• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2006년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.447-449
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• 2006

본 논문에서는 변압기를 이용한 새로운 PDP용 전력회수회로를 제안한다. 2권선형 변압기를 이용하여 패널에 저장된 에너지를 전원으로 회생시켜 방전 이외의 용량성 부하로 기인하는 전력손실을 최소화 한다. 제안된 회로는 주스위치의 영전압 스위칭과 보조 스위치의 영전류 스위칭이 가능하고 변압기를 이용하기 때문에 권선비에 의한 자유로운 공진에너지 조절이 가능한 장점을 갖는다. 변압기 이용으로 인해 영전압 및 고속구동을 위한 천이시간 증가시 전류주입모드와 전압인가모드를 동시에 사용할 수 있는 장점을 갖는다. 제안된 회로의 성능과 하이브리드 모드 구동시에 나타나는 장점을 42인치 PDP적용실험을 통해 검증해본다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2003년도 춘계학술강연 및 발표대회
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• pp.34-34
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• 2003

전기설()폭발(Electric Wire Explosion)법은 고밀도 전류를 금속와이어에 인가시키면 저항 발열에 의해서 금속와이어가 빠르게 가열되고, 수$\mu$sec 이내에 초기체적에 비해 2~3배나 팽창한 후 폭발하는 현상을 이용하여 나노분말을 제조하는 방법으로써, 다른 제조방법에 비해 값싼 비용으로 1~50$\mu$sec의 짧은 시간동안 극히 높은 온도($10^4~10^6K$)에 도달하기 때문에, 와이어 전체가 동시에 기화하여 원재료의 조성을 갖는 분말의 합성이 가능하며, 공급되는 에너지와 시간, 챔버의 용적과 압력을 제어함으로써 평균 분말 크기를 조절할 수 있다는 잇점이 있다. 또한, 금속 와이어 주위의 분위기를 조절함으로써 금속나노분말뿐만 아리나 산화물$\cdot$질화물$\cdot$탄화물 분말, 합금 분말, 화학적 화합물이나 복합재료 나노분말들을 만들 수 있어서 여러 산업분야에 대한 응용이 크게 기대되고 있다. 본 연구에서는 전기선()폭발 챔버(Fig. 1) 와 최대 20kV까지 제어 가능한 고출력 펄스 전원장치를 자체 제작하고, 이를 이용하여 은(Ag)나노분말 합성에 대한 실험을 행하였다. 이렇게 제조된 분말은 SEM, XRD, PSA, BET 등을 이용하여 비교분석 하였다.

• 한국철도학회논문집
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• 제10권6호
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• pp.645-649
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• 2007

접지시스템은 고장전류를 대지로 방출시켜 대지전위상승을 억제하는 역할을 한다. 본 논문에서는 넓은 주파수 범위에서 접지임피던스를 분석하기 위하여 서지임피던스측정기를 설계 제작하였다. 본 측정기는 서지발생회로, 고속 샘플/홀드회로 및 주변 전자회로로 구성되어 있으며, 서지발생치고는 상승시간 $50ns\sim500ns$ 범위에서 최대 5kV까지 발생시킬 수 있다. 제작한 서지임피던스 측정기는 심타접지극으로 구성된 접지계에서 실질적 평가가 수행되었다. 실험 결과로부터 접지계의 서지임피던스는 인가전압의 상승시간에 따라 증가하는 경향을 나타내므로, 접지임피던스는 여러가지 고속의 서지파형으로 평가되어야함을 확인하였다.

• 전기화학회지
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• 제8권4호
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• pp.181-185
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• 2005

알루미나 기판을 사용하여 백금 박막 전류 집전체상에 $2.9{\mu}m$ 두께 및 $4cm^2$의 전극면적을 갖는 $LiCoO_2$ 박막을 R.F. 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착하였으며, 아르곤 공정 압력 및 인가된 R.F. 전력량에 따른 Li/Co 몰 비 의존성에 대해 고찰하였다. 비정질계 고체전해질인 Lipon 및 Li 음극이 순차적으로 증착된 박막전지를 제조하여 정전류충, 방전 시험하였으며, 고율방전 특성 및 충, 방전 횟수에 따른 전지 용량 변화를 측정하였다. 교류임피던스를 통해 전지내부의 저항성분을 측정하였으며, 이에 대한 등가회로를 구성하여 시뮬레이션한 결과와 비교하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제23권1호
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• pp.169-175
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• 2009

본 실험에서 자계중성방전 스파트링 시스템으로 균일한 산화 몰리브덴 박막을 얻을 수 있었다. 한편, 열처리 조건에 따라 박막의 제반특성은 XRD, XPS 및 SEM 등으로 고찰되었다. 기판의 열처리 온도에 따라 결정성장배향이 (100)에서 (210)으로 변함으로써, 박막의 결정성이 향상되었으며, 박막의 구조는 치밀해졌다. 광전자 Mo3d의 XPS 피크치는 결합에너지 228.9[eV]과 232.4[eV]에서 검출되었지만, O1s 피크치는 532.6[eV]였다. 서지 전압으로 방전시험은 연속적으로 10회 수행되었다. 전류-전압 특성곡선으로부터, 400[V]의 전압이 인가된 상태에서 시료의 초기 및 평균 저항치는 1.4[$M{\Omega}$]과 800[$M{\Omega}$]이었다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.38-46
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• 1999

본 연구는 고전압 전력기기에서 코로나에 의한 절연열화를 진단하기 위해 초음파 측정법을 사용하여 코로나의 진전상태에 따른 초음파신호를 분석하였으며, 또한 방전전하량과 초음파 펄스수의 관계를 조사하였다. 실험결과, 교류전압 인가시 코로나가 성장하여 브러시 또는 스트리머 코로나 형태에서 초음파신호는 처음으로 관측되었으며, 이때 관측된 초음파신호는 정극성 최대치에서 검출할 수 있었다. 전압이 상승함에 따라 정극성이 부극성에 비해 초음파의 발생빈도는 높게 나타났으며, 초음파신호의 크기는 전류펄스의 크기에 비례하였다. 그리고 초음파 펄스수는 방전전하량에 비례하여 증가된 것으로 나타났다. 옥외 전력기기에 대한 초음파 측정시 기본데이터를 얻기 위해 초음파의 발진 및 수신장치를 이용하여 공중초음파의 감쇄, 시간지연 및 지향특성도 조사하였다.

• 센서학회지
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• 제1권1호
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• pp.5-12
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• 1992

팩시밀리용 1차원 영상감지소자로 사용 가능한 수소화된 비정질 실리콘 다층막을 RF 글로방전 분해법으로 제작하였다. ITO/i-a-Si:H/Al 구조는 양전극으로부터의 캐리어주입과 인듐확산으로 인한 암전류가 상대적으로 크므로 본 논문에서는 이 암전류를 억제하고, ITO/i-a-Si:H의 계면에 임듐확산으로 인한 광전변환특성의 저하를 막기 위하여 $SiO_{2}$ 혹은 $SiO_{x}N_{y}$막이 사이에 끼인 ITO/유전체/i-a-Si:H/p-a-Si:H/Al구조를 제작하였다. 이는 계면의 전장을 증가시켜 양호한 광전변환특성을 얻기 위한 것이다. $SiO_{2}$막의 두께가 $300{\AA}$이고 p-a-Si:H막의 두께가 $1500{\AA}$일 때 암전류는 0.1nA이하로 억제되고 광전류도 5V의 인가전압에서 20nA로 포화되었다. 또한 광이용률을 향상시키기 위해 $SiO_{x}N_{y}$막을 ITO와 함께 이중 반반사약으로 형성시켜 ITO/a-$SiO_{x}N_{y}$/i-a-Si:H/p-a-Si:H/Al구조의 다층막을 제작하였다. 이 때 $SiO_{x}N_{y}$막 및 p-a-Si:H막의 두께는 각각 $300{\AA}$ 및 $1500{\AA}$으로 하였다. 광도 $20{\mu}W/cm^{2}$ 및 인가바이어스 5V하에서 광전류는 30nA, 암전류는 0.08nA로 각각 좋은 특성을 나타내었으며 광전류도 5V게서 포화되었다. 또한 분광감도특성의 결과로부터 단층막의 최대감도를 나타내는 파장은 약 630nm이었으며 다층막의 경우는 약 560nm정도이었다. 제작된 다층막의 균일도는 약 5%의 오차를 가졌으며 광응답시간은 0.3msec였다.

• 한국진공학회지
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• 제21권6호
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• pp.312-321
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• 2012

한 쌍의 대기압 플라즈마 제트 장치의 전극에 인가하는 교류 전압의 극성에 따라서 발생되는 플라즈마 칼럼의 전위를 고전압 프로브를 사용하여 계측하였다. 고전압이 인가되는 플라즈마 제트 장치에서 발생되는 플라즈마 칼럼은 고전압 인가측의 전위는 높고 플라즈마 칼럼을 따라서 선형적으로 전위가 감소한다. 이러한 플라즈마 칼럼은 단위 길이당 저항이 수 $M{\Omega}/m$에서 수십 $M{\Omega}/m$의 저항체이다. 한 쌍의 플라즈마 제트 장치의 전극에 극성이 다른 전압으로 발생되는 플라즈마 전위의 극성은 인가전압의 극성과 동일하다. 따라서 서로 다른 극성의 전압을 인가한 한 쌍의 플라즈마 제트 장치에서 방출되는 플라즈마의 대기 중의 병합점에서 상호 인력이 작용하며, 병합점의 전위는 수십 V로 낮다. 동일한 극성의 전압을 인가하여 방출되는 한 쌍의 플라즈마 제트는 상호 동일한 극성의 전위에 의하여 상호 척력이 작용하며, 병합점에서의 전위는 수백 V로 높다. 이러한 한 쌍의 플라즈마 제트에서 방출되는 플라즈마를 인체에 조사하는 경우는 전기적인 충격이나 열적인 손상은 플라즈마의 전위와 전류의 곱인 플라즈마 전력의 크기에 비례한다.

• 센서학회지
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• 제4권2호
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• pp.14-21
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• 1995

본 논문은 전력설비와 뇌방전에 의하여 발생하는 시변자장을 측정할 수 있는 능동성 자장측정계에 대하여 기술하였다. 자장측정계는 루우프형 센서, 차동증폭기로 동작되는 능동성 적분기로 이루어졌다. 시변자장측정계와 교정장치의 이론적 원리 및 설계방법에 대하여 제시하였으며, 교정실험으로부터 주파수대역 $270\;Hz\;{\sim}\;2.3\;MHz$, 응답감도 128 $mV/{\mu}T$를 얻었고, 교정실험계에서 자장센서범위의 자계의 세기는 ${\pm}3\;%$이내로 균일하였다. 적용실험으로는 대전류 발생장치에 의하여 모의 뇌임펄스전류와 진동성 임펄스전류를 발생시켜서 인가전류와 검출자장의 파형을 비교하였으며, 이의 결과는 거의 일치하였고, 편차는 0.5 %이내이었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제19권4호
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• pp.535-540
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• 2015

디지털 X-선 촬영 장치에 응용되는 MSGC형 검출기를 설계 및 제작하였다. 기판의 재질은 실리콘기판과 유리기판을 사용하였으며, 기판위에 증착된 전극물질은 포토리소그래피 공정을 이용하였으며, 크롬을 전극의 재료를 이용하였다. 양전극의 폭은 $10{\mu}m$, 음전극의 폭은 $290{\mu}m$로 각각 제작하였다. 양전극과 음전극 사이의 거리는 $100{\mu}m$ 이고, 검출기의 유효영역은 $50{\times}50mm^2$로 설계하였다. 그리고 양전극의 수는 80개로 하였고, 양전극의 전압이 600 Volt 이상 인가한 경우 양전극과 음전극 부분이 방전되어 끊어진 현상을 확인하였다. 결과적으로 검출기체인 Ar(90%) + $CH_4$(10%) 기체 하에서 X-선관의 전압은 42 kV, 최대전류 1 mA까지 인가하여 연구를 수행하였다.