• Title/Summary/Keyword: 발광

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Studies on the Light Organ of the Firefly, Luciola lateralis Motschulsky (애반딧불이의 발광기관 구조)

  • 이대우;부경생
    • Korean journal of applied entomology
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    • v.30 no.1
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    • pp.29-36
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    • 1991
  • Studies were carried out to investigate structural characteristics of the larval and adult light organs of Luciola lateralis Mot. and to observe the relation between the light organ and nerve. The larval light organs, (LLO)existed at a paired dorsal lateral positions of the 8th abdominal segment. The organ was spherical or sub-spherical in shape. There were many vacuoles around the LLO. As larva grew, the number of vacuoles increased. LLO had the muscles in its interior part and their role seemed to fix the LLO position in space. Also, there were the tracheae and tracheoles in LLO. The Adult light organs (ALO) were at the ventral portions of the 5th and 6th abdominal segments in the male, but only on the 5th abdominal segment in the female. ALO had two functional layers, i.e., photocyte and dorsal layer. Tracheal end organs existed in both layers but their arrangements were irregular. Rod-shaped photocytes and spherical photocytes were observed in the ALO of male and female, but the rod-shaped types were rarely found in the female. In the ALO of the 5th abdominal segment, two paired peripheral nerves were originated from the anterior part of the last abdominal compound ganglion. A pair of peripheral nerves were originated from the posterior part of the compound ganglion to innervate the 6th abdominal segment ALO. And LLO was innervated by a paired peripheral nerves from the last abdominal ganglion.

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Improvement of UV Photoluminescence of Hydrogen Plasma Treated ZnO Nanowires (수소 플라즈마 처리된 산화 아연 나노선의 자외선 발광 특성향상)

  • Kang, Wooseung;Park, Sunghoon
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.22 no.6
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    • pp.291-297
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    • 2013
  • ZnO nanowires were synthesized by vapor-liquid-solid (VLS) process using ZnO and graphite powders on the sapphire substrate coated with an Au film as a catalyst. ZnO nanowires had two prominent emission bands; i) near-band edge (NBE) emission band at 380 nm, and ii) a relatively stronger deep level (DL) emission band ($I_{NBE}/I_{DL}$ <1). In order for the ZnO nanowires to be utilized as an effective material for UV emitting devices, the photoluminescence intensity of NBE needs to be improved with the decreased intensity of DL. In the current study, hydrogen plasma treatment was performed to improve the photoluminescence characteristics of ZnO nanowires. With the hydrogen plasma treatment time of more than 120 sec, the extent of performance improvement was gradually decreased. However, the intensity ratio of NBE to DL ($I_{NBE}/I_{DL}$) was significantly improved to about 4 with a relatively short plasma treatment time of 90 sec, suggesting hydrogen plasma treatment is a promising approach to improve the photoluminescence properties of ZnO nanowires.

Optical characteristics of $Gd_2O_3$:Eu phosphor film for x-ray imaging detector (X선 영상 검출기 적용을 위한 $Gd_2O_3$:Eu 필름의 X선 발광 특성에 관한 연구)

  • Kim, So-Yeong;Kang, Sang-Sik;Cha, Byung-Youl;Son, Dae-Woong;Kim, Jae-Hyung;Nam, Sang-Hee
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.06a
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    • pp.344-344
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    • 2007
  • 본 연구에서는 X선 영상 검출기로의 적용을 위하여 $Gd_2O_3$:Eu 형광체 필름을 제작하여 X선에 대한 발광 특성을 분석하였다. $Gd_2O_3$:Eu는 저온 액상법을 이용하여 분말 형태로 제조한 후 Particle-in-binder (PIB)으로 필름 형태로 제작한 후, 도핑된 Europium(Eu)의 농도와 소결 온도에 따른 X선에 대한 발광 특성을 분석하였다. Photolumimescence (PL) spectrum에서 611nm에서 가장 높은 발광 효율을 나타내었으며, 입자의 크기가 줄어듦에 따라 610nm에서 새로운 peak가 형성 되었다. 또한 Eu의 농도에 따라서 발광 강도의 차이가 관찰되었는데, 5wt%의 도핑 농도에서 가장 높은 발광 효율을 나타냈으며, 도핑 농도에 매우 의존적인 결과를 나타냈다. 소결 온도에 따른 발광 특성 분석에서, $500^{\circ}C$에서 소결하였을 때는 623nm에서 강한 peak를 나타내는 단사정계상의 발광 peak는 거의 관찰되지 않았으나 소결 온도가 $700^{\circ}C$$900^{\circ}C$에서는 peak가 확인되었다. 이를 통해 $Gd_2O_3$ 모체가 대부분 입방 대칭 구조를 가지는 $Gd_2O_3$:Eu가 합성되었음을 확인할 수 있었다. 또한 소결 온도에 따른 발광 강도를 분석한 결과 $900^{\circ}C$에서 소결하였을 때 가장 높은 발광 강도를 나타냈다. Luminescent decay time 측정 결과에서 도핑된 Eu의 농도가 커질수록 Luminescent decay time이 짧아짐을 확인할 수 있었다.

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The recent trend of organic electroluminescent devices (유기 전계발광 소자의 최근의 개발동향)

  • 구할본;김주승;조재철
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.9 no.2
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    • pp.208-215
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    • 1996
  • 본 고에서는 최근 주목받고 있는 적층형 유기 전계발광소자의 일반적 형태와 발광특성등에 대해 알아보고자 한다. 현재 완전한 유기 전계발광소자의 개발을 위해 캐리어 수송재 즉, 정공수송재와 전자수송계의 캐리어 수송능력을 증가시키기 위해서 여러가지 새로운 물질들이 연구되고 있으며, 고효율의 발광특성을 얻어내기 위한 발광재료의 개발과 동작시의 안정성을 향상시키기 위한 소자구조의 개선에 대해서도 연구가 국내외적으로 활발히 진행되고 있다. 특히, 조만간 일본에서 30cd/m$^{2}$의 휘도를 갖는 적층형 유기 전계발광 소자가 상용화 될것으로 알려져있어 이를 계기로 고휘도, 고효율의 유기 전계발광 소자의 개발이 가까운 시일내에 이루워지리라 전망된다.

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Research of luminescent characteristics due to the crystal structure of ZnS phosphors (ZnS 형광체의 결정구조에 따른 발광 특성 연구)

  • Park, Yong-Kyu;Sung, Hyun-Ho;Cho, Whang-Sin;Lee, Jong-Chan;Park, Dae-Hee
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2000.04b
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    • pp.18-21
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    • 2000
  • 진공 분위기에서 소성하여 ZnS 형광체를 제작하였다. ZnS 형광체는 소성온도가 $950^{\circ}C$ 이하인 경우 sphalerite 구조로 성장되었고, $1050^{\circ}C$ 이상인 경우 sphalerite 구조와 wurtize 구조의 공존이 확인되었다. Sphalerite 구조일 때 나타나는 460 nm를 중심으로 하는 발광 peak과 wurtize 구조일 때 나타나는 440 nm를 중심으로 하는 발광 peak은 ZnS 형광체 내에 형성된 $V_{Zn}$에 기인한다. Sphalerite 구조로 성장되었을 때 발광 스펙트럼에서 관측되는 528 nm를 중심으로 하는 발광 peak과 sphalerite와 wurtize 구조가 공존할 때 발광 스펙트럼에서 관측되는 515 nm를 중심으로 하는 발광 peak은 ZnS 형광체 내에 형성된 S의 결핍($V_s$) 준위로부터 가전자 띠로 복사 전이에 기인하는 것으로 설명된다.

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Spontaneous emission of organic light emitting material using an optical-microcavity structure (광학적 미세공동 구조를 이용한 유기발광물질에서의 자발방출)

  • 정부영;김남영;이창희;이석목;황보창권;설창
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.318-319
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    • 2000
  • 1987년에 Tang과 VanSlyke가 유기발광물질중의 하나인 8-hydroxyquinoline aluminum(Alq$_3$)을 사용하여 유기발광소자의 특성[1]을 발표하였으며, 1990년에 영국의 Cambridge대학 Cavendish 연구소는 Poly(p-phenylene vinylene)[2]를 이용한 고분자 발광소자의 특성을 보고하였다. 저분자와 고분자를 이용한 이 두 편의 논문은 낮은 인가전압, 높은 형광효율, 반도체의 성격을 보고하고 있다. 이와 같은 특성들은 실질적인 전기 발광소자에 대한 적용 가능성 및 대형 디스플레이에 대한 개발 잠재력[3]을 시사하고 있다. 특히 본 연구에 사용된 Fabry-Perot 공진기 형태의 광학적 미세공동구조는[4,5] 발광파장을 조절할 수 있을 뿐만 아니라 에너지 재분포로 인해 발광세기를 향상시킬 수 있다는 점에서 다른 EL소자들이 가지는 일반적인 구조와 대조되는 장점을 가지고 있다. (중략)

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Optical and Electrical Characteristics of Chirped Quantum Dot Structures for the Superluminescent Diodes with Wide Spectrum Bandwidth (파장대역폭이 넓은 고휘도 발광소자를 위한 Chirped 양자점 구조의 광/전기 특성 분석)

  • Han, Il-Ki
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.18 no.5
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    • pp.365-371
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    • 2009
  • We analyzed photoluminescence (PL) and electroluminescence characteristics of various chirped quantum dot structures. Peaks in EL curves were contributed by excited states of quantum dots (QD), while those in PL curves by grounded states. Based on these characteristics, we suggested that superluminescent diodes with wide spectral bandwidth may be developed if chirped QD structures are designed to make a contribution by ground states to EL characteristics.

Effect of Surface Recombination on the Light-Emitting Property of Two-Dimensional Photonic Crystals (표면 비발광 결합이 2차원 광결정의 발광 특성에 미치는 영향)

  • ;;;R. Sellin;D. Birilberg
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2001.02a
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    • pp.20-21
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    • 2001
  • 광결정(photonic crystal)은 빛의 파장 크기 정도의 격자 상수를 지닌 1차원, 2차원, 또는 3차원의 주기적인 구조이다. 최근에 2차원 광결정 공진기 구조에서 광펌핑으로 레이저 발진이 성공한 결과가 발표되면서 광결정 구조를 이용한 광소자로의 응용이 본격적으로 시작되고 있다. 하지만, 2차원 광결정 발광 구조에서는 능동 매질이 공기 중과 접한 영역이 넓어서 필연적으로 면에서의 비발광 결합이 중요한 문제가 된다. 이러한 문제 때문에 반도체에 기반한 광결정 구조 중에서는 비발광 결합이 비교적 적은 InP/InGaAsP 계열 물질이 능동 매질로 이용되어 왔다. 본 연구에서는 광결정 발광 구조에서 표면 비발광 결합이 실제로 어느 정도나 영향을 미치는가에 대한 연구를 수행하였다. (중략)

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School Uniforms Reforming Project for Safe Homecoming at Night (밤길 안전한 귀가를 위한 교복 리폼 프로젝트)

  • Lee, Eun-Jeong;Kim, Han-Bin;Choi, Jeong-Won;Lee, Young-Jun
    • Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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    • 2014.01a
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    • pp.223-226
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    • 2014
  • 본 논문에서는 늦은 귀가시 밤길 교통사고의 위험에 쉽게 노출되는 학생들의 안전을 위해 교복을 개선하기 위한 발광체를 제작하는 데에 그 목적이 있다. 발광체 제작을 위한 적절한 도구로 Lilypad arduino를 활용하여 e-textile을 개발하였으며, e-textile을 개발을 위하여 기존 발광체의 문제점을 분석하고 제품의 전반적인 구상, 제품의 디자인, 회로설계, 프로그래밍 및 오류 검토, 제작의 과정을 걸쳐 발광체를 완성하였다. 결과적으로 제작된 발광체는 기존 재귀반사판과 같은 발광체에 비해시각적 인식률을 높일 수 있었고 더 다양한 디자인으로 표현이 가능했으며 부착 위치에 있어서도 기존 발광체보다 융통성을 갖추게 되었다.

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질화물 계 발광다이오드의 광추출효율 향상을 위한 나노임프린트 리소그래피 공정

  • Byeon, Gyeong-Jae;Hong, Eun-Ju;Park, Hyeong-Won;Lee, Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.27.2-27.2
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    • 2009
  • 현재 질화물 계 발광다이오드는 액정소자의 백라이트유닛, 모바일폰, 차량용램프, 교통신호등 등 다양한 장치의 광원으로 사용되고 있으며, 그 응용분야는 앞으로도 크게 확대되는 추세에 있다. 이는 발광다이오드의 저전력, 장수명, 친환경적인 장점에 의한 것으로, 일반 조명용 광원으로 사용하기 위한 기술개발이 활발히 진행 중이다. 하지만 질화물 계 발광다이오드를 미래의 조명용 광원으로 사용하기 위해서는 광출력이 보다 향상되어야 한다. 발광다이오드의 광출력을 저하시키는 요인으로는 다양한 문제점이 있지만 특히 낮은 광추출특성으로인한 광출력저하 문제를 해결해야 한다. 본 연구에서는 질화물 계 발광다이오드의 광추출특성을 향상시키기 위해서 나노임프린트 리소그래피 공정을 도입하였다. UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 통해서 p형 질화갈륨 및 인듐주석산화물 투명전극 층에 sub-micron 급 광결정패턴을 형성하였으며, 광루미네선스와 전기루미네선스 측정을 통하여 광결정패턴으로 인한 광출력 특성을 분석하였다.

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