• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.2-3
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• 2003

오늘날 레이저는 수많은 종류가 등장하였으며 출력개선은 물론 장치의 규모도 나날이 Compact하게 발전하였다. 또한 그 활용성도 대단히 증가하여 의료, 과학, 군사분야를 시작으로 1990년에 이르면서 산업 전 분야에 파급되어 원자력, 전기／전자, 자동차, 반도체 등 주요산업의 제품수준을 향상시키는 핵심기술로 이용되고 있다. 레이저는 이와 같이 새로운 생산도구로서 위치를 확립 시키면서 산업분야의 다양성과 함께 가공산업에서 요구되는 레이저 관련 기술도 다양하게 진보하고 있는 추세이다. (중략)

• 전기저널
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• 6호통권210호
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• pp.25-31
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• 1994

• 전기의세계
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• 제49권1호
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• pp.27-31
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• 2000

• 전자공학회지
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• 제14권1호
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• pp.30-38
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• 1987

• 광학과기술
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• 제14권2호
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• pp.10-16
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• 2010

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1989년도 광학 및 양자전자학 워크샵
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• pp.57-65
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• 1989

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제42권6호
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• pp.61-66
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• 2005

본 논문에서는 Step recovery diode와 반도체 레이저의 이득 스위칭을 이용하여 UWB(Ultra Wide Band) 통신 시스템의 구성요소 중 하나인 임펄스 발생기를 설계하였다. 구현된 임펄스 발생기는 4부분으로 구성하였으며, 1번째는 SRD를 이용하여 반도체 레이저의 이득스위칭을 위한 1차 임펄스 발생기, 2번째는 출력된 1차 임펄스를 이득 스위칭을 조건에 맞추기 위한 전류조절기, 3번째는 1차 임펄스 발생기에서 출력된 임펄스를 반도체 레이저의 이득 스위칭을 이용하여 가우시안 펄스를 발생하는 2차 임펄스 발생기, 4번째는 구현된 가우시안 펄스를 UWB를 위한 가우시안 모노펄스로 변환하는 펄스 변환부로 구성되어 있다. 측정된 가우시안 모노펄스는 시간상에서 360 psec의 펄스폭과 -70 mV에서 +50 mV의 크기를 가지며, 주파수상에서 -41 dBm의 크기와 3.6 GHz의 대역폭을 가짐으로써 UWB를 위한 임펄스에 적합함을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.91-91
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• 1999

광소자 기술은 정보 전달 및 저장 기술의 지속적인 증가 요구에 따라 발전을 거듭하여 왔다. 특히 광통신 및 저장 기술에서 광원으로 사용되는 레이저 다이오드는 안정되면서 쉽게 제작할 수 있어야 한다. 이온 주입 방법은 반도체 공정에서 광범위하게 사용되는 공정이며 이미 소자측면에서 안정성이 확보되었다고 볼 수 있으나 대부분 메모리 등의 실리콘 반도체에서 이용되어 왔다. 최근에는 화합물 반도체 분야에서도 적용하는 예가 증가되고 있으나 광원으로 사용되는 레이저 다이오드의 경우는 우수한 품질의 반도체 층이 요구되며 따라서 damage가 큰 이온 주입 방법을 이용한 연구는 아직 많이 이루어져 있지 않다. 본 연구에서는 레이저 다이오드 구조의 성장측에 국부적으로 Fe 이온을 주입하여 도파로를 형성하여 광을 구속하여 도파시키는 동시에 전기적으로도 도파로 부분으로만 다이오드가 형성되도록 하고자 한다. 먼저 p층의 전기적 절연에 필요한 조건을 확보하기 위하여 CBE를 사용하여 Fe가 doping 된 SI-InP wafer 위에 p-InP (Be:5x1017 cm-3)층을 1.2$mu extrm{m}$ 성장한 후 ohmic 층으로 p-InGaAs (Be:1x1019 cm-3)을 0.1$\mu\textrm{m}$ 성장한 시료에 고에너지 이온 주입 장치를 사용하여 Fe 이온을 1MeV, 1.6meV의 에너지에 각각 1x1014cm-2, 2x1014cm-2 의 dose로 전면에 implant 하였다. 이 시료를 tube furnace에서 500, 600, $700^{\circ}C$각각 10분씩 annealing 한 후 재성장을 확인하기 위하여 DCXRD을 측정하였다. 그림 1은 DCXRD rocking curve로 annealing 하기 전 후의 In rich에서 side peak의 감소를 확인 할 수 있었는데 이는 damage가 어느 정도 복구되었음을 의미한다. 또한 절연 특성을 확인하기 위하여 ohmic metal을 증착하여 Hall 효과를 측정하였다. 그림 2에 보이는 것과 같이 annealing 온도가 증가함에 따라 면저항이 크게 증가함을 볼 수 있으며 이온 주입하기 전의 시료에 비해 104 이상의 저항을 갖을 수 있다. 향후 이러한 결과를 바탕으로 1.55$\mu\textrm{m}$ LD 구조에서 발진 특성을 관찰할 계획이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제25권3호
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• pp.478-485
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• 2021

광 주입 잠금 반도체 레이저의 주입 매개 변수를 조절하여 광학적 복소 신호를 생성 할 수 있다. 그러므로 정확한 주입 매개 변수의 결정은 광학적 복소 신호 생성 기술에서의 핵심 요소이다. 기존의 주입 매개 변수의 추출 이론은 광 주입 잠금 반도체 레이저의 비율 방정식을 사용하며, 이는 locking map 기반의 보간법을 사용하기 때문에 정확한 주입 매개 변수의 추출에 한계가 있다. 이를 해결하기 위하여 비율 방정식의 새로운 해석법을 제안한다. 제안된 해석법은 비율 방정식을 광학적 복소 신호의 생성에 맞게 수정하여 주입 매개 변수를 직접적으로 도출하는 방법이며, 이를 통하여 보간법을 통한 복소 신호 생성 대비 103 배의 오차 감소를 달성하였다.

• 한국광학회지
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• 제11권4호
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• pp.294-298
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• 2000

반도체레이저로 단면 여기시킨 Nd:VAP 레이저의 내부공진기 제2고조파 출력특성을 조사하였다. 유도방출 단면적과 형광수명의 곱이 커 낮은 발진문턱 특성을 갖는 Nd:S-VAP 매질은 컴팩트한 마이크로칩 레이저에 적합하다. 내부공진기를 이용한 제2고조파 발진문턱에너지가 81 uJ로 측정되어 쉽게 발진됨을 확인하였다. 여기에너지 $2\mu\textrm{J}$에서 제2고조파 에너지 $126\mu\textrm{J}$을 얻었고, 내부공진기 제2고조파의 출력을 계산하여 이론적인 해석 근거를 제시하였다. Q-스위치된 제2고조파 출력은 펄스폭 26ns에 펄스당 에너지 $15\mu\textrm{J}$로 저출력에서도 시.공간적으로 깨끗한 펄스를 얻었으며, $M^2$도 1.47로 우수한 빔 특성을 나타내었다.