• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
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• pp.19-22
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• 2007

반도체 산업은 회로의 고밀도화, 고집적화에 따라 웨이퍼 표면의 입자, 금속, 금속 이온, 유기물 등 오염물의 크기가 미세해 지고 세정에 대한 요구 조건이 더욱 엄격해지고 있다. 현재 세정 공정은 반도체 제조공정 전체에서 약 30%를 차지하고 있으며, 습식 세정 방식이 주로 사용되고 있다.[1] 습식 세정방식은 탈이온수로 린스하고 건조하는 공정이 필연적으로 따르며, 기판 표면에 건조과정에서 물반점이 남는 문제가 가장 큰 이슈로 남아 있다. 본 연구는 웨이퍼의 습식 세정 공정에 사용되는 DHF Final Clean Process후 IPA Vapor를 이용한 건조 방법을 기술 하였다. Single wafer spin process를 이용하였으며, 웨이퍼 Process 공간을 밀폐 후 N2가스를 충진하여 대기중의 산소 오염원 유입을 차단하고 수세 및 건조 가스를 이용하여 건조시킴으로써 SiFx의 SiOx로의 치환을 방지 하여 건조 효율 향상을 목적으로 한다. Bare 웨이퍼에서 65nm 이상 오염 발생 증가량을 측정 하였으며, 공정 후 웨이퍼 오염 발생량을 35개 이하로 확보 하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제4권1호
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• pp.49-53
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• 2005

The nanoparticle deposition chamber, which is used for quantum dot semiconductor memory applications, is designed by means of numerical simulation. In this research, the numerical simulations for deposition chamber were performed by commercial software, FLUENT. The deposition of nanoparticles is calculated by diffusion force, thermophoresis and electrophoresis of particles. As a results, when the diffusion force was considered, the most of particles deposited in the wall of deposition chamber. But as considering thermophoresis and electrophoresis of particles, the particles were deposited wafer surface, perfectly.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.174-177
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• 2006

본 논문에서는 리프팅 기반의 DWT 구조의 단점을 개선하고자 플립핑(Flipping)기법과 5 단 파이프라인 구조(5 Stage Pipeline)를 적용하여 임계경로가 획기적으로 줄어든 1 차원 DWT 구조를 제안하고 이를 활용하여 JPEG2000 표준의 손실 압축 모드에서 이용되는 9/7 필터계수의 2 차원 DWT 를 수행 할 수 있도록 열 방향 DWT 처리기를 설계하였다. 2 차원 DWT 는 1 차원 DWT 의 처리 결과에 대해 열상의 열(Column) 방향으로 2 차원 처리를 수행해야 하므로 1 차원 결과를 저장하기 위한 한 영상 사이즈 만큼의 메모리 버퍼를 필요로 한다. 기존 $N^2$이 필요하던 메모리 사이즈를 14N으로 줄인 2차원 구조를 제안한다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.178-183
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• 2006

Effect of coulomb friction and backlash on the single loop posit ion control has been studied for the precision position control. We studied and showed the limit cycle on the single loop system which used a ball screw that had the backlash. Also, We made an inner loop with a classical velocity and torque controller which was forcing the $i_d$ current to be zero by using a permanent-magnet synchronous motor and composed the outer loop with linear sensor for sensing a position of the loader. We have been shown a good result by using the dual loop through numerical simulation method.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.184-189
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• 2006

In the process of accurate manufacture and measurement, it is necessarily required to isolate external or internal vibration due to external disturbance and internal actuators. The higher vibration isolation system gets damping around resonance, the better it is generally. This paper analyzes the performance of an existing passive air-spring for vibration isolation table by rising experiment and simulation. Optimal design for a passive air spring can be obtained by fluting the size of the orifice. Also design for an active isolation system is carried out by applying PID controller and considering non-linearity of pneumatic characteristics with help of look-up table. We have developed the act ive vibration isolation table wi th the bet ter isolation performance.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.1-4
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• 2006

공초점 자가 간섭 현미경은 측정 광학계에 복굴절 물질을 사용하여 반사된 빛에 대해 간섭 현상을 일으키는 것을 특징으로 한다. 이 간섭을 자가 간섭이라고 부르는데, 이는 시편의 한 점에서 반사되어 나온 빛이 간섭을 일으키기 때문에 붙여진 이름이다. 공초점 자가 간섭 현미경의 점 확산 함수는 종래의 공초점 현미경의 점 확산 함수와 자가 간섭의 곱으로 나타나며, 자가 간섭의 주기가 종래의 공초점 현미경의 점 확산 함수의 중심폭보다 작은 경우 점 확산 함수의 중심폭이 작아져서 수평 방향으로의 분해능이 향상되게 된다. 이러한 분해능 향상 정도를 측정하기 위하여 지름이 100nm 인 금으로 된 비드를 사용하였다. 측정된 결과는 전산모사한 결과와 잘 일치하며 공초점 자가 간섭 현미경에서 2배의 분해능 향상을 보여준다.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.10-13
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• 2006

This paper describes on the fabrication and characteristics of a 3C-SiC (Silicon Carbide) micro pressure sensor for harsh environment applications. The implemented micro pressure sensor used 3C-SiC thin-films heteroepitaxially grown on SOI (Si-on-insulator) structures. This sensor takes advantages of the good mechanical properties of Si as diaphragms fabricated by D-RIE technology and temperature properties of 3C-SiC piezoresistors. The fabricated pressure sensors were tasted at temperature up to $250^{\circ}C$ and indicated a sensitivity of 0.46 mV/V*bar at room temperature and 0.28 mV/V*bar at $250^{\circ}C$. The fabricated 3C-Sic/SOI pressure sensor presents a high-sensitivity and excel lent temperature stability.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.198-201
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• 2006

In this paper, we fabricated drag force type and pressure difference type gas flow sensor with dry etching technology which used Deep RIE(reactive ion etching) and etching stop technology which used SOI(silicon-on-insulator). we fabricated four kinds of sensor, which are cantilever, paddle type, diaphragm, and diaphragm with orifice type. Both cantilever and paddle type flow sensors have similar sensitivity as 0.03mV/V kPa. Sensitivity of the fabricated diaphragm and diaphragm with orifice type sensor were relatively high as about 3.5mV/V kPa, 1.5mV/V kPa respectively.

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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.150-153
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• 2006

Micro vibration isolation, typically originated from ground, is always a prime concern for the nano-measurement instruments such as Atomic Force Microscopes. A four mount active vibration isolation system is proposed in this paper. Modeling and control of such a four mount system as analyzed. Combined active-passive isolation principle is used for vibration isolation by mounting the instrument on a passively damped isolation system made of Elastomer along with the active stage in parallel that consists of very soft actuation system, the Voice Coil Motor. The active stage works in combination with the passive stage for working as a very low frequency vibration attenuator.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.14-17
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• 2006

This paper describes a novel processing technique for fabrication of polymer-derived SiCN (silicone carbonitride) microstructures for super-temperature MEMS applications. PDMS (polydimethylsiloxane) mold is fabricated on SU-8 photoresist using standard UV photolithographic process. Liquid precursor is injected into the PDMS mold. Finally, solid polymer structure is cross-linked using HIP (hot isostatic pressure) at $400^{\circ}C$, 205 bar Optimum pyrolysis and anneal ins conditions are determined to form a ceramic microstructure capable of withstanding over $1400^{\circ}C$. The fabricated SiCN ceramic microstructure has excel lent characteristics, such as shear strength (15.2 N), insulation resistance ($2.163{\times}10^{14}\;{\Omega}$) and BDV (min. 1.2 kV) under optimum process condition.