 이에 본 저자는 태아 고환의 발생 제 14주부터 제27주 사이의 17예를 수집하여 정상 미세구조를 확인하고, 태아기 버팀세포의 분화 양상을 알아보고자 하였다. 태아기에서 버팀세포와 생식세포 및 버팀세포와 버팀세포 사이의 세포연접은 부착반점과 비슷한 구조로 이루어져 있었고, 이들은 관찰 대상인 태령 제14주부터 관찰되었다. 태아기 버팅세포의 세포소기관의 발달은 전반적으로 미약하였다. 비교적 풍부하게 사립체가 태령 제14주부터 관찰되었고, 무과립세포질세망이 소수, 그리고 과립세포질세망이 비교적 풍부하게 관찰되었다. 지방소포의 수는 비교적 일정하게 관찰되었고, 포도당입자는 발생 단계에 따라 점차 증가하는 소견을 보였다. 미세섬유와 Charcot-Bottcher의 결정소체는 본 연구대상에서는 관찰되지 않았다. 결론적으로, 태아기의 버팀세포에서는 어른에서 관찰되는 특징적인 소견들이 관찰되지 않았으며, 어른과는 다소 다른 전자현미경 소견을 나타냈다. 하지만 버팅세포의 분화양상을 정확히 알기 위해서는 태령 제27주 이후부터 사춘기까지의 연구가 추가되어야 할 것으로 생각한다.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제9권6호
• /
• pp.1581-1584
• /
• 2008

버팅 콘택을 가진 쌍극 폴리사이드 게이트 구조에서 폴리실리콘 내의 순 도핑(net doping) 농도는 $n^+/p^+$ 중첩 및 실리사이드/폴리실리콘 층에서 도펀트의 수평 확산에 기인하여 감소하였다. 버팅 콘택 영역에서의 쇼트키 다이오드 형성은 $CoSi_2$의 열적 응집 현상에 의한 $CoSi_2$ 손실과 폴리실리콘 내의 농도 저하에 기인된다. DDI DRAM에서 기생 쇼트키 다이오드는 감지 증폭기의 노이즈 마진을 감소시켜 column성 불량을 일으킨다. Column성 불량은 $n^+/p^+$ 폴리실리콘 접합 부분을 물리적으로 분리시키거나, $CoSi_2$ 형성 전 질소 이온을 $p^+$ 영역에 주입 시켜 $CoSi_2$의 응집현상을 억제함으로써 줄일 수 있다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
• /
• 한국정밀공학회 1995년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.361-364
• /
• 1995

Wavelet Transform is a new tools for signal processing, such as data compressing extraction of parameter for Reconition and Diagnostics. This transform has an advandage of a good resolution compared to Fast Fourier Transform (FFT) In this study, we employ the wavelet transform for analysis of Acoustic Emission raw signal generated form rotary compressor. In abnormal condition of rotary compressor, the state of operating condition can be classified by analizing coefficient of wavelet transformed signal.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
• /
• 한국정밀공학회 1995년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.365-368
• /
• 1995

Rotary Compressor has many AE(Acoustic Emission) sources according to condition of parts because it is operated with combination of various parts. In this study, analysis of AE raw signal generated form Rotary compressor which artificially-made parts inflicted abnormal condition was carried out. AE raw signals were acquired form high-speed A/D board, and many burst type signals were observed. By analyzing burst type signals which is caused form internal AE source,efficient AE parameters for monitoring and diagnosis were presented.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제11권2호
• /
• pp.485-490
• /
• 2010

본 논문에서는 버팅 콘택(butting contact) 구조를 갖는 DDI DRAM소자의 감지 증폭기의 입력 게이트 단의 모든 기생 성분을 포함한 등가 회로를 제안 하였다. 제안한 모델을 이용하여 기생 쇼트키 다이오드가 감지 증폭기 동작에 어떤 영향을 미치는지 분석하였다. 각각의 불량 가능성에 대해 감지 증폭기가 어떻게 동작하는지 분석하여 단측 불량 특성의 원인을 규명하였다. DDI DRAM에서 단측 불량 원인과 불량률의 온도 의존성은 감지 증폭기의 입력 게이트 단에 형성된 기생 쇼트키 다이오드 형성에 기인한 것으로 판단된다. 이러한 기생 쇼트키 다이오드는 게이트 입력에 기생 전압 강하를 야기하게 되고 결국 감지 증폭기의 노이즈 마진을 감소시켜 단측 불량률을 증가시킨다.