• 한국통신학회논문지
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• 제29권7A호
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• pp.741-747
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• 2004

본 논문에서는 음성과 데이터를 통합한 다양한 멀티미디어 서비스를 통합적으로 제공할 수 있는 차세대 통신 시스템으로 개발중인 160 Gbps 급 TDM/Data 통합 시스템의 백플레인 구조를 제시하였다. 상용 부품을 사용하여 설계 및 제작된 백플레인 구조에서 10 Gbps 이상의 전송성능을 검토하고 입증하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권2호
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• pp.237-243
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• 2008

본 논문에서는 무한히 넓은 백 플레인의 사각형 개구를 관통하는 길이가 다른 평행 2선 전송 선로에 대하여 백 플레인의 존재가 전송 선로에 미치는 영향을 검토하였다. 이론 해석에는 FDTD법을 사용하였으며, 길이가 다른 구조를 가지게 하는 부가 선로의 길이와 전송 선로의 간격 변화에 따른 반사 손실 및 삽입 손실 특성을 계산하여 백 플레인이 전송 선로에 미치는 영향을 고찰하였다. 그 결과, 전송 선로의 간격이 좁은 경우에는 부하 측의 전송 선로가 안테나처럼 동작하여 삽입 이득 특성이 나타나고, 부가 선로의 길이가 길어지면 백 플레인에 의한 삽입 손실 특성이 현저히 나타남을 확인할 수 있었다. 반사 손실을 측정하고 수치 계산 결과와 비교하여 이론 해석의 타당성도 확인하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제35권4B호
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• pp.637-646
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• 2010

본 논문에서는 40 인치 까지의 FR-4 백플레인 트레이스를 통해 40 Gb/s 데이터 전송을 위해서 10 Gb/s 4 래 인으 로 구성되는 백플레인 채널 모델을 설계하였다. 시뮬레이션 결과에서 10 Gb/s 데이터 속도에서 IEEE P 802.3ba 표준에서 규정하는 요구사항보다 더 나은 백플레인 채널 특성을 확인하였다. 본 논문에서 제시한 유형의 전송채널에 대한 연구를 수행하여야 40 Gb/s 백플레인 이더넷 수신 적응 등화기 등의 설계가 가능할 것이다.

• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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• 제28권1_2호
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• pp.11-19
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• 2001

근래에 들어, 백플레인 버스를 기반으로 하는 멀티프로세서 시스템의 프로세서간 통신에도 TCP/IP와 같은 표준 네트워크 프로토콜을 이용하여 표준 MAC 계층을 구현하는 것이 일반적이다. 본 논문은 이러한 MAC 에뮬레이션 기반 버스 네트워크상에서 내장형 실시간 은용을 지원하기 위한 최악 응답 시간 분석법을 제시한다. 본 논문의 분석법은 구체적으로 MAC 에뮬레이션 방법의 하나인 ANSI BusNet 프로토콜을 대상으로 진행된다. 각 실시간 태스크를 주기, CPU 시간, 종료시한, 메시지 패킷 개수로 모델링하고 스케쥴 가능성, 즉 주어진 종료 시한 내에 작업을 완료할 수 있는지의 여부를 검사하는 수식을 유도한다. 이를 위해 물리적인 버스 특성을 고려한 버스 전송 모델을 제시하고, 버스 중재 방식과 버스 하드웨어의 캐슁 지원 여부에 따른 스케쥴 가능성을 분석한다. 또한 본 논문에서는 실험을 통해 블록 전송이 실시간 통신 성능에 미치는 영향을 살펴본다. 비록 본 논문의 분석법이 BusNet에 기반하여 개발되었지만, BusNet이 대부분의 백플레인 하드웨어가 지원하는 기본적인 기능만을 가정하고 있으므로, 본 논문의 분석법은 다른 종류의 백플레인 네트워크 프로토콜에도 쉽게 적용될 수 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제13권12호
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• pp.2518-2524
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• 2009

본 논문에서는 백 플레인의 사각형 개구를 관통하는 대칭 평행2선 전송선로에 대하여 백 플레인 개구의 크기 변화가 전송선로의 특성에 미치는 영향을 검토하였다. 사각형 개구의 가로 및 세로 길이 변화에 따른 삽입 손실 특성을 계산하여 백 플레인의 개구 크기가 전송선로에 미치는 영향을 고찰하였다. 그 결과, 특정 주파수 대역에서 개구길이가 전송선로와 가까울수록 삽입 이득과 삽입 손실 특성이 현저하게 나타나고 가로의 크기는 a=50 mm 세로의 크기는b=20 mm 이상에서 삽입 손실의 크기는 무시할 수 있을 정도로 작은 것을 확인할 수 있었다. 전송 선로 부하단의 전류값을 구하고 삽입 손실을 측정하여 수치계산 결과와 비교하여 이론해석의 타당성도 확인하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제35권2B호
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• pp.197-209
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• 2010

본 논문은 10 Gb/s $\times$ 4 레인으로 구성되는 40 인치 FR-4 백플레인 채널을 설계 및 분석하고, 이를 바탕으로 제안된 40 Gb/s 급 수신 적응 등화기 (Receive and Adaptive Equalizer), 고속 등화 알고리즘 설계 및 시뮬레이션 결과에 관하여 기술한다. 백플레인을 통과하는 40 Gb/s 고속 데이터 통신 채널을 위해 FFF를 사용하지 않는 DFE의 10Gb/s 4채널의 수신 등화기가 제안된다. 본 수신 & 등화기는 46 인치 백플레인 채널의 수신종단에서 등화를 수행하기 위한 IEEE Std P802.3ba 표준 기반 등화기 요구조건을 만족한다.

• 한국통신학회논문지
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• 제35권5B호
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• pp.809-815
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• 2010

본 논문은 백플레인 채널을 통과하는 40 Gb/s 이상의 고속 신호 전송에 필요한 적응 등화기를 위한 구조와 알고리즘을 제안한다. 제안된 적응 DFE는 고속 수렴과 낮은 계산 복잡도를 갖는다. 40 Gb/s 시뮬레이션은 적응 등화기가 40 인치까지의 백플레인 스트립 라인을 위한 IEEE 802.3ba 요구사항을 만족하는 것을 보여준다.

• 전자통신동향분석
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• 제24권1호
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• pp.43-49
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• 2009

최근 높은 대역폭을 요구하는 다양한 IP 멀티미디어 애플리케이션이 증가하면서 10G 이더넷 서비스가 폭넓게 이용되고 있으나, 이도 가까운 시기에 트래픽의 한계에 이를 것에 대비하여 보다 큰 대역폭을 제공할 수 있는 40G급 이더넷 기술에 관한 표준화 드래프트 1.0 규격이 이더넷은 IEEE 802.3ba에 의해 2008년 9월 완성되었으며 2009년 완료를 목표로 하고 있다. 본 고에서는 표준화 기술이 어떻게 채택되고 있는지를 알아보고, 40G 표준화 이더넷 백플레인 기술 및 등화기 구현방안에 대하여 기술한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.258-258
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• 2016

최근 디스플레이 산업의 발전에 따라 고성능 디스플레이가 요구되며, 디스플레이의 백플레인 (backplane) TFT (thin film transistor) 구동속도를 증가시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 트랜지스터의 구동속도를 증가시키기 위해 높은 이동도는 중요한 요소 중 하나이다. 그러나, 기존 백플레인 TFT에 주로 사용된 amorphous silicon (a-Si)은 대면적화가 용이하며 가격이 저렴하지만, 이동도가 낮다는 (< $1cm2/V{\cdot}s$) 단점이 있다. 따라서 전기적 특성이 우수한 산화물 반도체가 기존의 a-Si의 대체 물질로써 각광받고 있다. 산화물 반도체는 비정질 상태임에도 불구하고 a-Si에 비해 이동도 (> $10cm2/V{\cdot}s$)가 높고, 가시광 영역에서 투명하며 저온에서 공정이 가능하다는 장점이 있다. 하지만, 차세대 디스플레이 백플레인에서는 더 높은 이동도 (> $30cm2/V{\cdot}s$)를 가지는 TFT가 요구된다. 따라서, 본 연구에서는 차세대 디스플레이에서 요구되는 높은 이동도를 갖는 TFT를 제작하기 위하여, amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) 채널하부에 화학적으로 안정하고 전도성이 뛰어난 SnO2 채널을 얇게 형성하여 TFT를 제작하였다. 표준 RCA 세정을 통하여 p-type Si 기판을 세정한 후, 열산화 공정을 거쳐서 두께 100 nm의 SiO2 게이트 절연막을 형성하였다. 본 연구에서 제안된 적층된 채널을 형성하기 위하여 5 nm 두계의 SnO2 층을 RF 스퍼터를 이용하여 증착하였으며, 순차적으로 a-IGZO 층을 65 nm의 두께로 증착하였다. 그 후, 소스/드레인 영역은 e-beam evaporator를 이용하여 Ti와 Al을 각각 5 nm와 120 nm의 두께로 증착하였다. 후속 열처리는 퍼니스로 N2 분위기에서 $600^{\circ}C$의 온도로 30 분 동안 실시하였다. 제작된 소자에 대하여 TFT의 전달 및 출력 특성을 비교한 결과, SnO2 층을 형성한 TFT에서 더 뛰어난 전달 및 출력 특성을 나타내었으며 이동도는 $8.7cm2/V{\cdot}s$에서 $70cm2/V{\cdot}s$로 크게 향상되는 것을 확인하였다. 결과적으로, 채널층 하부에 SnO2 층을 형성하는 방법은 추후 높은 이동도를 요구하는 디스플레이 백플레인 TFT 제작에 적용이 가능할 것으로 기대된다.

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 1992년도 추계종합학술발표회 논문집
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• pp.338-341
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• 1992