• Title/Summary/Keyword: 반도체 레이저

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Wavelength and Repetition-Rate Tunable Optical Pulse Generation for Ultrafast OTDM/WDM (초고속 OTDM/WDM을 위한 파장 및 반복율 가변 광 펄스 발생)

  • Choi, Kyoung-Sun;Han, Chong-Min;Seo, Dong-Sun;Jhon, Young-Min;Lee, Seok
    • Journal of IKEEE
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    • v.5 no.2 s.9
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    • pp.201-210
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    • 2001
  • Wavelength and repetition-rate tunable optical pulse-trains for ultrafast optical time- and wavelength division multiplexing are generated from a semiconductor fiber ring laser by optical injection mode-locking. The pulse trains show the pulse with of ${\sim}10$ ps and the wavelength tuning of wider than 30 nm at various repetition-rates of 10 GHz, 20 GHz, 30 GHz and 40 GHz, respectively.

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A Study on the Heterodyned Optical Phase Locked Loop (헤테로다인 광 위상 고정 루프 연구)

  • Yoo, Kang-Hee
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.18 no.10
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    • pp.1163-1171
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    • 2007
  • In this paper, the design techniques required to design heterodyned OPLL such as frequency-phase deference detector, loop filter and phase noise of semiconductor laser are presented. Through the experiments with the calculated parameters, we confirmed that the frequency-phase difference detector simply develops an error component that is proportional to the frequency-phase difference between heterodyned optical signals. The achieved frequency-phase locking range of the input laser diode frequency is around ${\pm}150MHz$. This paper describes the details of the designed as well as experimental results.

초정밀가공 기술의 현황과 전망

  • Gang, Cheol-Hui
    • Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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    • v.6 no.4
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    • pp.11-20
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    • 1989
  • 마이크로 일렉트로닉스(Microelectronics)를 중심으로 하는 산업혁명이 진행되고 있는 시점에서 전자, 광학 또는 신소재 부품에 대한 형상과 치수 또는 표면거칠기에 대한 정확도와 정밀도가 엄격하게 요구되고 있다. 예를 들어 경취 재료인 반도체의 웨이화( w-afer), 수정진동자 자기헷트, 비구면렌즈 또는 연질 금속의 레이저빔(Laser Beam) 프린터 용 포리곤 밀러(Polygon Mirror), 자기디스크, 복사기용 드럼(drum), 레저기기용 반사밀러 등 가공정밀도를 향상시키기 위해서는 과거의 가공기술을 대치할 수 있는 새로운 초정밀가공 기술의 도입이 활발하게 진행되고 있다. 경취성 재료의 초정밀가공은 지금까지는 랩핑(lappi- ng), 폴리싱(polishing)의 가공기술이 주체였으나, 최근의 엄격한 부품정밀도에 대응하기 위하여 전가공을 초정밀 연삭가공으로 평면도,표면거칠기, 가공변질층을 향상시키고 다듬질 가공은 폴리싱으로 하여 표면거칠기를 향상시켜야 하는 가공기술이 보급되고 있다. 일반연질 금속의 다듬질가공은 유리지립을 이용하는 랩핑이나 폴리싱으로 다듬질 가공을 진행하고 있었 으나 형상정도와 표면정밀도를 동시에 얻는다는 것이 어렵고 또 가공시간이 너무 길어서 매우 고가인 것이 되고 말았다. 그러나 유리에서 연질금속으로 재료를 전환시키고 저가격화, 양산 화의 요구, 정밀도 향상과 부품의 안정화 등등 여러 이유로서 다아아몬드(Diamond) 공구로 mirror surface 를 만드는 초정밀 경면연삭 가공기술(precision turning with diamond)의 발달 로 이제는 완전히 새로운 가공기술로 대치되고 말았다. 다이아몬드에 의한 초정밀절삭은 공구 끝이 매우 예리하고 마모가 매우 적은 단결정 다이아몬드를 이용하고 절삭가공 기계는 운동정도 를 피가공물에 정확히 전사 시키는 방법이며 따라서 가공기계는 고도의 운동정밀도가 요구되며 그외에 강성, 진동, 열변이, 제어면에서 엄격한 검도가 있어야 한다.

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CIGS 박막 태양전지용 하부전극 Mo 박막증착 및 특성

  • Son, Yeong-Ho;Choe, Seung-Hun;Choe, Se-Ho;Jeong, Jin-Bong;Gang, Ho-Jeong;Cheon, Tae-Hun;Kim, Su-Hyeon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.142-142
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    • 2010
  • 태양광 발전산업에서 현재 주류인 결정 실리콘 태양전지의 변환효율은 꾸준히 향상되고 있으나, 태양전지의 가격이 매년 서서히 하강되고 있는 실정에서 결정질 실리콘 가격의 상승 등으로 부가가치 창출에 어려움이 있으며, 생산 원가를 낮출 수 있는 태양전지 제조기술로는 2세대 태양전지로 불리는 박막형이 현재의 대안이며, 특히 에너지 변환 효율과 생산 원가에서 장점이 있는 것이 CIGS 박막 태양전지로 판단된다. 화합물반도체 베이스인 CIGS 박막 태양전지는 연구실에서는 세계적으로 20.3% 높은 효율을 보고하고 있으며, 모듈급에서도 13% 효율로 생산이 시작되고 있다. 국내에서도 연구실 규모 뿐만 아니라 대면적(모듈급) CIGS 박막 태양전지 증착용 장비, 제조공정 등의 기술개발이 진행되고 있다. CIGS를 광흡수층으로 하는 CIGS 박막 태양전지의 구조는 여러 층의 단위박막(하부전극, 광흡수층, 버퍼층, 앞면 투명전극, 반사방지막)을 순차적으로 형성시켜 만든다. 이 중에 하부전극은 Mo 재료을 스퍼터링 방법으로 증착하여 주로 사용한다. 하부전극은 0.24 Ohm/cm2 정도의 전기적 특성이 요구되며, 주상조직으로 성장하여야 하며, 기판과의 밀착성이 좋아야하고 또한 레이저 패턴시 기판에서 잘 떨어져야 하는 특성을 동시에 가져야 한다. 그리고 CIGS 박막 내에서 Na 도핑을 어떻게 제어할 것인지도 고려해야한다. 본 연구에서는 대면적(모듈급) CIGS 박막 태양전지에서 요구되는 하부전극 Mo 박막의 특성과 기술적 이슈들에 대해서 연구결과들을 논하고자 한다.

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진공중 Electron Beam & Laser에 의하여 열처리된 세라믹 코팅층의 결정학적 변화

  • Park, Sun-Hong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.208.1-208.1
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    • 2014
  • 반도체 공정이나 디스플레이 공정에는 세라믹 부품이나 금속 부품이 많이 포함되어 있는데 이들 부품이 공정중에 발생하는 플라즈마 또는 여러가지 부산물에 의하여 부품의 표면에 다양한 코팅층이 형성된다. 그리고 이러한 공정에 들어가는 부품은 플라즈마 또는 각종 산에 취약한 특성을 나타내는데 이에 대하여 해결하기 위하여 세라믹 부품의 표면에 용사코팅이나 각종 물리, 화학적 방법을 이용하여 표면에 코팅층을 형성한다. 이렇게 형성된 코팅층중 특히 용사코팅에 의하여 형성된 코팅층은 플라즈마 공정이나 각종 부식성 산에 의하여 박리 또는 크랙이 발생하게 된다. 이러한 특성은 용사코팅층의 특성상 발생하고 있는 물리적 흡착에 의하여 흡착된 계면에서 박리가 발생할 가능성이 크게 된다. 이러한 현상을 줄이기 위하여 고열원을 통하여 열처리 실험을 실시한다. 특히 전자빔이나 레이저 열원은 고온 급속 가열에 의하여 고융점인 세라믹 용사코팅층 및 금속 코팅층을 재용융 및 응고과정을 통하여 미세구조를 변화시킨다. 특히 전자빔 열처리는 진공중에서 코팅층의 열처리를 행함으로써 코팅층 내에 있는 기공을 제거하거나 불순물을 제거하기에 용이하다. 본 연구에서 수행된 열처리는 기 코팅된 세라믹이나 금속재의 표면을 다량의 Electron의 Flux를 통하여 표면의 온도를 Melting point 직하 온도까지 상승하였다가 응고시킴으로써 코팅층의 특성을 변화시켰다. 이렇게 열처리된 시험편의 XRD를 통해 결정구조를 파악하고, SEM, OM을 통하여 기공의 제거, 결함의 제거 등을 확인하였으며 경도 변화를 통하여 물리적 특성의 변화를 함께 확인하였다. 평가 결과 결정구조의 변화와 더불어 경도등의 상승효과가 발생하였으며 코팅층 내에 존재하는 결함이 감소함을 확인하였다.

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경사입사각증착법을 이용한 이산화 티타늄 박막 기반의 고반사 분포 브래그 반사기 제작 및 특성

  • Guan, Xiang-Yu;Im, Jeong-U;Jeong, Gwan-Su;Yu, Jae-Su
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.350.1-350.1
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    • 2014
  • 분포 브래그 반사기(distributed Bragg reflector; DBR)는 광센서, 도파로, 태양전지, 반도체 레이저 다이오드, 광검출기와 같은 고성능 광 및 광전소자 응용분야에 널리 사용되고 있다. 일반적으로, DBR은 박막의 두께를 4분의 1 파장(${\lambda}/4$)으로 가지는 서로 다른 저굴절율 물질과 고굴절율 물질을 교대로 적층 (pair)한 다중 pair로 제작되어지며, DBR의 반사 특성과 반사대역폭은 두 물질의 굴절율 차이와 pair의 수에 영향을 받는다. 그러나, 서로 다른 굴절율을 갖는 두 물질을 이용하는 DBR의 경우, 두 물질간 열팽창계수의 불일치, 접착력 문제, 높은 굴절율 차이를 갖는 물질 선택의 어려움 등 많은 문제점을 지니고 있다. 최근, 경사입사각증착법을 이용한 동일 재료(예, 인듐 주석 산화물, 게르마늄, 실리콘)기반의 DBR 제작 및 특성에 대한 연구가 보고되고 있다. 높은 입사각을 갖고 박막이 증착될 경우, 저율을 갖는 다공박막 제작이 가능하여 경사입사각증착법으로 homogeneous 물질 기반의 고반사 특성을 갖는 다중 pair의 DBR을 제작할 수 있다. 본 실험은, 갈륨비소 기판 위에 경사입사각증착법 및 전자빔증착법을 이용하여 중심파장 960 nm가 되는 이산화 티타늄 기반의 DBR을 제작하였고, 제작된 샘플의 증착된 박막의 표면 및 단면의 프로파일은 주사전자현미경을 사용하여 관찰하였으며, UV-Vis-NIR 스펙트로미터를 이용하여 반사율 특성을 조사하였다.

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효율적인 무반사 특성을 갖는 주기적인 실리콘 계층 나노구조 제작 연구

  • Lee, Su-Hyeon;Im, Jeong-U;Gwan, Sang-U;Kim, Jeong-Tae;Yu, Jae-Su
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.312.2-312.2
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    • 2014
  • 실리콘은 광센서, 태양전지, 발광다이오드 등 광소자 응용 분야에서 널리 사용되고 있는 물질이다. 그러나 실리콘의 높은 굴절율(n~3.5)은 표면에서 약 30% 이상의 Fresnel 반사를 발생시켜 소자의 효율을 감소시키는 원인이 된다. 따라서, 반사손실을 줄이기 위해서는 실리콘 표면에 효율적인 무반사 코팅을 필요로 한다. 기존의 단일 혹은 다중 박막을 이용한 무반사 코팅 기술은 물질간 열팽창계수의 불일치, 접착력 문제, 박막 두께 조절 및 적합한 굴절율을 갖는 물질 선택 어려움 등의 단점을 지니고 있다. 최근, 이러한 무반사 코팅 기술의 대안으로 곤충 눈 구조를 모방한 나노크기의 서브파장 격자구조 (subwavelength gratings, SWGs)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 이러한 SWGs 구조는 공기와 반도체 표면 사이에 점진적, 선형적으로 변화하는 유효굴절율을 갖기 때문에, 광대역 파장영역뿐만 아니라 다양한 각도에서 입사하는 빛에 대해서도 효과적으로 Fresnel 표면 반사를 낮출 수 있다. 본 연구에서는 실리콘 기판 표면 위에 효율적인 무반사 특성을 갖는 계층적 SWGs 나노구조를 제작하기 위해, 레이저간섭리소그라피 및 열적응집금속 입자를 이용한 식각 마스크 패터닝 방법과 유도결합플라즈마 식각 공정을 이용하였다. 제작된 무반사 실리콘 SWGs 나노구조의 표면 및 식각 프로파일은 전자주사현미경으로 관찰하였고, 표면 접촉각 측정 장비를 이용하여 샘플 표면의 젖음성을 확인하였다. 제작된 샘플의 광학적 특성을 조사하기 위해 UV-vis-NIR 스펙트로미터와 엘립소미터 측정 시스템들을 이용하였다.

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A Study on the In-process Measurement of Metallic Surface roughness in Cylindrical Grinding by Diode Laser (원통연삭가공시 반도체 레이저 빔을 이용한 금속표면거칠기의 인프로세스 측정)

  • 김희남
    • Proceedings of the Korean Society of Machine Tool Engineers Conference
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    • 1995.03a
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    • pp.1-8
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    • 1995
  • This paper proposed a simple method for measuring surface roughness of ground surface. utilizing non-contact in-process measuring system using the diode laser. The measurement system is consisted of a laser unit with a diode laser and a cylindrical lens a detecting unit with polygon mirror and CCD array sensor. and a signal processing unit with a computer and device. During operation, this measuring system can provide information on surface roughness in the measuring distance with a single sampling and simultanilusly monitor the state of the grind wheel. The experimental results, showed that the increase of the feed rate and the dressing speed an caused increase in the surface roughness and when the surface roughness is 4Rmax-10Rmax, the cutting speed is 1653m/min-1665m/min. the feed rate is 0.2m/min-0.9m/min, the dressing speed is 0.2mm/rev-0.4mm/rev, the stylus method and the in-process method can be obtained the same results. thus under limited working conditions. using the proposed system. the surface roughness of the ground surface during cylindrical grinding can be obtained through the in-process measurement method using the diode laser.

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Long-term stabilization of optical feedback of a resonant external cavity coupled semiconductor laser (공진형 외부 캐비티 부착 반도체 레이저의 광피드백 장기 안정화)

  • 신철호
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.9 no.2
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    • pp.96-99
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    • 1998
  • In this study, a novel long term stabilization method of optical feedback for the resonant cavity coupled semiconductor lasers is proposed, and its utility was shown experimentally. The proposed method is realized by using the pahse discriminator of optical feedback with high gain. The phase discriminating signal was obtained by the polarization spectroscopic technique using reflection light from the external reflector, which is a confocal Fabry-Perot cavity. Experimental result shows that stable control state can be maintained up to 20 hours. The period can be increased by reducing size of the system and/or fixing position stably of optical parts used, which were arranged on an optical table by using magnetic bases in this experiment. The proposed long-term stabilization method of optical feedack of a resonant external cavity coupled semiconductor laser is very useful for the field of high sensitivity measurement, and for the use in the laboratory level in particular.

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Development of the 4th Generation CD Optical Pick-up with Small Thickness (4세대 박형 CD 광학 픽업 개발)

  • 최영석;김성근
    • Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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    • v.15 no.3
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    • pp.38-49
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    • 1998
  • The 3rd generation optical pick-up used popularly in resent years is composed of many optical and electronic components such as laser diode, photo diode, beam splitter, objective lens, grating lens, concave lens, collimator lens etc. Therefore, the design of its optical system and its main base which the said optical and electronic components are set on, is complicated and needs high precision. Its assembly and adjustment in the production line is also difficult. This complication and the demand of high precision get its production cost to be high and its reliability to be low. In this paper, the 4th generation optical pick-up is designed and developed, with the hologram device which laser diode. photo diode, beam splitter. and grating lens are integrated in. This optical pick-up reduces the number of points of adjustment by 3, compared with the 3rd generation optical pick-up of which the number of points of adjustment is 6. This optical pickup also decreases by 4 the number of points of W bonding to have bad influence on environmental reliability, decreases by about 10 the number of parts, and establishes about 20% cost-down of material cost, compared with the 3rd generation optical pick-up.

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