Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.361-361
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2012
사파이어 단결정은 LED 소자의 기판으로 널리 사용되고 있으며 현재 소자 수율을 향상시키기 위하여 6인치 이상의 대구경 웨이퍼를 만들기 위한 많은 노력을 경주하고 있다. 단결정, 특히 반도체 단결정 웨이퍼에서 ($00{\cdot}1$), ($10{\cdot}2$) 등의 어떠한 결정학적인 방위(crystallographic orientation)가 표면과 이루는 각도, 즉 표면방위각(off-cut 또는 misorientation angle)의 크기와 방향은 제조된 LED 소자의 물성에 영향을 끼치므로 웨이퍼를 가공할 때 정확하게 콘트롤해야 한다. 본 연구에서는 고분해능 X-선을 이용하여 표면이결정학적 방향과 이루는 면방위각을 정밀하게 결정하는 측정법을 연구하였다. 기존의 ASTM 의 측정법과는 다른 원리를 이용하고 웨이퍼의 휨(bending)이나 측정고니오 회전축의 편심과 무관하게 표면방위각을 결정하는 새로운 이론적 모델을 제시하고 그 모델을 적용하여 표면의 수직축이 대구경 사파이어 ($00{\cdot}1$) 축과 이루는 표면방위각을 정확하게 측정 분석하였다. 본 연구에서 사용한 6인치 사파이어 웨이퍼에 대하여 표면방위각은 $0.21^{\circ}$이었으며 표면각이 나타나는 방향은 웨이퍼의 primary edge 방향으로부터 $-1.2^{\circ}$ 벗어나 있는 방향이었다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2009.10a
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pp.410-413
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2009
Wafer pre-alignment is to find the center and the orientation of a wafer and to move the wafer to the desired position and orientation. In this paper, an area camera based pre-aligning method is presented that captures 8 wafer images regularly during 360 degrees rotation. From the images, wafer edge positions are extracted and used to estimate the wafer's center and orientation using least square circle fitting. These information are utilized for the proper alignment of the wafer.
The importance of the semiconductor industry in Korea has been growing, but the manufacturers are experiencing two major problems: poor optimization of production and low localization ratio of production equipments. Due to the complex manufacturing processes and special features such as OTD (On Time Delivery) and LIPAS (Line Item Performance Against Schedule) possibilities, several attempts to apply MRP or spreadsheet have been failed to meet the expectations. This paper describes the computer modeling technique as the solutions to analyze the problem, to formalize the semiconductor manufacturing process, and to build an advanced manufacturing environments. The computer simulation models are built referring the FAB facilities of the National Inter - University Semiconductor Research Center to show the FAB processes and the functions of each process.
Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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2003.05a
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pp.167-172
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2003
액정판넬(LCD) 및 반도체 제조공정에 있어서 정전기 발생으로 인하여 미세한 먼지가 LCD 및 반도체 웨이퍼에 부착되거나, 정전기 방전에 의해 반도체소자 및 LCD 유리기판상의 패헌의 파괴를 야기하여 제품의 수율을 저하시키고 제조원가를 상승시키는 주요한 요인이 된다. 현재 이러한 제조공정에서 정전기를 위한 대책으로 코로나방전에 의한 이온바(Ion Bar) 및 이온브로어(Ion Blower)를 제전설비로 사용하고 있으나, 이 장치는 코로나 방전에 의한 이온을 발생시키고 이온화된 공기를 불어 내기 위하여 팬을 사용하여 공기를 대류 시킨다.(중략)
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2004.05a
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pp.202-202
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2004
화합물 반도체는 초고속, 초고주파 디바이스에 적합한 재료인 갈큠비소(GaAs), 인듐-인산듐(InP) 등 2 개 이상의 원소로 구성되어 있고, 실리콘에 비해 결정내의 빠른 전자이동속도와 발광성, 고속동작, 고주파특성, 내열특성을 지니고 있어 발광 소자 (LED)와 이동통신(RE)소자의 개발 등에 다양하게 이용되고 있다. 이와 같이 화합물 반도체는 고부가가치의 첨단산업 부품들로 적용되는 만큼 생산제조 공정에 해당하는 연마, 본딩, 디본딩에 관한 방법과 기술에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있다.(중략)
Proceedings of the Korea Society for Simulation Conference
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2000.11a
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pp.56-60
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2000
최근 반도체 산업은 주문형 제품의 생산이 증가하고 이에 대한 납기달성도에 대한 관리가 점차 중요해지고 있다. 본 논문은 납기달성도의 제고를 위한 생산 스케줄링 규칙을 제시하고 이에 대한 성능평가를 위해 반도체 Fabrication 라인을 모델로 한 시뮬레이션 모형을 개발하였다. 제시된 규칙이 라인의 밸런스는 물론 납기만족과 사이클 타임을 줄이는 데 좋은 성능을 나타내는 것을 보였다. 또한 제시된 규칙이 주문변화와 웨이퍼 투입규칙에 민감하지 않은 강건한 규칙임을 보이고 있다.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2004.05a
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pp.268-271
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2004
반도체 가공공정에서 웨이퍼의 정렬이나 각종 초정밀 가공에서 가공물의 각도를 미체 조정하기 위한 초정밀 메커니즘을 제안하였다. 일반적으로 각도를 결정하는 메커니즘은 기어를 이용한다. 기어를 이용할 경우 회전 분해능을 높일 수 있으나 기어의 백래쉬에 의한 오차가 있어 보다 높은 정밀도를 구현하기가 어렵다. 본 논문에서는 직접구동(direct drive) 방식과 이중서보(dual servo) 방식을 이용하여 기어를 사용하지 않고 회전 스테이지를 구현하였다.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2003.05a
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pp.94-97
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2003
본 연구에서는 반도체제조에 필수적으로 사용되는 플라즈마장비의 성능을 예측.분석하여 개발 시간 및 비용의 절감과 장비의 성능을 극대화 할 수 있도록 이론적 전산모사 환경(VIP-SEPCAD)을 개발하고 있다. VIP-SEPCAD는 플라즈마의 물리.화학적 특성을 예측하는 plasma model, 중성화학종들의 반응 및 유돈 특성을 예측하는 neutral reaction-transport model, particle의 유동 특성을 예측하는 particle transport model, particle의 생성 및 성장 특성을 예측하는 particle formation-growth model, 식각 또는 증착되는 웨이퍼 표면변화를 예측하는 surface evolution model로 구성되어 있다. 현재 개발된 VIP-SEPCAD를 이용하여 산소 플라즈마의 특성과 각종 화학성분들의 분포를 예측하고 particle의 거동에 대하여 분석하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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