Korean Journal of Optics and Photonics (한국광학회지)

Optical Society of Korea (한국광학회)
권호 표지

Output characteristics of intracavity frequency doubling of laser-diode end-pumped Nd:S-VAP laser

반도체레이저 단면여기 Nd:S-VAP 레이저의 내부공진기 제2고조파 출력 특성

  • 박준학 (청주대학교 광학공학과)
  • Published : 2000.08.01
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Abstract

The output characteristics of intracavity frequency doubling of laser-diode end-pumped Nd:S-VAP laser were investigated. Nd:S-VAP is suitable for a microchip laser medium, which has a low threshold property because of a very high value of the stimulated emission cross-section and lifetime product. The threshold energy measured was 81 J.ll. The second harmonic output energy measured was $126\mu\textrm{J}$at a pump energy of $2\mu\textrm{J}$. We described for intracavity frequency doubling by using theoretical calculations. Q-switched second harmonic energy measured was $15\mu\textrm{J}$per pulse with a pulse-width of 26 ns. at a pump energy of 2 mJ and an $M^2$ of 1.47 represented a good beam quality. ality.

반도체레이저로 단면 여기시킨 Nd:VAP 레이저의 내부공진기 제2고조파 출력특성을 조사하였다. 유도방출 단면적과 형광수명의 곱이 커 낮은 발진문턱 특성을 갖는 Nd:S-VAP 매질은 컴팩트한 마이크로칩 레이저에 적합하다. 내부공진기를 이용한 제2고조파 발진문턱에너지가 81 uJ로 측정되어 쉽게 발진됨을 확인하였다. 여기에너지 $2\mu\textrm{J}$에서 제2고조파 에너지 $126\mu\textrm{J}$을 얻었고, 내부공진기 제2고조파의 출력을 계산하여 이론적인 해석 근거를 제시하였다. Q-스위치된 제2고조파 출력은 펄스폭 26ns에 펄스당 에너지 $15\mu\textrm{J}$로 저출력에서도 시.공간적으로 깨끗한 펄스를 얻었으며, $M^2$도 1.47로 우수한 빔 특성을 나타내었다.

Keywords

References

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