• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.45-49
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• 2003

본 논문에서는 gate 산화막을 위한 Hf oxide 박막을 $Hf(dmae)_4$ (dmae=dimethylaminoethoxide) 전구체로 Direct Liquid Injection Metal Organic Chemical Vapor Deposition (DLI-MOCVD)방법을 이용하여 p-type Si(100) 기판 위에 증착하였다. 이 전구체를 이용하여 $150^{\circ}C$의 낮은 증착 온도에서도 낮은 carbon 농도와 roughness를 가지는 양질의 박막을 증착할 수 있었다. 증착된 박막은 비정질 구조를 나타내었지만 annealing 온도를 증가시킴에 따라서 결정성(monoclinic phase)을 나타내었다. $500{\AA}$으로 증착한 박막을 C-V 와 I-V curve를 통하여 전기적 특성을 평가하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 유효유전상수(k)는 증가하지만 열처리 온도가 $900^{\circ}C$ 이상이 되면 계면층의 형성에 의해 유효유전상수는 감소하게 되고 이에 따라 누설 전류도 감소하게 된다. 산소분위기 $800^{\circ}C$에서 annealing한 $HfO_2$ 박막의 유전상수는 20.1이고, 누설 전류 밀도는 SV에서 $2.2\times10^{-6}A/\textrm{cm}^2$ 로 좋은 전기적 특성을 가진다.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.54-58
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• 2003

본 연구에서는 $SiO_2/Si$ 기판 위에 $1.1\mu\textrm{m}$ 두께의 ZRO 압전층을 다양한 조건 하에서 증착하고, 그 특성을 분석하고, film bulk acoustic wave resonator 소자에 적용하였다. 증착조건으로 $Ar/O_2$ 유량비를 25-75 %로 변화시켰으며, working pressure는 3~15 mtorr, RF power는 213~300 W로 변화시켜가며 실험을 하였다. 증착된 ZnO 박막은 XRD (X-ray diffractomter)와 SEM (scanning electron microscopy)을 통해 특성이 분석되었다. LFE모드의 BAW 공진기는 $50\times50\mu\textrm{m}^2$ 공진면적을 가지며, $W/SiO_2$의 5층 Bragg reflector와 상하부 전극으로 $1800{\AA}$의 Al-3% Cu, 그리고 $1.4\mu\textrm{m}$ 두께의 ZnO 압전박막으로 구성되었다. 2.128-2.151 GHz 주파수 사이에서 공진이 일어났으며, Q factor는 400으로 측정되었다.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.99-104
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• 2003

본 연구에서는 고분자 전해질 연료전지의 촉매 슬러리 함침 도구와 전극 촉매층 형성 방법이 전극 성능에 미치는 영향을 조사하였다. 촉매 슬러리 함침 도구는 브러쉬, 스프레이 건, 스크린 프린터를 이용하였으며, 전극 촉매층 형성 방법은 스크린 프린터를 이용하여 고분자 전해질 막 위에 전극 촉매층을 형성하는 방법, 카본 페이퍼 위에 전극 촉매층을 형성하는 방법과 위의 두 방법을 결합하여 전극 촉매층을 형성하는 방법으로 구분하였다. 스크린 프린터로 제조된 전극은 브러쉬와 스프레이 건으로 제조된 전극들과 비교하여 백금 함침량을 50% 이상 줄일 수 있었으며, 고분자 전해질 막 위에 전극 촉매층을 형성하는 방법과 카본 페이퍼에 전극 촉매층을 형성하는 방법을 결합한 전극이 $1A/\textrm{cm}^2$에서 0.6V로 가장 좋은 I-V 특성을 나타내었다.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.94-98
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• 2003

Carbon nanofibers (CNF) with uniform diameter and controlled size could be prepared from catalytic decomposition of $C_2H_2$ with the catalyst treated by mechnochemical(MC) process. The distribution and size of Ni catalyst can be governed by tuning grinding time using MC process. As a result, size and structure of CNF can be controlled. The effect of grinding time to the as-grown CNF was checked. CNFs with diameter from 10-70nm can be synthesized. CNFs with bundle formation sharing one tip were found for MC treated catalyst.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.109-116
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• 2003

Amorphous GaN Quantum dots(a-GaN QDs) with particle diameters less than bohr radius(~11nm) were successfully fabricated at room temperature by a laser ablation of high densified GaN target. Transmission electron microscopy, SAED diffraction pattern and X-ray photoelectron spectroscopy confirmed the presence of a-GaN QDs with particle size of 7.9, 6.9, 4.4nm under the Ar gas pressures of 50, 100 and 200 Pa, respectively. The room temperature PL and absorbance spectra showed a strong band emission centered at 3.9 eV in a-GaN QDs made under the gas pressures of 100 and 200 Pa, which is nearly 0.5eV blueshifted with respect to the bulk crystal band gap.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.126-129
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• 2003

저온 소성이 가능한 유전체재료 개발을 글래스-세라믹스 복합체를 제조하고자 하였다. $BNT(BaO-Nd_2O_3-TiO_2)$계 세라믹스를 기본조성으로 하고, 인산염계 글래스 프릿의 첨가를 통해 제조된 글래스-세라믹스 복합체의 소결특성 및 유전특성을 조사하였다. 글래스 프릿의 첨가량이 증가하고 소결온도가 높아질수록 소결 수축률과 상대밀도가 증가함을 알 수 있었으며, 글래스 프릿의 첨가량을 첨가하였을 경우 BNT계 세라믹스에서의 주결정상인 $BaNd_2Ti_5O_{14}$와 더불어 Hexagonal system을 갖는 $KCaNd(PO_4)_2$을 확인하였다. 복합체를 소결한 후 유전특성을 측정하였는데, 유전율(${\varepsilon}_r$)은 감소하는 경향을 나타내었다.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.130-135
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• 2003

Low dielectric constant SiOC(-H) films have been prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition using bis-trymethylsilyl-methane (BTMSM) and $O_2$ precursors. The annealing effects on the structural and electrical properties were studied. The results indicate post-annealing could efficiently remove the hydroxyl (-OH) related groups from the as-deposited films and cause the chemical structure re-arrangement, resulting in the more nano-pores being formed in the annealed SiOC(-H) films. The dielectric constant decreased from 2.7 to 2.1, and the refractive index decreased from 1.427 to 1.32.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.192-199
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• 2003

Film growth of InP and GaAs using TMIn, TMGa, TBAs and TBP is numerically predicted and compared to the experimental results. To obtain exact thermal boundary conditions at the reactor walls, the gas flow and heat transfer are analyzed for full three-dimensional reactor including outer tube as well as the inner reactor parts. The results indicate that the exact thermal boundary conditions are important to get precise film growth rate prediction since film deposition is mainly controlled by the temperature dependent diffusion. The results also show that thermal diffusion plays an important role in the upstream region.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.207-211
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• 2003

In this study, the geometric modeling has been conducted for a new model of 12 inch hot-cold chuck using three-dimensional solid modeler, SolidWorks. Then, the heat transfer analysis and the thermal deformation analysis using FEM have been performed. The results of the analysis show the temperature distribution and the deformed shape of a new model of 12 inch hot-cold chuck. The evaluation for the surface flatness of a new model has been performed based on the deformed shape obtained from ANSYS.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.20-26
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• 2002

The fluid flow, mass transfer, heat transfer and film thickness variation during the spin coating process are numerically studied. The model is said to be 1-dimensional because radial variations in film thickness, concentration and temperature are ignored. The finite difference method is employed to solve the equations that are simplified using the similarity transformation. In early time film thinning is due to the radial convective outflow. However that slows during the first seconds of spinning so the film thinning due to evaporation of solvent becomes sole. The time various film thickness is analyzed according to the var ious solvent fraction in the coating liquid and in the bulk of the overlying gas and the temperature variation in the liquid film during the spin coating is estimated.