• Title/Summary/Keyword: 배선

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Development of printing method for improve printing quality (잉크젯 인쇄 품질 개선을 위한 인쇄법 개발)

  • Song, Young-Ah;Kim, In-Young;Jung, Hyun-Chul;Jung, Jea-Woo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.06a
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    • pp.527-527
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    • 2008
  • 전자 기기의 고기능화 고집적화에 따른 배선 패턴의 미세화가 요구되어지고 있다. 이로 인해 미세한 배선을 형성하고자 하는 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 금속 나노 잉크를 사용하여 금속 배선 패턴을 형성할 때 배선을 보다 미세하게 만들기 위한 기판의 표면처리에 관한 것이다. 미세 배선을 형성하기 위한 기판 표면처리법은 보통 발수 처리법을 많이 사용하는데 이는 미세 배선을 형성하는 데에는 효과적이지만 잉크와 기판과의 접착력을 저하시켜 인쇄 후 기판으로부터 배선이 잘 떨어져 나가는 문제가 있다. 본 연구에서는 배선과 기판의 접착력은 저하시키지 않으면서 미세배선을 형성할 수 있는 기판의 효과적인 표면처리법을 개발하고자 하였다.

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Tolerance Improvement of Metal Pattern Line using Inkjet Printing Technology (잉크젯 프린팅 방식으로 제작된 금속 배선의 선폭 및 오차 개선)

  • Kim, Yong-Sik;Seo, Shang-Hoon;Kim, Tae-Gu;Park, Sung-Jun;Joung, Jae-Woo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2006.06a
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    • pp.105-105
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    • 2006
  • IT 산업 및 반도체 산업이 발전함에 따라 초소형, 고집적화 시스템의 요구에 대응하기 위해서 고해상도 및 고정밀의 패턴 구현에 관한 많은 연구가 진행되고 있다. 이러한 연구는 각종 산업제품의 PCB(Printed Circuit Board) 및 디스플레이 장치인 PDP(Plasma Display Panel), LCD(Liquid Crystal Display) 등에 적용되어 널리 응용되고 있다. 현재 널리 사용되는 인쇄 회로 기판은 마스킹 후 선택적 에칭 방식을 적용하여 금속 배선을 형성하는 방식을 적용하고 있다. 이러한 방식은 설계가 변경될 경우 마스크를 다시 제작해야 하는 번거로움이 있어 설계 변경이 용이하지 않고 더욱 길어진 생산시간의 증가로 인하여 생산성 및 집적도가 떨어지게 된다. 따라서 최근에는 이러한 한계를 극복하기 위한 방안이 여러 가지 측면에서 시도되고 있으며, 그 중에서도 Inkjet Printing 기술에 대한 관심이 증가하고 있다. 본 연구에서는 Inkjet Printing 방식을 적용하여 금속 배선을 형성하고 선폭과 두께의 오차를 줄여 배선의 Tolerance 를 개선할 수 있는 방안을 제안하였다. Inkjet Printing 방식을 이용한 기존의 금속 배선 형성은 고해상도의 DPI(Dot Per Inch)에서 잉크 액적이 뭉치는 Bulge 현상이 발생되어 원하는 형상 및 배선의 폭을 구현하는데 어려움이 있었다. Bulge 현상은 배선의 불균일성을 야기할 뿐만 아니라 근접한 배선의 간섭에도 영향을 미처 금속 배선의 기능을 할 수 없는 단점을 발생시킨다. 따라서 본 연구에서는 이러한 Bulge 현상을 줄이고 배선간의 간섭을 방지하여 원하는 배선을 용이하게 형성할 수 있는 순차적 인쇄 방식을 적용하였다. 본 연구에서는 노즐직경 35um 의 Inkjet Head 와 나노 Ag 입자 잉크를 사용하여 Glass 표면 위에 배선을 형성하고 배선의 폭과 두께를 측정하였다. 또한 순차적 인쇄 방식을 적용하여 700DPI 이상의 고해상도에서 나타날 수 있는 Bulge 현상이 감소하였음을 관찰하였으며 금속 배선의 Tolerance를 10%내외로 유지할 수 있음을 확인하였다.

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A survey of the serving temperature control practices in hospital dietetics -Comparison between centralized and decentralized tray assembly systems (병원급식의 적온관리 실태조사 -배선방법별 비교 연구-)

  • Nam, Soon-Ran;Rew, Kyung;Kwak, Tong-Kyung
    • Korean journal of food and cookery science
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    • v.3 no.2
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    • pp.87-99
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    • 1987
  • The serving temperature control practices were assessed in 20 general hospital's dietetics utilizing centralized or decentralized tray assembly systems. The results of the study were summarized as follows : 1) All of the surveyed hospitals were utilizing conventional foodservice system. The number of dietary employees per bed was very low when comparing with that in America. Working hours of employees per week were approximately two times greater than those in America. 2) When comparing two tray assembly systems, dietary labor hours and costs in centralized system were less than those in decentralized system. 3) When comparing serving temperature practices between two tray assembly systems, the temperatures of meals utilizing centralized tray service were significantly lower than those in decentralized system, and only the steamed rice served in decentralized system was within the acceptable temperature range. 4) There was no significant difference in sensory acceptance scores marked by patients served by two different types of tray assembly systems. The serving temperature was significantly correlated to the patient's overall acceptability.

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A study on the advanced home run wiring systems (주택내 배선 시스템의 고도화에 관한 연구)

  • 조평동;이현태;박덕규;오용선
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 1998.11a
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    • pp.540-545
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    • 1998
  • 새로운 멀티미디어 서비스 환경에서의 다양한 기능을 수행할 수 있는 주택 내 정보화 배선은 장기적으로 볼 때 매우 중요하다. 본 논문에서는 주택내의 정보화를 위한 주택내 배선시스템의 요구사항을 검토하고 주택내 배선 시스템의 형태를 발전단계를 고려하여 검토한다. 또한 주택내 배선 시스템의 고도화를 위한 핵심 장비인 통합네트워크 인터페이스 장치의 기능을 제시하고 가능한 배선 매체와 통신 방식을 검토한다.

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Layout-Aware Synthesis of Arithmetic Circuits (최종 배선을 고려한 연산 회로 합성)

  • 엄준형;김태환
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2002.04a
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    • pp.664-666
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    • 2002
  • 현대의 Deep-Sumicron Technology(DSM)에서 배선은 논리 구성 요소들보다 더욱 중요한 위치를 차지 하게 되었다. 최근에, [2]는 연산 회로를 합성하기 위해 비트 단위의 최적 지연시간의 partial product reduction tree(PPRT)를 생성하는 방법을 제시하였고, 이는 현재의 최적 지연시간을 갖는 회로를 능가한다. 그러나, [2]를 포함하는 기존의 합성방법에서는, 합성의 복잡함이나, 배선에서 발생하는 여러가지 예상치 못하는 문제등으로 인하여 최종 배선을 고려하지 못하는 회로를 생성하며, 이는 길고 복잡하며, 특정한 부분에 밀집 되어 있는 배선을 형성하는 결과를 낳게 된다. 이러한 제한점을 극복하기 위하여, 우리는 carry-save-adder(CSA)를 이용한 새로운 모듈 함성 알고리즘을 제시한다. 이는 단지 상위 단계에서의 회로의 지연시간만을 고려한 알고리즘이 아니라, 이후의 배선을 고려하여 최종 배선에서 규칙적인 배선 토폴로지를 생성한다.

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Evaluation of electrical characterization and critical length of interconnect for high-speed MCM (고속 MCM 배선의 전기적 특성 및 임계길이 평가)

  • 이영민;박성수;주철원;이상복;백종태;김보우
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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    • v.35D no.10
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    • pp.67-75
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    • 1998
  • This paper examined the geometrical variables of microstrip to control the characteristic impedance of MCM interconnect and also with respect to the practical requirements, evaluated the critical lengths for attenuation, propagation delay, and crosstalk at 500 MHz frequency compared to at 50 MHz frequency. With the illustration of each MCM-L and MCM-D interconnect having 50 characteristic impedance, it was revealed that the most important geometrical variables to control the characteristic impedance of microstrip are eventually dielectric thickness and line width. In particular, the dielectric thickness of MCM-D interconnect must be controlled with tolerance below 2 m. It is clear that the attenuation does not give rise to signal distortion in the range of up to 500MHz frequency for both MCM-L and MCM-D interconnects. However, the propagation delay is so significant that both MCM-L and MCM-D interconnects should be matched with load at the 500 MHz frequency. For the MCM-D interconnect, the crosstalk voltage would not be high to generate the wrong signal on the neighboring line at 500 MHz frequency, but the MCM-L interconnect could not be used due to severe crosstalk. Eventually, it is clear that the transmission line behavior must be studied for the design of MCM substrate at the 500 MHz frequency.

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폴리이미드 필름의 초발수화를 통한 금속배선화 공정 개발

  • Na, Jong-Ju;Lee, Geon-Hwan;Choe, Du-Seon;Kim, Wan-Du
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.12.2-12.2
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    • 2009
  • 전자 디스플레이 산업의 중요성과 미래사회에서 요구되는 정보기기로써 유연한 기판을 사용한 소자에 대한 수요가 급격히 증가하고 있으며, 이들 산업에 응용되기 위해서는 저비용, 고생산 공정이 요구되고 있다. 이를 위해 인쇄전자 기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, 금속배선은 모든 소자의 기본이면서 낮은 저항과 높은 신뢰성을 동시에 요구하고 있어 인쇄전자 기술이 해결해야 할 가장 어려운 난제 중의 하나이다. 따라서 본 연구에서는 낮은 저항과 높은 신뢰성을 만족시킬 수 있는 새로운 금속배선 공정으로서 폴리이미드 필름을 초발수 처리한 후 친수 패턴을 하여 전도성 잉크에 함침함으로서 친수 패턴을 따라 금속배선이 이루어 지도록 하는 방법을 제안하고자 한다. 폴리이미드 필름의 표면을 플라즈마 처리하여 표면에 나노돌기를 형성시키고 불소기를 함유한 코팅층을 형성시킴으로써 물에 대한 접촉각이 $150^{\circ}$이상이 되도록 초발수 처리할 수 있었다. 초발수 처리된 폴리이미드 기판에 쉐도우 마스크를 사용하여 UV조사함으로써 조사된 부분만 친수성을 가지는 패턴을 형성하였다. 이렇게 친수 패턴이 제작된 초발수 폴리이미드 유연기판을 실버잉크에 함침함으로써 선폭 $200{\mu}m$를 가지는 금속배선을 형성시켰다. 형성된 금속배선의 단면 형상을 측정하였으며, 열처리를 통하여 비저항이 $30{\mu}{\Omega}$-cm를 얻을 수 있었다. 통상 1회의 함침으로는 금속배선의 두께가 150nm정도로 금속배선으로 사용하기에는 얇아 배선의 두께를 증가시키기 위하여 수 회 함침을 시도하여 $2{\mu}m$의 두께로 증가시킬 수 있었다. 이때 선폭과 선간 간격은 크게 변하지 않고 두께만 증가시킬 수 있었다. 이는 금속배선을 형성한 후에도 폴리이미드 유연기판의 초발수성은 그대로 유지되어 여러번 함침할 때 잉크가 이미 형성된 배선에만 묻게 되어 두께는 증가하나 선폭과 선간 간격은 증가하지 않는 것으로 판단된다. 사용한 실버잉크는 실버의 함량은 10~20wt%인 수계 잉크였다.

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Electromigration Characteristics in AI-1%Si Thin Film Interconnections for Microelectronic Devices (극소전자 디바이스를 위한 AI-1%Si 박막배선에서의 Electromigration 특성)

  • 박영식;김진영
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.4 no.3
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    • pp.327-333
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    • 1995
  • 전자소자의 축소화에 따라 박막배선에서의 electromigration은 점차 극소전자 디바이스의 주요 결함원인으로 부각되고 있다. 본 실험에서는 현재 박막 배선 재료로 가장 널리 사용되고 있는 AI-1%Si 금속박막배선의 electromigration에 대한 온도 및 배선길이의 의존성에 관하여 연구하였다. PSG($8000AA$)/SiO2(1000$\AA$)/AI-1%Si(7000$\AA$)/SiO2(5000$\AA$)/p-Si(100)의 보호막처리되지 않은 시편 등을 standard photolithography 공정을 이용하여 각각 제작하였다. 선폭 3$\mu$m, 길이 100, 400, 800, $\1600mu$m등의 AI-1%Si 배막배선구조를 사용하였다. 가속화실험을 위해 인가된 d.c.전류밀도는 4.5X106A/$ extrm{cm}^2$이었고 실온에서 $100^{\circ}C$까지의 분위기 온도에서 electromigration test를 진행하였다. 박막배선의 길에에 따른 MTF(Mean-Time-to-Failure)는 임계길이 이상에서 포화되는 경향을 보이며 이는 보호막층의 유무에 관계없이 나타난다. 선폭 $3\mu$m인 AI-1%Si 박막배선에서 임계길이는, 보호막처리된 시편은 $800\mu$m, 보호막처리되지 않은 시편은 $400\mu$m 배선길이에서 나타난다. 이러한 포화의 경향은 낮은 온도에서 더욱 명확해지는 특성을 보인다. 각 시편에서 electromigration에 대한 활성화에너지도 MTF의 특성과 유사하게 임계길이 이상에서 포화되는 특성을 보인다.

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Evaluation of Crosstalk-Induced Variation of Interconnect Capacitance for High Speed Semiconductor Devices (고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Capacitance 변화 평가)

  • 이희덕;김용구;박성형
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2003.07b
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    • pp.1225-1228
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    • 2003
  • 본 논문에서는 Coupling capacitance 변화량이 Static coupling capacitance 값보다 클 수 있다는 것을 새로운 테스트 회로를 이용하여 실험적으로 증명하였다. 테스트 회로는 배선의 지연시간이 배선의 저항보다는 배선의 정전용량에만 의존하도록 하여 배선의 지연시간을 평가함으로써 배선의 정전용량의 변화 즉, Coupling capacitance 의 변화량을 정확히 평가할 수 있도록 하였다. 0.15 ㎛ CMOS 기술을 이용하여 실험한 결과 In-phase crosstalk 인 경우에는 변화량이 Static coupling capacitance 보다 작았지만 Anti-phase 인 경우에는 Static coupling capacitance 보다 크게 나타남을 보여주고 있다. 따라서 배선에 의한 정확한 지연시간 평가를 위해서는 Crosstalk 이 발생한 경우의 Coupling capacitance 변화량을 정확히 반영하는 것이 매우 필요함을 알 수 있다.

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Routing Congestion Driven Placement (배선 밀집도 드리븐 배치)

  • Kim, Dong-Hyun;Oh, Eun-Kyung;Hur, Sung-Woo
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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    • 2005.11a
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    • pp.853-856
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    • 2005
  • VLSI 설계에서 셀 배치단계는 칩의 성능에 영향을 미치는 중요한 단계로서, 셀 배치문제의 주요한 목적비용으로는 배선길이, 타이밍(timing) 그리고 배선밀집도 (routing congestion)가 있다. 기존 연구에서 배선길이를 줄이기 위한 많은 기법들이 소개되었으나 배선 밀집도를 추정하고 이를 어떻게 줄일 것인가에 대한 연구는 상대적으로 많이 되어있지 않다. 본 논문에서는 셀 배치후에, 주어진 배치를 바탕으로 배선밀집도를 예측하고 배선밀집도가 높은 지역을 국부적으로 해결하는 새로운 기법을 제안한다.

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