• 제목/요약/키워드: 반도체 레이저

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반도첼 레이저의 AuSn 합금 솔더를 사용한 p-side-down방식의 마운팅 (P-side-down mounting by using AuSn alloy solder of semiconductor laser)

  • 최상현;허두창;배형철;한일기;이천
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2003년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.273-275
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    • 2003
  • 본 실험은 고출력 반도체 레이저의 p-side-down 마운팅용 솔더로서 AuSn 합금 솔더(80wt%:20wt%)의 적합성에 대해 연구하였다. $1{\mu}m$이하의 균일도로 폴리싱 된 Cu heat sink의 표면에 두께 $1{\mu}m$의 Ni로 코팅을 한다음, AuSn 다층박막은 e-beam 증착기로 AuSn 합금 솔더는 열증착기로 각각 증착하였다. 열처리는 산화 방지를 위해 $N_2$ 분위기에서 행하였으며, 동일한 압력으로 마운팅을 하였다. 표면의 거칠기와 형상은 AFM(Atomic Force Microscope)과 SEM(Scanning Electron Microscopy)으로 그리고 Au와 Sn의 성분비는 AES(Auger Electron Spectroscopy) 로 비교하였다. 또한 CW(연속발진)을 통한 L-I(Light-Current)측정을 통해 본딩상태를 비교하였다.

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SOA 2개의 병렬연결을 통한 파장 가변 레이저 개발 (Development of Wavelength Swept Laser by using the two SOAs parallel configuration)

  • 김훈섭;엄진섭
    • 산업기술연구
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    • 제28권B호
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    • pp.235-238
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    • 2008
  • In this paper, we have developed wavelength swept laser system for the swept source optical coherence tomography(SS-OCT). A laser is constructed by using the two SOAs parallel configuration, fiber Fabry-Perot tunable filter(FFP-TF). The wavelength sweeps are repetitively generated with the repetition period of 50Hz. The wavelength tuning range of the laser is more than FWHM of 80nm centered at the wavelength of 1310nm and the line-width of the source is 0.12 nm.

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2-자유도 정밀구동기와 마이크로렌즈의 집적화에 관한 연구 (Study on the integration of a micro lens on a 2-DOF in-plane positioning actuator)

  • 김재흥;김용권
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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    • pp.32-33
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    • 2000
  • 최근 디지털 정보 처리 기술의 획기적인 발전과 함께 저가의 반도체 레이저의 개발로 말미암아 광기록 장치(optical pickup device) 및 고속 광통신(optical fiber communication)분야에 응용을 위한 레이저 광학 시스템에 대한 연구가 활발하다. 광신호의 커플링(coupling) 및 스위칭(switching)을 기반으로 하는 이러한 광학 시스템은 일반적으로 광신호의 변조를 위한 광학 요소와 광학 요소의 공간적 제어를 위한 정밀 구동기로 구성되는데, 기존의 상용 시스템의 경우에는 독립적으로 기 제작된 광학 요소와 정밀 구동기를 사후에 조립하는 방법으로 소기의 목적을 달성하였다. 이와 같은 경우 제작에 많은 노력과 비용이 요구되며, 성능의 획기적인 향상을 기대하기 어려우므로 최근에는 Optical MEMS 혹은 MOEMS(Micro-Opto-Electro-Mechanical System)로 대변되는 마이크로머시닝기술(micromachining technology)을 이용한 초정밀 광학계의 제작 기술을 통하여 기존 시스템의 한계를 극복하고자 하는 노력이 다각도로 모색되고 있다. (중략)

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AuSn 솔더를 사용한 반도체 레이저의 본딩 (Semiconductor Laser diode Die bonding Using AuSn solder)

  • 최상현;배형철;허두창;한일기;조운조;최원준;박용주;이정일;이천
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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    • pp.203-205
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    • 2003
  • 레이저 다이오드를 p-side-down 방식으로 본딩하기 위하여 AuSn 솔더합금을 증착한 후 온도와 압력, 시간을 변화시켜 본딩상태를 조사하였다. CuW위에 adhsion layer와 확산방지층을 각각 $500{\AA}$$2000{\AA}$을 증착하였으며 솔더층으로 AuSn을 $2.6{\mu}m$ 증착 하였다. 열처리는 질소 분위기에서 행하였으며, 표면의 거칠기는 AFM으로 측정하였다.

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차세대 반도체 표면 클리닝 기술들의 특성 및 전망

  • 이종명;조성호
    • 한국레이저가공학회지
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    • 제4권3호
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    • pp.22-29
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    • 2001
  • A development of new surface clwaning technol ogies such as laser and aerosol in paeallel with the improvement of conventional wet mwthods becomes more essential in semiconductor industry due the confrontation of new challenges such as significant device shrink, environmental foralum inum do not work for copper as a new interconnection material, and more effective cleaning tools are required with decreasing the feature size less than 0.13 ㎛ as well as increasing the wafer size from 200 ㎜ to 300 ㎜. In this article, various cleaning techniques increasing laser cleaning are compared methodolgically hi order to understand their unique characteristics such as advantages and disadvantages according to the current clean ing issues. In particular, the current state of art of laser technique for semiconductors md prospects as a try cleaning method are described.

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염분오손도 자동측정 방법에 관한 연구 (A Study on the Automatic Measurement of Salt Contamination Degree)

  • 강연욱;장태인;정선철;양병모;강지원;조성배
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.2138-2140
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    • 2000
  • 송전선, 변전소, 발전소 등의 전력설비에 있어서 애자장치의 오손은 지락사고나 코로나 유발에 의한 환경장애 등의 원인이 되고 있어 염분에 의한 애자장치의 오손 대책이 설비 관리에 있어서 중요한 부분을 차지하고 있으며, 이를 위해서는 염분 오손도의 측정이 선행되어야 한다. 본 논문에서는 염분 오손도를 상시 자동으로 측정할 수 있는 방법으로서 제안되고 있는 전자식 애자 이용법, 열전 반도체를 이용한 전도도 측정법, Nd:YAG 레이저법, 레이저 광센서와 프리즘을 이용한 염분 오손도 측정법, 정전용량 검출센서를 이용한 염분 오손도 측정법, 백금 전극을 이용한 누설전류 측정법과 같은 염분 오손도 측정법을 소개하고자 한다.

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광섬유 센서기술 : 원리 및 응용

  • 송정태;이경식
    • 전기의세계
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    • 제45권9호
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    • pp.9-17
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    • 1996
  • 1970년 미국의 코닝글라스사(Corning Glass Company)에서 광섬유가 최초로 제조된 이래 광섬유는 통신분야에 많은 공헌을 해오고 있다. 1976년 Kinsley, Davies 등에 의해 광섬유를 이용한 전기적 위상변이 효과가 발표된 이후로 광섬유 특성을 이용한 센서연구가 많이 진행되어 왔다. 즉, 광파이버의 실현과 반도체 레이저와 발광 및 수광 다이오드의 성능 향상에 의하여 광파이버 응용 계측 기술이 현저하게 진보하여 그 다양성과 실현성도 두드러지게 증가되었다. 이것은 레이저와 수광소자 등의 광소자의 개발, 마이크로컴퓨터를 비롯한 전자기술의 진보, 또한 최근의 전력 계통과 철강, 석유 화학 등의 각종 공업 플랜트의 대규모화, 고도화에 따른 고품위의 계측 제어시스템에 대한 수용의 증대에 의한 것이다. 이에 따라서 광대역, 저손실, 고절연성, 내잡음성, 안전방폭성 등이 우수한 광파이버를 신경망으로 하는 광파이버 응용 계측 제어 시스템이 공장자동화에 있어서 중요한 역할을 담당하게 될 것이다. 이의 설계와 제어를 위해 가장 중요한 부분은 정보 수집을 하는 센서 즉, 광속도, 회전 각속도 등 많은 종류의 광섬유 센서의 연구 개발이 미국, 일본, 유럽 및 국내의 여러 기관에서도 게속적인 연구가 진행되고 있으며, 부분적으로 서서히 실용화되어 가고 있다[3-4].

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레이저 스페클 간섭법을 이용한 반도체 패키지의 비파괴검사 (Non-destructive Inspection of Semiconductor Package by Laser Speckle Interferometry)

  • 김경석;양광영;강기수;최정구;이항서
    • 비파괴검사학회지
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    • 제25권2호
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    • pp.81-86
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    • 2005
  • 본 논문에서는 반도체 패키지 내부결함의 비파괴 정량평가를 위한 ESPI 기법을 이용한 시스템 및 검사기 법을 제안하고 있으며, 검사시스템은 ESPI 검사장치, 열변형유도장치, 단열챔버로 구성되어있다. 기존 초음파, X-ray 기반의 검사기법에 비하여 측정시간 및 검사방법이 용이하며, 결함의 정량검출이 가능하다는 장점이 있다. 검사결과에서 대부분의 결함이 열 방출이 많은 칩 주위에서 박리결함으로 나타났으며, 원인은 층간 접착강도의 약화와 열분배 설계에서 문제점인 것으로 사료된다.

사파이어 기판 위에 성장한 N-tyep ZnO Ohmic 접합 연구

  • 이경수;서주영;송후영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.96-96
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    • 2011
  • ZnO는 실온에서 3.37 eV의 큰 밴드갭 에너지와 60 meV의 높은 exciton binding energy를 가지고 있어 광소자를 만드는데 큰 관심을 얻고 있다. 또한 최근에는 ZnO를 기반으로 한 동종접합 전광소자를 만드는데 성공하였다. 그러나 소자의 성능을 높이기 위해 여러 가지 개선할 사항이 있다. 그 중에 하나는 캐리어를 잘 주입 시키기 위한 금속-반도체 접합을 구현하는 것이다. 이러한 문제를 개선하기 위해서는 ZnO 기반으로 한 낮은 비저항을 가진 소자가 필요하다. 일반적으로 n-type ZnO Ohmic 접합에서 쓰이는 금속은 Ti/Au, Ta/Au, Al/Au 등이 있다. 실험방법은 c-plane 사파이어 기판 위에 펄스 레이저 증착 방법으로 3시간 동안 $500^{\circ}C$ 환경에서 ZnO 박막을 성장하고, 표면을 고르게 하기 위해 $1000^{\circ}C$에서 1분 동안 열처리를 진행하였다. 샘플 위에 photo-resist 코팅을 한 다음 transfer length method(TLM)를 이용하기 위해 포토리소그래피 장비를 통하여 샘플을 노광하였다. 그 위에 Ti/Au (30 nm/80 nm)를 E-beam/thermal evaporation으로 증착 하였다. 이는 일반적인 반도체 공정과 Lift-off방식을 이용하여 패터닝 하였다. 샘플을 열처리하는 것은 금속과 반도체의 접촉 접착과 전기적인 성질을 개선하고 응력과 계면 결함을 감소시키기 때문에 샘플을 100, 200, 300, 400, $500^{\circ}C$에서 각각 열처리하였다. 저항을 구하기 위해 각각 열처리된 샘플과 as-deposited의 전류, 전압 특성을 측정하고, 이러한 실험 방법으로 n-type ZnO의 Ohmic 접합을 구현하는 것이 목표이다.

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나노입자 복합특성 측정장치 연구

  • 문지훈;박현국;이준희;신용현;강상우;김태성
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.149-149
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    • 2013
  • 반도체 공정 및 디스플레이 공정에서 발생하는 오염입자는 공정 불량을 일으키는 가장 큰 인 중의 하나이며, 수십 나노에서 수 백 나노의 크기를 갖는다. 최근 반도체 산업이 발전함에 따라 회로의 선폭이 점차 감소하고 있으며 오염입자의 임계 직경(critical diameter) 또한 작아지고 있다. 또한 디스플레이 산업에서는 패널이 대형화되고 공정이 발달함에 따라 입자에 의한 패널 오염이 이슈가 되고 있는 실정이다. 현재 반도체 및 디스플레이 산업에서 사용되는 측정방법으로는 레이저를 이용하여 공정 후 표면에 남아있는 오염입자를 측정하는 ex-situ 방법이 주를 이루고 있다. Ex-situ 방법을 이용한 오염입자의 제어는 웨이퍼 전체를 측정할 수 없을 뿐만 아니라 실시간 측정이 불가능하기 때문에 공정 모니터링 장비로 사용이 어려우며 오염입자와 공정 간의 상관관계 파악에도 많은 제약이 따르게 된다. 이에 따라 저압에서 in-situ 방법을 이용한 실시간 오염입자 측정 기술 개발이 요구되고 있다. 또한 입자의 크기 뿐 아니라 성분과 형상까지 측정할 수 있는 장치의 개발 요구가 높아지고 있는 실정이다. 이를 위해 입자의 크기 및 분포를 측정할 수 있는 Particle Beam Mass Spectrometer (PBMS)와 형상을 측정할 수 있는 Scanning Electron Microscope (SEM)의 기능을 통합하여 실시간으로 나노입자의 복합특성(크기, 성분, 형상)을 측정할 수 있는 장치를 개발하였다. 또한 기존 장치들의 문제점 중 하나가 실시간으로 교정이 불가능하다는 것이었는데 이 장치의 경우 실시간으로 측정되는 결과의 조합으로 실시간 교정까지도 가능한 장점을 가지고 있다.

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