Study on Plezoresistive Effect and Resistor Positioning of Silicon Pressure Sensor

반도체 압력센서의 압저항 효과와 압저항체 위치 선정 연구

  • Park, Se-Kwang (Kyungpook National University, Department of Electrical Engineering) ;
  • Park, Sung-June (Kyungpook National University, Department of Electrical Engineering)
  • 박세광 (경북대학교 공과대학 전기공학과) ;
  • 박성준 (경북대학교 공과대학 전기공학과)
  • Published : 1990.11.16

Abstract

반도체 및 전자공업의 급속한 발달에 힘입어 압력센서가 소형, 경량, 대량 생산화됨으로써 의료용으로의 사용이 최근 급속히 늘고 있다. 따라서 본 논문은 현재 가장 활발히 개발되고 있는 압저항형 압력 센서의 원리인 압저항 효과에 대해 이론적인 분석을 상세히 소개하였다. 그리고 기존에 많이 소개된 바 있는 정사각형 모양의 박막모서리 중앙 부분에 위치한 압저항체의 설계 보다 직사각형 박막 중심에 위치한 압저항체의 설계가 우수한 특성을 보일 수 있는 이론적 근거를 설명한다.

Keywords