• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.2-3
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• 2003

오늘날 레이저는 수많은 종류가 등장하였으며 출력개선은 물론 장치의 규모도 나날이 Compact하게 발전하였다. 또한 그 활용성도 대단히 증가하여 의료, 과학, 군사분야를 시작으로 1990년에 이르면서 산업 전 분야에 파급되어 원자력, 전기／전자, 자동차, 반도체 등 주요산업의 제품수준을 향상시키는 핵심기술로 이용되고 있다. 레이저는 이와 같이 새로운 생산도구로서 위치를 확립 시키면서 산업분야의 다양성과 함께 가공산업에서 요구되는 레이저 관련 기술도 다양하게 진보하고 있는 추세이다. (중략)

• JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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• no.6 s.210
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• pp.25-31
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• 1994

• 전기의세계
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• v.49 no.1
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• pp.27-31
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• 2000

• The Magazine of the IEIE
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• v.14 no.1
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• pp.30-38
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• 1987

• Optical Science and Technology
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• v.14 no.2
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• pp.10-16
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• 2010

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1989.06a
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• pp.57-65
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• 1989

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.42 no.6 s.336
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• pp.61-66
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• 2005

In this paper, we implemented a impulse generator, the one of the part in UWB(Ultra Wide Band) system using step recovery diode(SRD) and gain-switced semiconductor laser. The impulse generator was consisted of four stages; The first stage used SRD to generate the first impulse for gain switching. The second stage controled current for the suitable gain switching condition. The third was the second impulse generator to generate gaussian pulse. For gain switching, the first impulse was applied to semiconductor laser. In the last stage the gain switched impulse was converted into mono-gaussian pulse. The measured mono-gaussian pulse was 360 psec pulse-width and $-70mV \~ +50mV$ amplitude in time domain. In frequency domain its magnitude and bandwidth was, respectively, -41dBm and 3.6GHz. Accordingly, the impulse generator that we suggested was suitable for UWB systems.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.91-91
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• 1999

광소자 기술은 정보 전달 및 저장 기술의 지속적인 증가 요구에 따라 발전을 거듭하여 왔다. 특히 광통신 및 저장 기술에서 광원으로 사용되는 레이저 다이오드는 안정되면서 쉽게 제작할 수 있어야 한다. 이온 주입 방법은 반도체 공정에서 광범위하게 사용되는 공정이며 이미 소자측면에서 안정성이 확보되었다고 볼 수 있으나 대부분 메모리 등의 실리콘 반도체에서 이용되어 왔다. 최근에는 화합물 반도체 분야에서도 적용하는 예가 증가되고 있으나 광원으로 사용되는 레이저 다이오드의 경우는 우수한 품질의 반도체 층이 요구되며 따라서 damage가 큰 이온 주입 방법을 이용한 연구는 아직 많이 이루어져 있지 않다. 본 연구에서는 레이저 다이오드 구조의 성장측에 국부적으로 Fe 이온을 주입하여 도파로를 형성하여 광을 구속하여 도파시키는 동시에 전기적으로도 도파로 부분으로만 다이오드가 형성되도록 하고자 한다. 먼저 p층의 전기적 절연에 필요한 조건을 확보하기 위하여 CBE를 사용하여 Fe가 doping 된 SI-InP wafer 위에 p-InP (Be:5x1017 cm-3)층을 1.2$mu extrm{m}$ 성장한 후 ohmic 층으로 p-InGaAs (Be:1x1019 cm-3)을 0.1$\mu\textrm{m}$ 성장한 시료에 고에너지 이온 주입 장치를 사용하여 Fe 이온을 1MeV, 1.6meV의 에너지에 각각 1x1014cm-2, 2x1014cm-2 의 dose로 전면에 implant 하였다. 이 시료를 tube furnace에서 500, 600, $700^{\circ}C$각각 10분씩 annealing 한 후 재성장을 확인하기 위하여 DCXRD을 측정하였다. 그림 1은 DCXRD rocking curve로 annealing 하기 전 후의 In rich에서 side peak의 감소를 확인 할 수 있었는데 이는 damage가 어느 정도 복구되었음을 의미한다. 또한 절연 특성을 확인하기 위하여 ohmic metal을 증착하여 Hall 효과를 측정하였다. 그림 2에 보이는 것과 같이 annealing 온도가 증가함에 따라 면저항이 크게 증가함을 볼 수 있으며 이온 주입하기 전의 시료에 비해 104 이상의 저항을 갖을 수 있다. 향후 이러한 결과를 바탕으로 1.55$\mu\textrm{m}$ LD 구조에서 발진 특성을 관찰할 계획이다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.25 no.3
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• pp.478-485
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• 2021

An injection locking technology of a semiconductor laser is a promising technology to generate optical complex signals by adjusting optical injection parameters. The extraction of the precise injection parameters plays a key role in the generation of the optical complex signal. Rate equations of semiconductor lasers under optical injection are commonly used to map the injection parameters and the corresponding optical complex signal. The accuracy of the generated optical complex signal on the injection parameters is limited since the rate equations require a locking map-based interpolation method. We propose a novel analytic method, namely rate equation-based direct extraction method, to directly calculate the injection parameters without relying on the locking map-based interpolation method. We achieved 103-times improvement of the signal accuracy by using the proposed method compared to locking-map based interpolation method.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.4
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• pp.294-298
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• 2000

The output characteristics of intracavity frequency doubling of laser-diode end-pumped Nd:S-VAP laser were investigated. Nd:S-VAP is suitable for a microchip laser medium, which has a low threshold property because of a very high value of the stimulated emission cross-section and lifetime product. The threshold energy measured was 81 J.ll. The second harmonic output energy measured was $126\mu\textrm{J}$at a pump energy of $2\mu\textrm{J}$. We described for intracavity frequency doubling by using theoretical calculations. Q-switched second harmonic energy measured was $15\mu\textrm{J}$per pulse with a pulse-width of 26 ns. at a pump energy of 2 mJ and an $M^2$ of 1.47 represented a good beam quality. ality.