• 전기의세계
• /
• v.49 no.1
• /
• pp.4-9
• /
• 2000

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.26 no.2
• /
• pp.98-102
• /
• 2015

The radiative quantum efficiency of a solid-state laser was measured by photoacoustic spectroscopy with a PZT as the detector. The radiative quantum efficiency was about 58.3 % for a laser-diode pumped Nd:S-VAP laser under lasing conditions. The measurement of radiative quantum efficiency was presented as an effective method for the optimization of a laser resonator.

• Proceedings of the Korean Society of Laser Processing Conference
• /
• 2000.11a
• /
• pp.0-0
• /
• 2000

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2003.02a
• /
• pp.54-55
• /
• 2003

지금까지 반도체 장비 부품 세정을 위한 기존의 세정 방법중 가장 널리 사용되는 화학적 세정 방법은 다량의 유해 화학물질의 발생 및 후처리 문제, 비용문제, 열악한 작업 환경등과 같은 많은 문제를 노출시키고 있다. 이에 최근의 기술은 습식 세정에서 건식세정 방식으로의 기술 전이가 빠르게 이루어지고 있으며, 특히 레이저 광에 의한 건식 세정 기술은 다양한 오염 물질을 하나의 레이저 광원으로 제거할수 있으며, 기존의 습식 방법과 비교해 환경 친화적 청정 기술이고, 다른 건식 세정 기술인 드라이 아이스 및 플라즈마 세정 방법과 비교해 이동용으로 제작이 가능해 반도체 및 평판 디스플레이 생산공정에서 부품을 분리하지 않고 쉽게 세정을 하기 때문에 반도체 생산 현장에서 in-situ 세정으로 시간적, 경제적 이점이 대단히 크다. (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.123-123
• /
• 2013

OCT (Optical Coherence Tomography)는 의료용 생체조직의 단층 영상을 레이저 빛을 이용하여 구현하는 첨단 의료기술이다. Time-domain과 Fourier-domain을 기반으로 다양한 광간섭 신호의 획득이 연구되고 있으며, 영상획득 속도의 향상을 위한 경쟁이 세계적으로 치열한 상황이다. 최근 초고속 파장훑음 광원(Wavelength-swept source)의 개발을 통하여 초당 300 frame 이상의 단층 영상이 구현되고 있다. 본 발표에서는 초고속 파장훑음 레이저 광원(Wavelength swept laser)이 능동형 모드잠금(Active mode locking) 외부공진 반도체 공진 구조를 기반으로 새롭게 구현된 연구 성과를 포함한다. 분산에 의한 모드 잠금에 의하여 발진 파장이 결정되어 가변하므로 1 MHz 급 이상의 초고속 반복이 가능하며, 특히 의료용 산업용 분야의 다양한 광센서 및 광영상 응용에 활발히 응용되고 있다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.10 no.2
• /
• pp.224-227
• /
• 2006

We have chained 459nm blue laser radiation generated by intracavity sum frequency generation( SFG ) due to the mixing of the 1064 nm laser output of a Nd:YVO4 pumped by diode and the 809nm radiation from higg-power semiconductor laser(500mW). The maximum blue output power of 0.95 mW was obtained using 400 mW input power of semiconductor laser at the type II phase matching condition (${\psi}=90^{\circ}\;{\theta}=90^{\circ}$). The threshold input power of blue laser generation was 120 mW.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.1 no.2
• /
• pp.191-197
• /
• 1990

An experiment on the phase stability of injection-locked beam is done by using AlGaAs semiconductor lasers. The coherence of two beams from the master and slave lasers is measured by interference between the beams in the Twymann-Green interferometer. The phase change of the output beam of the slave laser as a function of the driving current is measured in the Mach-Zehnder interferometer consisted of the master and slave lasers and a value of 2.5radlmA is obtainccl.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2001.07c
• /
• pp.1823-1825
• /
• 2001

고리형 반도체-광섬유 레이저 공진기 안에 높은 복굴절률을 가지고 있는 편광 유지 광섬유 루프 거울을 삽입하여 새로운 구조의 다파장 발진 시스템을 제안하고 구현하였다. 이득 매질인 반도체 광 증폭기의 특성으로 인해 실온에서 파장 간격이 1 nm 이내인 22 개의 파장의 빛을 발진시킬 수 있었다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.17 no.3
• /
• pp.268-272
• /
• 2006

We have demonstrated the selection and the amplification of the components of an optical frequency comb using femto-second laser injection-locking technique. We used a mode-locked Ti:sapphire laser as a master laser and a single-mode diode laser as a slave laser. After passing through the interference filter with the center wavelength 794.7 nm and the transmittance bandwidth 1.5 nm, the optical frequency comb by mode-locked femto-second laser was injected into the slave laser. The injection-locked slave laser had $3{\sim}4$ multi-mode with the mode spacing 100.5 MHz, whichcorrespond to the repetition rate of a mode-locked Ti:sapphire laser. The power of the modes selected by femto-second laser injection-locking technique was amplified to several thousands times

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.08a
• /
• pp.170-170
• /
• 2012

정보통신 기술 발전과 함께 자동차 및 로봇 산업에서도 다양한 IT 기술이 적용되고 있다. 지능형 로봇 및 자율 주행 자동차의 실현을 위해서는 필수적인 센서 기술이 수반되어야 한다. 자동차 및 로봇 산업에서 종래의 센서와 더불어 레이저를 이용한 센서 기술 적용으로 보다 업그레이드 된 성능을 갖게 되었다. 특히, 반도체 레이저를 이용한 전방 물체 및 거리 인식 센서를 사용함으로써 보다 정밀한 분해능과 장거리의 거리 계측이 가능하게 되었다. RF나 초음파 센서보다 우수한 성능을 가진 반도체 레이저 거리 계측 센서를 위한 박막 성장과 성장된 Wafer의 칩 프로세스 공정을 진행하여 레이저 센서로 적용 가능함을 확인하였다. InP 기판 위해 클래드, 도파로, 활성층을 MOCVD 장비로 각각 성장하였으며, 도파로는 비대칭 구조로 성장이 되었다.