• Title/Summary/Keyword: 반도체 압력 센서

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The technical trend of micro-pressure sensors (마이크로 압력센서의 기술동향)

  • 정귀상
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.8 no.1
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    • pp.102-113
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    • 1995
  • 일반적으로 단결정 실리콘은 거의 모든 전자소자의 재료로서 널리 사용되고 있으며 제조공정기술 또한 상당한 수준에 도달하고 있다. 최근에는 실리콘 자체의 우수한 압저항효과, 기계적 특성 그리고 반도체 제조공정을 이용한 미세가공기술인 마이크로머시닝을 이용하는 반도체 압력센서에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 기계식 압력센서에 비해서 전기적 변화를 이용하는 반도체 압력센서에서는 소형, 저가격, 고신뢰성, 고감도, 다기능, 고분해, 고성능 및 집적화 등의 우수한 특성을 지니고 있다. 본고에서는 이러한 특성을 가지는 반도체 압력센서중 특히, 압저항형과 용량형 압력센서의 구조와 원리, 그리고 연구.개발동향 및 향후 전망에 관해서 기술하였다.

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온도 변화에 따른 압력센서 배선의 피로수명 평가

  • 심재준;한근조;김태형;한동섭;이성욱
    • Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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    • 2004.05a
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    • pp.90-90
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    • 2004
  • 반도체 집적회로 제작 기술을 기반으로 하여 각종 물리량 감지를 위한 미세기계구조물과 각종 물리량의 전기신호로의 변화, 증폭, 보정을 위한 전자회로를 동시에 제작하여 하나의 칩 상에 집적화시킬 수 있는 MEMS 기술이 등장하게 됨에 따라 센서의 소형화, 경량화, 다기능화, 고성능화와 함께 비용을 최소화할 수 있는 장점을 가진 반도체 센서가 급격하게 개발되어 자동차 산업에 상용화되고 있다. 특히 반도체 압력센서는 엔진 제어용 MAP센서에서 가장 먼저 상품화되었으며, 현재 타이어압 센서 그리고 탱크 연료압력센서가 상품화되었고, 에어콘 압력 센서등도 실리콘 센서로 대체하기 위한 단계에와 있다.(중략)

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반도체 압력 및 유량센서

  • 전국진;이영주;김현철
    • 전기의세계
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    • v.42 no.11
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    • pp.30-36
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    • 1993
  • 본고에서는 물리량을 측정하는 압력센서 및 유량센서의 원리와 종류에 대해 고찰해 보았다.

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Construction and Characterization of the Stainless Steel Isolated Type Semiconductor Pressure Sensor (스테인레스 봉입형 반도체 압력센서의 제작 및 그 특성)

  • Kim, Woo-Jeong;Cho, Yong-Soo;Hwang, Jung-Hoon;Choi, Sie-Young
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.11 no.3
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    • pp.138-144
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    • 2002
  • The silicon piezoresistive pressure sensor is made by semiconductor process to obtain stainless steel isolated type pressure sensor. The sensor is loaded on a stainless steel housing with glass molding, $50\;{\mu}m$ stainless steel thin film is welded, and the stainless steel housing encapsulated by silicone oil. The performance of fabricated the pressure sensor has 10 bar pressure range. The XTR105 of exclusive transmitter chip is used the pressure transmitter that output current is 4 - 20 mA. The accuracy is ${\pm}5%$ FS, however, the accuracy is ${\pm}1%$ FS when the sensor is compensated temperature.

Principles and Applications of Pressure Sensors (압력센서의 원리 및 응용)

  • 전국진
    • Journal of the KSME
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    • v.33 no.6
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    • pp.515-522
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    • 1993
  • 센서는 자연현상을 감지하는 소자로 계측 및 제어시스템의 구성요소로 이용되며, 센서를 이용 하여 Closed-loop System의 구성을 가능케 하며, 지능화된 시스템을 구현 할 수 있다. 센서는 압력, 유량, 온도, 자장, 광 등을 측정하는 물리적 센서, pH, 이온, 산소 등의 구성물을 감지하는 화학센서, 인체의 혈당량, 뇌의 상태, 냄새 등을 측정하는 바이오 센서로 대별될 수 있다. 이중 물리적 센서는 기계적 시스템에 많이 이용되며, 특히 압력, 유량센서는 자동차에 있어서 엔진의 Manifold, 엔진오일, 브레이크 오일, 타이어, 연료 등의 상태를 측정하는데 사용되고 있다. 예를 들어 1980년대에는 미국 Ford와 Motorola사가 공동으로 반도체공정 기술을 이용한 용량 형(capacitive) 압력센서를 개발하여 엔진의 컨트롤시스템에 이용하였다. 이러한 압력센서는 1988년에 15억불의 매출을 기록하였으며, 1955년에는 30억불로 늘어날 전망으로 있어 가장 많이 사용되는 센서로 각광을 받고 있다. 이글에서 압력센서의 원리 및 종류에 대하여 알아보고, 마 이크로머시닝 기술 등의 제작방법과 이의 응용에 대하여 논의하려 한다.

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A Study of protecting module of chamber gas leakage for semiconductor manufacturing process (반도체 제조장비용 챔버의 가스 누출 방지 모듈 개발)

  • Sul Yong-Tai;Park Sung-Jin;Lee Eui-Yong
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2005.05a
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    • pp.132-135
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    • 2005
  • 본 연구에서는 반도체 제조 공정에 이용되는 가스의 흐름을 감지하고 제어하는 장치를 제안하였다 압력센서를 MFC(Mass Flow Controller)에 의해 제어되는 다음 단의 파이널밸브(Final Valve)와 챔버사이의 가스관에 부착시켜, 이 압력센서의 신호와 공압밸브의 동작 신호를 디지털 회로를 이용하여 실시간으로 제어하도록 하였다. 이로써 반도체 제조 공정 중에 발생할 수 있는 2차 소성물로 인한 가스의 흐름 제어와 관련된 시스템 고장을 LED를 통해 실시간으로 확인 가능하다. 또한 가스누출고장발생 시 반도체 제조 공정의 프로세스를 중단시켜 장비의 손상 및 안전사고를 예방하는 기능도 있다. 본 연구에서 개발된 모듈을 이용함으로써 가스밸브의 오동작에 의한 반도체/디스플레이 제조장비의 신뢰성 향상을 기할 수 있다.

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A Study of Fatigue Lifetime Evaluation on the Interconnect of Semiconductor Pressure Sensor According to the Various Materials (재료에 따른 반도체 압력 센서 배선의 피로 수명 평가에 관한 연구)

  • Shim Jae-Joon;Han Dong-Seop;Han Geun-Jo;Lee Sang-Suk
    • Journal of Navigation and Port Research
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    • v.29 no.10 s.106
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    • pp.871-876
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    • 2005
  • Application of semiconductor sensors has been widely spreaded into various industries because those have several merits like easy miniaturization and batch production comparison with previous mechanical sensors. But external conditions such as thermal and repetitive load have a bad effect on sensors's lifetime. Especially, this paper was focused on fatigue life of a interconnect made by various materials. Firstly we implemented the stress analysis for interconnect under thermal load and wording pressure. And the fatigue lifetime of each material was induced by Manson & Coffin Equation using the plastic stress-strain curve obtained by the plastic-elastic Finite Element Analysis. The Fatigue lifetime in its bottom is smaller than others and bending load have not an effect on the fatigue lifetime of the interconnect but the stress distribution.

Study on Plezoresistive Effect and Resistor Positioning of Silicon Pressure Sensor (반도체 압력센서의 압저항 효과와 압저항체 위치 선정 연구)

  • Park, Se-Kwang;Park, Sung-June
    • Proceedings of the KOSOMBE Conference
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    • v.1990 no.11
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    • pp.75-79
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    • 1990
  • 반도체 및 전자공업의 급속한 발달에 힘입어 압력센서가 소형, 경량, 대량 생산화됨으로써 의료용으로의 사용이 최근 급속히 늘고 있다. 따라서 본 논문은 현재 가장 활발히 개발되고 있는 압저항형 압력 센서의 원리인 압저항 효과에 대해 이론적인 분석을 상세히 소개하였다. 그리고 기존에 많이 소개된 바 있는 정사각형 모양의 박막모서리 중앙 부분에 위치한 압저항체의 설계 보다 직사각형 박막 중심에 위치한 압저항체의 설계가 우수한 특성을 보일 수 있는 이론적 근거를 설명한다.

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The effect of the boss and mass on the sensitivity of the piezoresistive sensor (압저항 센서에서 보스와 매스가 센서 민감도에 미치는 영향)

  • Shim, Jae-Joon;Lee, Sung-Wook;Han, Dong-Seop;Kim, Tae-Hyung;Han, Geun-Jo
    • Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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    • v.29 no.1
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    • pp.405-410
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    • 2005
  • In these days, the piezoresistive material has been applied to various sensors in order to measure the change of physical quantities. But the relationship between the sensitivity of a sensor and the position and size of piezoresistor has rarely been studied. Therefore, this paper was focused on the distribution of the resistance change ratio on the diaphragm and bridge surface where piezoresistor would be formed, and proposed the proper size and position of piezoresistor with which the sensitivity of sensor was increased. As the width of mass and boss was increased, the distance between piezoresistors was closed and the maximum value of resistance change ratio was decreased by the increase of the structure stiffness.

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MEMS Pressure Sensor Technology and Industry Trends (MEMS 압력센서의 기술 및 산업동향)

  • Je, C.H.;Choi, C.A.;Lee, S.Q.;Yang, W.S.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.30 no.6
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    • pp.21-30
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    • 2015
  • 압력센서란 두 물체 간의 상호 작용하는 힘의 크기를 나타내는 물리적 양을 측정하는 디바이스로서 힘의 전달 크기, 힘의 방향 등을 측정하는 데 매우 광범위하게 사용되고 있는 센서이다. 사용하는 분야는 의료, 자동차, 항공, 공업계측, 가전, 환경제어분야 등의 전반적 산업제품과 산업시설에 응용되고 있으며, 측정원리는 힘의 변화에 따른 재료의 변위, 변형, 진동수, 변화, 열전도율 변화 등을 이용하는 것으로 종전의 기계식 감지방법에서 현재는 센서장치의 소형화를 위하여 반도체소자 제작기술과 Micro Electro Mechanical System(MEMS)기술을 이용하는 초소형, 저전력형 센서개발로 계속 발전하고 있다. 본고에서 멤스(MEMS) 압력센서의 최근 제품 기술 개발과 시장 및 산업동향을 알아보고 향후 더욱더 확장될 압력센서제품 기술의 기초 정보를 제공하고자 한다.

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