초록
본 논문에서는 반도체 패키지 내부결함의 비파괴 정량평가를 위한 ESPI 기법을 이용한 시스템 및 검사기 법을 제안하고 있으며, 검사시스템은 ESPI 검사장치, 열변형유도장치, 단열챔버로 구성되어있다. 기존 초음파, X-ray 기반의 검사기법에 비하여 측정시간 및 검사방법이 용이하며, 결함의 정량검출이 가능하다는 장점이 있다. 검사결과에서 대부분의 결함이 열 방출이 많은 칩 주위에서 박리결함으로 나타났으며, 원인은 층간 접착강도의 약화와 열분배 설계에서 문제점인 것으로 사료된다.
This paper proposes a non-destructive ESPI technique to quantitatively evaluate defects inside a semiconductor package. The inspection system consists of the ESPI system, a thermal loading system and an adiabatic chamber. The technique is high feasibility for non-destructive testing of a semiconductor and overcomes the weaknesses of previous techniques, such as time-consumption and difficult quantitative evaluation. Most defects are classified as delamination defects, resulting from the insufficient adhesive strength between layers and from non-homogeneous heat spread. Ninety percent of the tested samples had delamination defects which originated at the corner of the chip and nay be related to heat spread design.
